請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分行業(yè)走勢%行業(yè)走勢%相關(guān)研究國產(chǎn)化》略轉(zhuǎn)型看碳化硅供需平衡表》和防守性》達(dá)隱喻》2-05-02發(fā)展看碳化硅國產(chǎn)化》22-02-26資機(jī)會證券分析師張良衛(wèi)199793研究助理卞學(xué)清bianxq@投資要點(diǎn)服務(wù)器和PC為存儲三大終端需求驅(qū)動力。2021年，DRAM位元需求將貢獻(xiàn)較高增速。美光(23%)，CR3約94%；NAND領(lǐng)域，剩余變量為關(guān)注核心，其減產(chǎn)有望優(yōu)化供需結(jié)構(gòu)。?投資建議：看好行業(yè)價(jià)格觸底帶來的反轉(zhuǎn)機(jī)會，建議關(guān)注IC設(shè)計(jì)公司(兆易創(chuàng)新、普冉股份、東芯股份)、模組公司(江波龍、佰維存儲、德碼公司(億元)(元)1A2E3E1A2E3E投資評級SH03SH冉股份.13301308.SZ3報(bào)告/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分D 1.1.存儲器原理及分類 61.2.存儲產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成 61.3.強(qiáng)周期、大市場，存儲為半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 71.3.1.存儲市場空間大，價(jià)格變動有效反應(yīng)終端供需 7 13 2.3.智能手機(jī)、PC出貨量見頂，平均容量仍有增長空間 152.4.智能電動車帶來主流與利基型存儲第二曲線 17 183.1.市場格局：海外寡頭壟斷，國內(nèi)細(xì)分追趕 183.2.三大廠商資本開支趨緩，關(guān)注減產(chǎn)進(jìn)度 193.3.DRAM產(chǎn)能釋放有限，年內(nèi)有望迎來價(jià)格拐點(diǎn) 203.4.NAND整體供給略高，未來價(jià)格上下波動 21 4.1.全球最大存儲芯片企業(yè)之一，持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新推動行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 224.2.公司具備強(qiáng)周期屬性，多重?cái)M合闡釋關(guān)聯(lián)性本質(zhì) 254.3.重視技術(shù)與資產(chǎn)，財(cái)務(wù)指標(biāo)契合存儲行業(yè)特征 284.4.美光階段性跑輸指數(shù)，有望迎來反轉(zhuǎn) 30 1s 5.3.東芯股份：專注于中小容量存儲芯片，定制化芯片構(gòu)建核心競爭力 325.4.江波龍：聚焦存儲領(lǐng)域，營收穩(wěn)定增長 325.5.佰維存儲：專注于存儲芯片，嵌入式存儲占比大 335.6.德明利：聚焦移動存儲市場，營收整體增長 345.7.瀾起科技：內(nèi)存接口芯片市占巨頭，產(chǎn)品獲業(yè)內(nèi)高度認(rèn)可 35 5.10.華邦電：專業(yè)內(nèi)存集成電路公司，布局利基型內(nèi)存領(lǐng)域 36 5.12.宜鼎國際：工業(yè)級存儲裝置龍頭企業(yè)，布局工業(yè)級嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域 37 /39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分 NAND元) 8 NAND) 10 NAND年) 10 7 圖34：NANDFlash季度供求(1Q03-4Q23)(百萬GB) 21 圖40：美光各業(yè)務(wù)部門營收(億美元)保持漲跌同步 23 /39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分 39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分 39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分.存儲器原理及分類存儲器原理存儲器分類表1：存儲器產(chǎn)品分類數(shù)據(jù)來源：SIA，ICinsights，東吳證券研究所器)，不需要周期性地刷新。SRAM速度比較快，但成本也較高，是利基產(chǎn)品。DRAM.存儲產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圓制造硅模組廠商集成主控芯片制造設(shè)備圓制造硅模組廠商集成主控芯片制造設(shè)備其他電子組件組合在一起，形成最終產(chǎn)品。圖1：存儲行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈光罩存儲晶圓顆粒內(nèi)存或閃存模組主控芯片封裝測試數(shù)據(jù)來源：東吳證券研究所繪制1.3.強(qiáng)周期、大市場，存儲為半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo)存儲市場規(guī)模大波動性強(qiáng)，是半導(dǎo)體與消費(fèi)電子行業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo)。