標準解讀

《GB/T 4937.3-2012 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第3部分:外部目檢》是一項國家標準,專門針對半導體器件的外部檢查過程進行了詳細規定。該標準適用于半導體器件在生產、使用或維修過程中需要進行外觀質量評估的情況。根據這一標準,外部目檢主要是指通過肉眼或者借助于放大鏡等簡單工具對半導體器件表面狀況進行觀察與判斷的過程。

標準中明確了目檢的具體要求,包括但不限于:

  • 檢查環境條件,如照明強度應達到一定水平以確保能夠清晰地看到被檢物體;
  • 對于不同類型的半導體產品(如二極管、晶體管等),規定了各自特定的關注點及可能存在的缺陷類型;
  • 提供了如何記錄發現的問題以及后續處理建議的指導原則;
  • 強調了執行目檢人員的專業技能要求,指出他們需要接受適當培訓才能勝任此項工作。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2012-11-05 頒布
  • 2013-02-15 實施
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GB/T 4937.3-2012半導體器件機械和氣候試驗方法第3部分:外部目檢_第1頁
GB/T 4937.3-2012半導體器件機械和氣候試驗方法第3部分:外部目檢_第2頁
GB/T 4937.3-2012半導體器件機械和氣候試驗方法第3部分:外部目檢_第3頁
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文檔簡介

ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標準

GB/T49373—2012/IEC6074932002

.-:

半導體器件

機械和氣候試驗方法

第3部分外部目檢

:

Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestsmethods—

Part3Externalvisualexamination

:

(IEC60749-3:2002,IDT)

2012-11-05發布2013-02-15實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T49373—2012/IEC60749-32002

.:

前言

半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強加速穩態濕熱試驗

———4:(HAST);

第部分穩態溫濕度偏置壽命試驗

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標志耐久性

———9:;

第部分機械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分變頻振動

———12:;

第部分鹽氣

———13:;

第部分引線牢固性引線強度

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻射

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件的耐濕和耐焊接熱

———20:;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗

———24:;

第部分溫度循環

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗人體模式

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗機械模式

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗器件帶電模式考慮中

———28:(ESD)(CDM)();

第部分門鎖試驗

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學掃描

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

第部分手持電子產品用元器件桌面跌落試驗方法

———37:;

GB/T49373—2012/IEC60749-32002

.:

第部分半導體器件的軟錯誤試驗方法

———38:;

第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量

———39:。

本部分是的第部分

GB/T49373。

本部分按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分

IEC60749-3:2002《3:

外部目檢

》。

為便于使用本部分做了下列編輯性修改

,:

用小數點代替作為小數點的逗號

a)“.”“,”;

刪除國際標準的前言

b)。

本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人陳海蓉李麗霞崔波

:、、。

GB/T49373—2012/IEC60749-32002

.:

半導體器件

機械和氣候試驗方法

第3部分外部目檢

:

1范圍

的本部分的目的是驗證半導體器件的材料設計結構標志和工藝質量是否符合適用

GB/T4937、、、

的采購文件的要求外部目檢是非破壞性試驗適用于所有的封裝類型本試驗用于鑒定檢驗過程監

。,。、

控批接收

、。

2試驗設備

本試驗使用的設備應能證實器件是否符合要求包括能夠放大倍倍的光學設備和足夠大的

,3~10

視場例如帶照明的圓形放大鏡

。:。

3程序

根據相關詳細規范和第章的判據要求對器件進行檢查若懷疑器件附著外來物時可用流速最

4。,

大為的清潔過濾空氣抽氣或吹氣處理后再檢查

27m/s()。

4失效判據

如果器件出現以下任一情況則判為不合格

,:

器件設計引出端標識標志內容位置和清晰度材料結構和工藝質量不符合適用的采購

a)、、(、)、、

文件要求

;

可見的腐蝕污染破損引線彎曲度大或折斷密封破裂玻璃彎月形除外缺陷剝落起皮

b)、、(,,)、(、

或起泡鍍層損傷或底層金屬暴露涂層褪色不應視為失效除非有起皮針孔或腐蝕

)、(,、);

引線未對準或改變了原來的正常位置或引線形狀不符合規定或未加規定的彎曲帶狀引

c),。(

線對正常引線平面有扭曲

);

引線上粘有諸如漆或其他粘合物之類的無關材料

d);

任何不符合詳細規范或適用的采購文件要求缺少任何要求的特征或是存在影響器件正常使

e),,

用的明顯損傷

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