ICS31.080.1L40中華人民共和國國家標準GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002部分代替GB/T4937-1995半導體器件機械和氣候試驗方法第2部分;低氣壓Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part2：Lowairpressure(IEC60749-2:2002,IDT)2006-08-23發布2007-02-01實施中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國國家標準半半導體器件機械和氣候試驗方法第2部分：低氣壓GB/T4937.2-2006/1EC60749-2:2002中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：01051299090.685220062007年1月第一版書號：155066·1-27687版權專有侵權必究舉報電話：（010）68522006

GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002本部分是GB/T4937《半導體器件機械和氣候試驗方法》的第2部分。。下面列出了本標準的預計結構：-第1部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分：總則》(IEC60749-1）第第2部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第2部分：低氣壓》IEC60749-2)第3部分《半導體器件機機械和氣候試驗方法第3部分：外部目檢》(IEC60749-3)第4部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第4部分：強加速穩態濕熱試驗（HAST)》（IEC60749-4）第5部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第5部分：穩態溫濕度偏置壽命試驗》（IEC60749-5）第6部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第6部分：高溫存》IEC60749-6)第7部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第7部分：內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析》IEC60749-7）第8部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第8部分：密封》(IEC60749-8)第9部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第9部分：標志耐久性》(IEC60749-9)第10部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第10部分：機械沖擊》(IEC60749-10)第11部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第11部分：快速溫度變化一雙液槽法》(IEC60749-11)第12部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第12部分：變頻振動》IEC60749-12)第13部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第13部分：鹽氣》(IEC60749-13)第14部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第14部分：引線牢固性(引線強度)》（IEC60749-14）機械和氣候試驗方法第15部分《半導體器件第第15部分：通孔安裝器件的耐焊接熱》(IEC60749-15）第19部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第19部分：芯片剪切強度》(IEC60749-19）第20部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第20部分：塑封表面安裝器件的耐濕和耐焊接熱》（IEC60749-20）第21部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第21部分：可焊性》IEC60749-21)第22部分《半導體器件械和氣候試驗方法第22部分：鍵合強度》IEC60749-22)第25部分《半導體器件機械和氣候試驗方法：第25部分;快速溫度變化(空氣一空氣)》（IEC60749-25）-第31部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第31部分：塑封器件的易燃性(內部引起的)》(IEC60749-31）第32部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第32部分：塑封器件的易燃性(外部引起的）》IEC60749-32)第36部分《半導體器件機械和氣候試驗方法第36部分：恒定加速度》IEC60749-36)GB/T4937的第2部分等同采用IEC60749-2：2002《半導體器件機械和氣候試驗方法：第2部分：低氣壓》英文版)。

GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002為便于使用，本部分做了下列編輯性修改：“）用小數點"."代替作為小數點的迎號","：b）刪除國際標準的前言。本部分代替GB/T4937—1995《半導體器件機械和氣候試驗方法》中第Ⅱ篇第3章低氣壓本部分與GB/T4937—1995第山篇第3章低氣壓的主要差異為：本部分規定了完整的低氣壓試驗方法.而GB/T4937—1995第Ⅱ篇第3章低氣壓是在引用GB2423.21《電工電子產品基本環境試驗規程試驗M:低氣壓試驗方法》的基礎上規定了半導體器件的特殊要求，本部分由中華人民共和國信息產業部提出。本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本部分起草單位：中國電子科技集團公司第十三研究所本部分主要起草人：崔波、陳海蓉。本部分第一次修訂。

GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002本試驗是模擬飛機或其他飛行器在高室飛行中所遇到的低氣壓條件來進行的。即使低氣壓不會使介質完全擊穿.但會增強電暈放電及其介質損耗和電離等有害影響。此項模擬高空條件的試驗還可以用來檢驗低氣壓下的其他效應(其中包括絕緣材料介電常數的變化和稀薄空氣使元器件散熱能力降低）對元器件工作特性的影響，

GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002半導體器件機械和氣候試驗方法第2部分：低氣壓1范圍本部分適用于半導體器件的低氣壓試驗。本項試驗的目的是測定元器件和材料避免電擊穿失效的能力.而這種失效是由于氣壓減小時.空氣和其他絕緣材料的絕緣強度減弱所造成的。本項試驗僅適用于工作電壓超過1000V的器件。本項試驗適用于所有的空封半導體器件。本試驗僅適用于軍事和空間領域。本項低氣壓試驗方法和IEC60068-2-13大體上一致,但鑒于半導體器件的特殊要求，使用本部分條款.2規范性引用文件下列文件中的條款通過GB/T4937的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內容)或修訂版均不適用于本部分,然而，鼓勵根據本部分達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本部分。IEC60068-2-13環境試驗第2部分：試驗M:低氣壓3武驗設備本試驗所需儀器設備包括一臺真空泵、一個合適的密封室(必要時.該密封室還應具備能觀察樣品的裝置)、一臺可用于測量密封室模擬高度的氣壓表和一只能在直流到30MHz內檢測電流的微安表或示波器。程序樣品應按規定放置在密封室內,并按規定把氣壓減小到表1中的某個試驗條件。把樣品保持在規定的氣壓下,對它們進行規定的試驗。在試驗期間及試驗前的20min內,試驗