圖2：全球半導(dǎo)體細(xì)分市場規(guī)模(單位：億美元)圖3：全球半導(dǎo)體細(xì)分市場yoy數(shù)據(jù)來源：WSTS，東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：WSTS，東吳證券研究所1.3.1.存儲市場空間大，價(jià)格變動有效反應(yīng)終端供需 (動態(tài)隨機(jī)存儲器)和NANDFlash(閃存)則是整個(gè)存儲產(chǎn)業(yè)中最重要的細(xì)分產(chǎn)品。盡管2020年后存儲器周期下行，未能追趕上邏輯芯片飛速增長的勢頭，但存儲芯片仍DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)也稱內(nèi)存，是一種易失性存儲器(RAM)，通電時(shí)資料存在，ROM以保留，通常應(yīng)用與大容量外部存儲。39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖4：存儲市場規(guī)模與集成電路市場規(guī)模(單位：億美元)數(shù)據(jù)來源：WSTS，智研咨詢，東吳證券研究所各決圖5：DRAM產(chǎn)品價(jià)格變化趨勢(單位：美元)圖6：NAND產(chǎn)品價(jià)格變化趨勢(單位：美元)數(shù)據(jù)來源：DRAMeXchange，東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：DRAMeXchange，東吳證券研究所ntractPriceOEMAppleSonyPC企業(yè))、二線OEM(Adata、PQI等中國臺灣模組廠)和通路代理商向存儲原廠(三39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分響。表2：DRAM產(chǎn)品價(jià)格現(xiàn)狀DRAM現(xiàn)貨平均價(jià)(美元)DDRGb(2Gx8)2666Mbps主流DRAMDDR8Gb(1Gx8)2666MbpsDDRGb(1Gx8)eTTDDRGbGx8)eTTMbps897%8%1%DDRGb512Mx8DDRGb(512Mx16)2666Mbps0036%9%DRAM合約平均價(jià)(美元)DDR8Gb1Gx813%DDR6Gb2Gx8556%DDR8GBSO-DIMMDDR16GBSO-DIMMDDR8GBSO-DIMM63——————DDRGB/256Mx16DDRGB/256Mx16208%0%數(shù)據(jù)來源：DRAMeXchange，東吳證券研究所表3：NANDFlash產(chǎn)品價(jià)格現(xiàn)狀NANDFlash現(xiàn)貨平均價(jià)(美元)MLC64Gb8GBx8主流NANDTLCGb54bMBx利基NANDSLC1Gb128MBx8MLCGbGBx869NANDFlash合約平均價(jià)(美元)NAND128Gb16Gx8MLC1481NAND64Gb8Gx8MLC8NAND32Gb4Gx8MLC926%數(shù)據(jù)來源：DRAMeXchange，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖7：DRAM全球廠商營收(單位：億美元)數(shù)據(jù)來源：ICInsights，DRAMeXchange，東吳證券研究所圖8：NAND全球廠商營收(單位：億美元)國閃存市場，東吳證券研究所D圖9：DRAM各廠商市場份額(2021年)數(shù)據(jù)來源：DRAMeXchange，東吳證券研究所圖10：NAND各廠商市場份額(2021年)數(shù)據(jù)來源：中國閃存市場，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分shNDD圖11：DRAM市場競爭格局變化圖12：NAND市場競爭格局變化數(shù)據(jù)來源：IDC，東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：IDC，東吳證券研究所圖13：DRAM細(xì)分市場規(guī)模占比數(shù)據(jù)來源：TrendForce，Yole，東吳證券研究所RAMOVV請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分?jǐn)U展到8和16bit；(6)更高容量，單芯容量從2GB提升到8GB，單根內(nèi)存條最大圖14：DRAM主要廠商制程進(jìn)展對比數(shù)據(jù)來源：Trendforce，東吳證券研究所1.3.4.NANDFlash：堆疊層數(shù)不斷提高，演進(jìn)速度或?qū)⒎啪廚ANDFlashDDDNANDFlash，NANDFlash干擾同樣問題嚴(yán)重。圖15：NANDFlash細(xì)分市場規(guī)模占比數(shù)據(jù)來源：Yole，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖16：NANDFlash主要廠商制程進(jìn)展對比數(shù)據(jù)來源：Trendforce，東吳證券研究所三投資1000億美元以期維持技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者地位?？紤]到NANDFlash各玩家技術(shù)研發(fā)投2.需求側(cè)仍有增量，關(guān)注服務(wù)器及算力提升機(jī)會望為存儲行業(yè)提供新的增長動能，根據(jù)佐思汽研預(yù)測，2021-2027年復(fù)合增長率將達(dá)18.6%。