標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 20516-2006 是一項中國國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《半導(dǎo)體器件 分立器件 第4部分：微波器件》。該標(biāo)準(zhǔn)主要針對半導(dǎo)體領(lǐng)域中的分立器件，特別是那些應(yīng)用于微波頻率范圍的器件，規(guī)定了此類器件的技術(shù)要求、測試方法以及質(zhì)量評定的相關(guān)準(zhǔn)則。

標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于工作在微波頻段的半導(dǎo)體分立器件，這些器件常用于雷達(dá)、通信、導(dǎo)航以及其它高頻電子系統(tǒng)中，對于器件的性能參數(shù)、可靠性及一致性提出了具體要求。

主要內(nèi)容概覽

  1. 術(shù)語和定義：首先明確了微波器件相關(guān)的專業(yè)術(shù)語和定義，確保行業(yè)內(nèi)溝通的一致性和準(zhǔn)確性。

  2. 分類與命名：根據(jù)器件的工作原理、結(jié)構(gòu)特點等，對微波器件進(jìn)行了分類，并規(guī)范了命名規(guī)則，便于識別和選用。

  3. 技術(shù)要求：詳細(xì)列出了微波器件應(yīng)滿足的各項技術(shù)指標(biāo)，包括但不限于工作頻率范圍、功率處理能力、增益、噪聲系數(shù)、穩(wěn)定性、以及在不同環(huán)境條件下的工作性能等。

  4. 測試方法：規(guī)定了如何對器件進(jìn)行測試以驗證其是否符合技術(shù)要求，包括測試環(huán)境、測試設(shè)備、測試步驟及數(shù)據(jù)處理方法等。確保測試結(jié)果的可重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

  5. 質(zhì)量評定規(guī)則：基于測試結(jié)果，確立了器件合格與否的評判標(biāo)準(zhǔn)，以及在批量生產(chǎn)中如何進(jìn)行質(zhì)量控制和抽樣檢驗的具體方法。

  6. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存：對產(chǎn)品的標(biāo)識信息、包裝要求、以及在運(yùn)輸和儲存過程中的保護(hù)措施給出了指導(dǎo)，以防止器件性能因外界因素受損。

重要性

此標(biāo)準(zhǔn)為微波器件的設(shè)計、生產(chǎn)和應(yīng)用提供了統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)框架，有助于提升產(chǎn)品質(zhì)量，促進(jìn)技術(shù)交流與貿(mào)易，同時也為用戶選擇合適的微波器件提供了依據(jù)，保障了微波系統(tǒng)的可靠運(yùn)行和性能優(yōu)化。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。

....

查看全部

  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2006-10-10 頒布
  • 2007-02-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 20516-2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件_第1頁
GB/T 20516-2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件_第2頁
GB/T 20516-2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件_第3頁
GB/T 20516-2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件_第4頁
GB/T 20516-2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件_第5頁
免費預(yù)覽已結(jié)束，剩余71頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 20516-2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS31.080.01L40中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T20516—2006/IEC60747-4:2001半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件Semiconductordevices-Discretedeyices-Part4:Microwavedevices（IEC60747-4:2001,IDT)2006-10-10發(fā)布2007-02-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001三次前言第I篇總則引言2范圍文字符號第Ⅱ篇變?nèi)荻O管、階躍二極管和快速開關(guān)肖特基二極管第1節(jié)變?nèi)荻O管概述2術(shù)語和文字符號基本額定值和特性3側(cè)試方法第2節(jié)階躍二極管和肖特基二極管221術(shù)語和文字符號……221基本額定值和特性22測試方法………4_23第加篇混頻二極管和檢波二極管第1節(jié)雷達(dá)用混頻二極管概述……………….282術(shù)語和文字符號·293基本額定值和特性·4_30第2節(jié)通信用混頻二極管概述……422術(shù)語和文字符號………42基本額定值和特性342測試方法…43第3節(jié)檢波二極管（在考患中）

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001第V篇雪崩二極管第1節(jié)雪崩二極管放大器1概述……442術(shù)語和文字符號…44基本額定值和特性·46第2節(jié)雪崩二極管振蕩器(在考慮中)第V篇體效應(yīng)二極管概述……….1482術(shù)語和文字符號·48基本額定值和特性·348測試方法…………448第篇雙極型晶體管(在考慮中）第山篇場效應(yīng)晶體管512術(shù)語和文字符號………3基本額定值和特性…53第加篇評價和可靠性特特殊要求電試驗條件·652接收試驗的判定失效的特性和失效判據(jù)……………可靠性試驗的判定失效的特性和失效判據(jù)3試驗出現(xiàn)差錯時的程序…......65表1666表2附錄NA(資料性附錄）本標(biāo)準(zhǔn)對IEC60747-4:2001所作的編輯性修改及其原因668

