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文檔簡介

半導體的極化激元

半導體的極化激元光與介質相互作用兩個層次：●弱耦合：電磁波與介質的激發作為獨立的體系處理.說明：①

仍是高反射區域.由于

很大（吸收系數

）,界

面多次反射被抑制.

②在

區域.

(a)圖中不存在振蕩，這是因為(a)中平板的厚度

都沒有產生相干疊加.反射光以及透射光(b)圖中存在振蕩,這是因為平板的厚度

反射光以及透射光產生相干疊加,形成FP模.

而

區域內不存在傳播模，

因此，任何情況下平板都不可能形成FP模.③在

區域,隨

增加,減小.這是由于

增大，減弱了后界面光的反射.在

區域,隨

增加,增加.

這是由于

減弱,從而后界面光的反射增強.④

和

譜的變化相反.鄰近共振的相互作用考慮樣品存在兩個相鄰的共振頻率（如ZnO中設在這兩個相鄰的共振頻率處振子強度相同，且不考慮阻尼和空間色散，那么介電函數為激子），假其中ZnO非交叉原理：如果兩個能級

與

發生耦合，則兩個能級無交叉點.交叉點的分裂與兩個能級的耦合強度成正比.而介質(振子)的極化又產生電磁輻射,反作用于入射電磁波.光與介質強耦合導致極化激元的產生.●強耦合：入射電磁波使介質極化極化激元1.極化波●極化強度

上式表明：在

或

條件下,從

～半導體的最高本征頻率范圍內,

即介質的極化現象總是存在的,由此極化波總是存在的.固體中,從IR,VIS至UV,“力學”極化波與

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