圖17：DRAM三大終端需求分布數(shù)據(jù)來源：IDC，TrendForce，東吳證券研究所圖18：NAND終端需求分布數(shù)據(jù)來源：Trendforce，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分新一代服務(wù)器CPU平臺刺激換機(jī)需求，助推服務(wù)器需求增長，拉動DRAM需求器，有望于23Q1規(guī)模量產(chǎn)，且亞馬遜、谷歌、Meta和微軟等科技公司計(jì)劃采購基于SapphireRapidsSapphireRapidsDRAM的圖19：全球服務(wù)器出貨情況(單位：百萬臺)數(shù)據(jù)來源：IDC，東吳證券研究所AM圖20：DRAM：單臺服務(wù)器位元需求(單位：GB)數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所ChatGPT帶動算力規(guī)模大幅提升。ChatGPT發(fā)布之后迅速引起全球范圍的廣泛關(guān)也更高。因此，算力規(guī)模的提升，最終將帶動存儲芯片的需求增長。請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分T基本假設(shè)包括：短期日度訪問量為6000萬次(ChatGPT-2000萬次；Bing-4000萬U收益。圖21：ChatGPT拉動算力增長測算數(shù)據(jù)來源：Sililarweb，Statista，MSN，《LanguageModelsareFew-ShotLearners》，東吳證券研究所圖22：ChatGPT拉動存儲需求增長測算數(shù)據(jù)來源：Nvidia官網(wǎng)，SK海力士官網(wǎng)，東吳證券研究所圖23：全球智能手機(jī)出貨情況(單位：百萬部)數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分FlashG升，疊加應(yīng)用面高像素拍攝需求帶來的更大存儲容量配置。同時(shí)iPhone產(chǎn)品組合仍全線向更高容量升級，Android高端機(jī)種也跟進(jìn)將圖24：DRAM：單部智能手機(jī)位元需求(單位：GB)數(shù)據(jù)來源：TrendForce，Counterpoint，東吳證券研究所求將進(jìn)一步走弱。圖25：全球PC出貨情況(單位：百萬臺)數(shù)據(jù)來源：IDC，東吳證券研究所DR請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分主控IC供應(yīng)吃緊影響，積極推升平均容量成長。由于近兩年筆電整機(jī)成本受到零部件圖26：DRAM：單臺PC位元需求(單位：GB)數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所2.4.智能電動車帶來主流與利基型存儲第二曲線圖27：全球汽車銷量情況(單位：萬臺)數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所R請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分以滿足不同自動駕駛等級的車載存儲需求。3.供給側(cè)擴(kuò)產(chǎn)放緩，年內(nèi)有望現(xiàn)供需平衡拐點(diǎn)3.1.市場格局：海外寡頭壟斷，國內(nèi)細(xì)分追趕表4：存儲行業(yè)競爭玩家圖譜數(shù)據(jù)來源：ICinsights，東吳證券研究所OR請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖28：海力士、三星、美光是DRAM供給端三大廠商數(shù)據(jù)來源：Gartner，東吳證券研究所圖29：NANDFlash市場多公司占據(jù)較大份額數(shù)據(jù)來源：Gartner，東吳證券研究所3.2.三大廠商資本開支趨緩，關(guān)注減產(chǎn)進(jìn)度圖30：美光、海力士、三星預(yù)計(jì)資本開支放緩數(shù)據(jù)來源：Omdia，東吳證券研究所/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分劃整體放緩。圖31：三星、海力士、美光擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃數(shù)據(jù)來源：閃存市場，IT之家，CSIA，東吳證券研究所整理圖32：DRAM位元供需分析 數(shù)據(jù)來源：Gartner，東吳證券研究所整理DRAMQ費(fèi)類產(chǎn)品去庫存、整擴(kuò)產(chǎn)動作，我們認(rèn)為過度供給率將呈下降趨勢，帶動整體行業(yè)價(jià)格觸底回升。。圖33：過度供給率與DRAM產(chǎn)品合約價(jià)強(qiáng)負(fù)相關(guān)數(shù)據(jù)來源：Gartner，BERN，東吳證券研究所/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分3.4.NAND整體供給略高，未來價(jià)格上下波動圖34：NANDFlash季度供求(1Q03-4Q23)(百萬GB)數(shù)據(jù)來源：Gartner，東吳證券研究所NANDFlash技術(shù)供給以3DNAND為主。3DNAND總供給超過95%，是當(dāng)前NANDFlash技術(shù)供給增長主要驅(qū)動力，未來占比預(yù)計(jì)持續(xù)提高。