ICS49035

CCSV.25

中華人民共和國國家標準

GB/T43366—2023

宇航用半導體分立器件通用規范

Generalspecificationfordiscretesemiconductordevices

ofspaceapplication

2023-11-27發布2024-03-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T43366—2023

目次

前言

…………………………Ⅴ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………2

技術要求

4…………………3

總體要求

4.1……………3

質量保證等級

4.2………………………3

設計

4.3…………………3

材料

4.4…………………3

標識

4.5…………………3

生產過程

4.6……………6

外協加工和外購芯片

4.7………………7

基本要求

4.8……………8

試驗方法

5…………………12

內部目檢

5.1……………12

外觀及尺寸檢查

5.2……………………12

參數性能

5.3……………12

高溫壽命

5.4……………12

溫度循環

5.5……………12

二極管耐久性試驗

5.6…………………12

晶體管耐久性試驗

5.7…………………12

引線鍵合強度

5.8………………………13

掃描電子顯微鏡檢查

5.9(SEM)………………………13

浪涌

5.10………………13

熱響應

5.11……………13

恒定加速度

5.12………………………13

粒子碰撞噪聲檢測試驗

5.13…………13

細檢漏

5.14……………13

粗檢漏

5.15……………13

晶體管高溫反偏

5.16…………………13

功率高溫反偏

5.17FET………………13

二極管高溫反偏

5.18…………………14

射線照相

5.19X………………………14

Ⅰ

GB/T43366—2023

超聲掃描

5.20…………………………14

可焊性

5.21……………14

耐溶劑

5.22……………14

熱沖擊液體液體

5.23(—)……………14

間歇工作壽命

5.24……………………14

二極管熱阻

5.25………………………14

雙極型晶體管熱阻

5.26………………14

功率熱阻

5.27FET……………………14

閘流晶體管熱阻

5.28…………………14

熱阻

5.29IGBT…………………………14

熱阻

5.30GaAsFET…………………15

重量

5.31………………15

耐濕

5.32………………15

沖擊

5.33………………15

掃頻振動

5.34…………………………15

鹽氣侵蝕

5.35()………………………15

內部氣氛含量

5.36……………………15

高壓蒸煮

5.37…………………………15

穩態總劑量輻射

5.38…………………15

單粒子效應

5.39………………………15

破壞性物理分析

5.40(DPA)…………15

低氣壓只適用于額定電壓大于的器件

5.41(200V)………………16

靜電放電敏感度

5.42(ESDS)…………16

耐焊接熱

5.43…………………………16

預處理

5.44……………16

回流焊模擬

5.45………………………16

引出端強度

5.46………………………16

強加速穩態濕熱

5.47…………………16

檢驗規則

6…………………16

通則

6.1…………………16

檢驗分類

6.2……………16

試驗和檢驗的環境條件

6.3……………16

檢驗批

6.4………………17

篩選

6.5…………………17

鑒定檢驗

6.6……………19

質量一致性檢驗

6.7……………………19

用戶方監制

6.8…………………………27

Ⅱ

GB/T43366—2023

用戶方驗收

6.9…………………………27

包裝標識運輸貯存

7、、、…………………27

包裝和標識

7.1…………………………27

運輸貯存

7.2、…………………………28

附錄規范性材料要求

A()………………29

總體要求

A.1…………………………29

封裝材料

A.2…………………………29

器件的鍍涂

A.3………………………30

附錄資料性用戶方監制

B()……………32

監制方式

B.1……………32

監制內容

B.2……………32

監制

B.3…………………32

附錄資料性用戶方驗收

C()……………34

總則

C.1…………………34

驗收工作內容

C.2………………………34

質量文件審查

C.3………………………34

驗收試驗

C.4……………34

驗收的結果和處理

C.5…………………35

Ⅲ

GB/T43366—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國宇航技術及其應用標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC425)。

本文件起草單位中國運載火箭技術研究院中國空間技術研究院西安電子科技大學濟南市半導

:、、、

體元件實驗所北京中科新微特科技開發股份有限公司國營第八七三廠深圳吉華微特電子有限公司

、、、、

朝陽微電子科技股份有限公司

。

本文件主要起草人加春雷張偉李彭叢忠超張愛學熊盛陽孫巖張瑩薛軍帥崔同王迎春

:、、、、、、、、、、、

張彥飛李壽全陳江曲赫然李志福

、、、、。

Ⅴ

GB/T43366—2023

宇航用半導體分立器件通用規范

1范圍

本文件規定了宇航用半導體分立器件以下簡稱器件的通用要求質量保證規定交貨準備和說

(“”)、、

明事項

。

本文件適用于宇航用半導體分立器件的設計生產檢驗和銷售

、、。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體器件分立器件和集成電路第部分整流二極管

GB/T4023—20152:

半導體器件分立器件第部分場效應晶體管

GB/T4586—19948:

半導體分立器件和集成電路第部分雙極型晶體管

GB/T4587—19947:

半導體分立器件第部分分立器件和集成電路總規范

GB/T4589.1—200610:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分低氣壓

GB/T4937.2—20062:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分外部目檢

GB/T4937.3—20123:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分強加速穩態濕熱試驗

GB/T4937.4—20124:

(HAST)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分快速溫度變化雙液

GB/T4937.11—201811:

槽法

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分掃頻振動

GB/T4937.12—201812:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鹽霧

GB/T4937.13—201813:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分引出端強度