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001本標(biāo)準(zhǔn)是半導(dǎo)體器件分分立器件系列國家標(biāo)準(zhǔn)之一。下面列出本系列已出版的國家標(biāo)準(zhǔn),以及代替的國家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T4589.1-2004半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范(IEC60747-10:1991.IDT.代替GB/T4589.1-1989)半導(dǎo)體器件GB/T12560-1999分立器件分規(guī)范（idtIEC60747-11:1985,代替GB/T12560—1990)-GB/T17573-1998分分立器件和集成電路華導(dǎo)體器件第1部分：總則(idtIEC60747-1:1983)GB/T4023-1997華導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管（eqvIEC60747-2：1983）分立器件GB/T6571-1995半導(dǎo)體器件第第3部分：信號(包括開關(guān))和調(diào)整二極管(idtIEC60747-3：1985）GB/T20516-2006半導(dǎo)體器件：分立器件：第4部分：微波器件(idtIEC60747-4:2001）-GB/T15291一1994半導(dǎo)體器件第6部分：晶閘管（eqvIEC60747-6：1991)GB/T4587—1994半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第7部分：雙極型品體管（eqvIEC60747-7:1988.代替GB/T4587-1984和GB/T6801-1986）GB/T6217—1998半導(dǎo)體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型品體管空白詳細(xì)規(guī)范(eqvIEC60747-7-1:1989.代替GB/T6217—1986)GGB/T7577—1996低頻放大管殼額定的雙極型品體管空白詳細(xì)規(guī)范(eqvIEC60747-7-2:1989.代替GB/T7577-1987）-B/T6218—1996開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范（eqvIEC60747-7-3:1991,代替GB/T6216-1986)GB/T7576-1998半導(dǎo)體器件分分立器件第7部分：雙極型品體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型品體管空白詳細(xì)規(guī)范(eqvIEC60747-7-4:1991,代替GB/T7576—1987）-GB/T4586—1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)品體管(eqvIEC60747-8:GB/T6219—1998半導(dǎo)體器件第一篇分立器件第8部分：場效應(yīng)品體管1GH5W以下單柵場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范(eavIEC60747-8-1：1987.代替GB/T6219一1986）-GB/T15449—1995管殼額定開關(guān)用場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范(eqvIEC60747-8-3:1995)本標(biāo)準(zhǔn)等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-4:2001《半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件》1.2版（英文版）。本標(biāo)準(zhǔn)等同翻譯IEC60747-4:2001(英文版）由于IEC60747-4存在印刷錯誤和疏漏，本標(biāo)準(zhǔn)在采用該國際標(biāo)準(zhǔn)時進(jìn)行了編輯性修改，并在本標(biāo)準(zhǔn)附錄NA中給出了這些編輯性修改的一覽表.以供參考。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄NA為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：黃玉英、金鎮(zhèn)銓。

GB/T20516-2006/IEC60747-4:2001半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件第I篇總則1引育本標(biāo)準(zhǔn)通常需要與GB/T17573—1998一起使用,在GB/T17573—1998中可找到關(guān)于以下各方面的基礎(chǔ)資料：術(shù)語：文字符號：基本額定值和特性；測試方法；接收和可靠性本標(biāo)準(zhǔn)各章的編排順序符合GB/T17573—1998第Ⅱ篇2.1的規(guī)定2范圍本標(biāo)準(zhǔn)給出了以下門類分立器件的標(biāo)準(zhǔn)：-變?nèi)荻O管、階躍二極管和快速開關(guān)肖特基二極管(用于調(diào)譜、上變頻器或譜波倍頻器、開關(guān)、限幅器、移相器、參量放大器等)混頻二極管和檢波二極管雪崩二極管(用于譜波發(fā)生器、放大器等)體效應(yīng)二極管（用于振蕩器、放大器等)雙極型品體管(用于放大器、振蕩器等)場效應(yīng)晶體管（用于放大器、振蕩器等）3文字符號通常,在術(shù)語的標(biāo)題中加進(jìn)了文字符號。當(dāng)一個術(shù)語有幾個不同的文字符號時,只給出最通用的第工篇變?nèi)荻O管、階躍二極管和快速開關(guān)肖特基二極管第1節(jié)變?nèi)荻O管

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)文本僅供個人學(xué)習(xí)、研究之用，未經(jīng)授權(quán)，嚴(yán)禁復(fù)制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡(luò)傳播等，侵權(quán)必究。
  • 2. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)均為PDF格式電子版文本（可閱讀打印），因數(shù)字商品的特殊性，一經(jīng)售出，不提供退換貨服務(wù)。
  • 3. 標(biāo)準(zhǔn)文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質(zhì)量問題。

評論

0/150

提交評論