圖35：3DNAND占比超過95%數(shù)據(jù)來源：Gartner，東吳證券研究所圖36：過度供給率與NANDFlash產(chǎn)品合約價(jià)強(qiáng)負(fù)相關(guān)數(shù)據(jù)來源：Gartner，BERN，東吳證券研究所/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖37：NAND位元供需分析1Q23E2Q23E3Q23E4Q23E 數(shù)據(jù)來源：Gartner，東吳證券研究所整理4.美光復(fù)盤：從海外龍頭看行業(yè)投資邏輯表，具有重要的研究價(jià)值。是存儲行業(yè)技術(shù)進(jìn)步的重要推動者：RAM到48000名。/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分光基本信息一覽網(wǎng)，Zippia，Micron2022InvestorDayPresentation，東吳證券研究所應(yīng)呈現(xiàn)出高度一致的變動趨勢。當(dāng)前，云服務(wù)器和消費(fèi)電子是存儲芯片的主要市場，圖39：DRAM、NAND貢獻(xiàn)美光95%+收入(億美元)350DRAMNAND其他300250200150100500FY2011FY2012FY2013FY2014FY2015FY2016FY2017FY2018FY2019FY2020FY2021FY2022圖40：美光各業(yè)務(wù)部門營收(億美元)保持漲跌同步/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分表5：美光通過四個(gè)不同部門報(bào)告運(yùn)營情況名稱主要產(chǎn)品市場應(yīng)用FY2022收入及份額CNBUDRAM、NORFlash客戶、云服務(wù)器、企業(yè)、圖形、網(wǎng)絡(luò)等MBUDRAM、NANDFlash、NORFlash智能手機(jī)等EBUDRAM、NANDFlash、NORFlash工業(yè)、汽車、消費(fèi)等SBUNANDFlash組件、SSDs企業(yè)和客戶存儲、云存儲和可移動存儲等4.8%(1)2013年-2016上半年:2013年，美光收購了當(dāng)時(shí)全球第三大的DRAM制造商，(2)2016下半年-2019年:通過完成對存儲芯片制造商Inotera的收購、布局3DD至今：2020年新冠疫情造成全球供應(yīng)鏈影響，在年初股價(jià)暴跌后全年價(jià)再度下跌。數(shù)據(jù)來源：美光官網(wǎng)，Bloomberg，Investopedia，環(huán)球網(wǎng)，智東西，TheMotleyFool，EPSNews，ZacksInvestmentaCapitalcomNewsNowReuters/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分極其敏感，受半導(dǎo)體及存儲行業(yè)發(fā)展?fàn)顟B(tài)的影響明顯；；4.2.公司具備強(qiáng)周期屬性，多重?cái)M合闡釋關(guān)聯(lián)性本質(zhì)片廠商很難通過差異化形成客戶粘性，以獲得更多的溢價(jià)。根據(jù)經(jīng)濟(jì)學(xué)知識，司基本上遵循由市場供需平衡決定的價(jià)格。整個(gè)市場的供需和定價(jià)。在此情形下，單家廠商的產(chǎn)能調(diào)整和資本開支調(diào)整，又相互影響。圖42：營收變化受量價(jià)關(guān)系波動影響，本質(zhì)由供需情況決定數(shù)據(jù)來源：Bloomberg，東吳證券研究所/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分DM殊性和存儲芯片特性，毛利率可作為衡量供需關(guān)系對公司營運(yùn)水平影響的觀察指標(biāo)。圖43：量價(jià)關(guān)系帶來的營收變化主要反映在利潤端數(shù)據(jù)來源：東吳證券研究所圖44：美光毛利率與其DRAM單價(jià)表現(xiàn)出高度擬合DRAMDRAMASP(單位：美元)MU毛利率(右軸)1Q141Q151Q161Q171Q181Q191Q201Q211Q221Q23數(shù)據(jù)來源：Bloomberg，東吳證券研究所(1)美光總收入、美光DRAM收入、全球DRAM市場收入間的一致性：DNAND/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分(2)美光利潤端與收入端的一致性：動。(3)收入端與美光股價(jià)表現(xiàn)的一致性：美光經(jīng)營水平變化的重要信號，也是投資者關(guān)注的主要矛盾。圖45：美光收入端、利潤端、股價(jià)表現(xiàn)之間存在高度擬合關(guān)系數(shù)據(jù)來源：Bloomberg，Statista，TrendForce，東吳證券研究所/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分公司股價(jià)的起伏不定。M存儲芯片短暫的生命周期和快速的代際轉(zhuǎn)換對存儲芯片廠商的技術(shù)開發(fā)實(shí)力提出了一由于存儲芯片產(chǎn)品持續(xù)快速迭代的特征，美光、SK海力士都不吝投入大量資金進(jìn)億美元，圖46：DRAM產(chǎn)品的技術(shù)持續(xù)迭代升級數(shù)據(jù)來源：TechInsights，東吳證券研究所圖47：美光不吝投入大量資金進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)50MUSK海力士FY11FY12FY13FY14FY15FY16FY17FY18FY19FY20FY21FY22數(shù)據(jù)來源：Bloomberg，東吳證券研究所的商業(yè)壁壘也導(dǎo)致了存儲行業(yè)的持續(xù)并購整合和寡占市場情形。/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖48：美光PP&E長期占總資產(chǎn)50%以上圖49：美光保持了較為可觀的資本開支K0FYFY12FY13FY14FY15FY16FYFY18FY19FY20FY21FY22MU數(shù)據(jù)來源：Bloomberg，東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：Bloomberg，東吳證券研究所得到提升，廠商往往會選擇通過提升資本開支以擴(kuò)大產(chǎn)能，并投入資金進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)，圖50：美光產(chǎn)能建設(shè)、產(chǎn)品研發(fā)的節(jié)奏調(diào)整與行業(yè)景氣度相關(guān)數(shù)據(jù)來源：Bloomberg，東吳證券研究所與市值(MV)相近，凈資產(chǎn)能夠有效反映重資產(chǎn)行業(yè)的企業(yè)價(jià)值。其二，存儲行業(yè)周性的美光進(jìn)行估值更為合理。30/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖51：美光PB估值與DRAM現(xiàn)貨價(jià)格高度相關(guān)數(shù)據(jù)來源：Bloomberg，TrendForce，東吳證券研究所4.4.美光階段性跑輸指數(shù)，有望迎來反轉(zhuǎn)。604020美光(美元)SOX450040003500300025002000000050002009/12/302011/12/302013/12/302015/12/302017/12/302019/12/302021/12/30數(shù)據(jù)來源：Wind，閃存市場，東吳證券研究所整理圖53：美光與納斯達(dá)克指數(shù)比較09/12/30美光(美元) 納斯達(dá)克綜指1/12/30000001/12/303/12/305/12/302017/12/302019/12/30數(shù)據(jù)來源：Wind，閃存市場，東吳證券研究所整理31/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分下行趨勢。5.全球重點(diǎn)公司梳理ssCU呈上升趨勢。圖54：兆易創(chuàng)新營收及增速Wind，東吳證券研究所圖55：兆易創(chuàng)新存儲芯片銷售收入占比逐年降低Wind，東吳證券研究所ashR圖56：普冉股份營收及增速圖57：普冉股份銷售收入以NORFlash產(chǎn)品為主數(shù)據(jù)來源：Wind，東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：Wind，東吳證券研究所32/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖58：東芯股份營收及增速圖59：東芯股份毛利率及凈利率數(shù)據(jù)來源：Wind，東芯股份招股書，東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：東芯股份招股書，東吳證券研究所最高，2021年達(dá)到49.04%；移動存儲和嵌入式存儲系列毛利率較高，2021工業(yè)控制、汽車電子以及個(gè)人移動存儲等領(lǐng)域。圖60：江波龍嵌入式存儲營收占比最高圖61：江波龍移動存儲和嵌入式存儲系列毛利率較高Wind吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：Wind，東吳證券研究所33/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分Depot等知名零售商。波龍營收及增速Wind，東吳證券研究所圖63：江波龍毛利率及凈利率Wind，東吳證券研究所趨勢，2019年凈利率由負(fù)轉(zhuǎn)正。圖64：佰維存儲營收及增速圖65：佰維存儲收入來自嵌入式存儲和消費(fèi)級存儲數(shù)據(jù)來源：Wind，東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：Wind，東吳證券研究所佰維存儲營業(yè)收入穩(wěn)定上升，主營業(yè)務(wù)收入主要來自嵌入式存儲和消費(fèi)級存儲。致。34/39請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖66：佰維存儲毛利率及凈利率Wind，東吳證券研究所圖67：佰維存儲嵌入式存儲毛利率整體較高Wind，東吳證券研究所長主營業(yè)務(wù)主要集中于閃存主控芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)，存儲模組產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)、優(yōu)化，。網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。圖68：德明利銷售收入主要來自存儲模組半成品銷售半成品銷售(晶圓封裝片)(SSD套件)半成品銷售(晶圓封裝片)儲晶圓銷售存儲晶圓銷售存儲模組半成品銷售(晶圓封裝片)其他產(chǎn)品半成品銷售(SSD套件)其他產(chǎn)品Wind，東吳證券研究所圖69：存儲卡模組毛利率較高Wind，東吳證券研究所來自于主營業(yè)務(wù)，2021年毛利率、凈利率均略有下降。