ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標準

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第22部分鍵合強度

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part22Bondstrenth

:g

(IEC60749-22:2002,IDT)

2018-09-17發布2019-01-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍和目的

1………………1

試驗說明

1.1……………1

試驗裝置適用于所有方法

1.2()………………………1

方法引線拉力單鍵合點和方法引線拉力雙鍵合點見附錄

2A:()B:()(A)…………1

范圍

2.1…………………1

試驗的一般描述

2.2……………………1

方法鍵合拉脫

3C:…………………………2

范圍

3.1…………………2

程序

3.2…………………2

施加的力

3.3……………2

失效判據

3.4……………2

失效類別

3.5……………2

方法鍵合剪切用于倒裝焊

4D:()…………3

范圍

4.1…………………3

程序

4.2…………………3

施加的力

4.3……………3

失效判據

4.4……………3

失效類別

4.5……………3

方法推開試驗和方法拉開試驗

5E:F:…………………3

范圍

5.1…………………3

方法程序

5.2E…………………………3

方法程序

5.3F…………………………4

方法和方法的失效判據

5.4EF………………………4

施加的力適用于方法和方法

5.5(EF)………………4

方法引線球剪切試驗

6G:…………………4

范圍

6.1…………………4

概述

6.2…………………4

術語和定義

6.3…………………………5

設備和材料

6.4…………………………7

程序

6.5…………………7

可接受的試驗極限值

6.6………………8

相關文件中規定以下細節

7………………10

附錄規范性附錄指南

A()………………12

Ⅰ

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

前言

半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強加速穩態濕熱試驗

———4:(HAST);

第部分穩態溫濕度偏置壽命試驗

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標志耐久性

———9:;

第部分機械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗

———24:(HSAT);

第部分溫度循環

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗機械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗帶電器件模型器件級

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅲ

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法

———37:;

第部分半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法

———38:;

第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量

———39:;

第部分采用張力儀的板級跌落試驗方法

———40:;

第部分非易失性存儲器件的可靠性試驗方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493722。

本部分按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分

IEC60749-22:2002《22:

鍵合強度

》。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所深圳市標準技術研究院

:、。

本部分主要起草人裴選彭浩高瑞鑫劉瑋高金環馬坤

:、、、、、。

Ⅳ

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第22部分鍵合強度

:

1范圍和目的

的本部分適用于半導體器件分立器件和集成電路

GB/T4937()。

本部分的目的是測量鍵合強度或確定鍵合強度是否滿足規定的要求

。

11試驗說明

.

規定了種試驗方法每種試驗方法目的不同分別如下

7,,:

方法和方法通過對內引線直接施加拉力來測試器件內部的鍵合強度

———AB:;

方法用于器件外部的鍵合在引線或引出端與布線板或基底之間施加拉脫應力

———C:,;

方法用于內部鍵合在芯片和基底之間或對類似的面鍵合結構施加剪切應力

———D:,;

方法和方法用于外部鍵合在芯片和基底之間施加推開應力或拉開應力

———EF:,;

方法用于測試引線鍵合抗剪切力的強度

———G:。

12試驗裝置適用于所有方法

.()

試驗裝置應包括按規定的試驗方法要求在鍵合點引線或引出端上施加規定應力的設備該設備

,、。

能對失效時施加的應力以為單位提供經過校準的測量和指示該設備測量以內的力包

(N)。100mN(

括應具有的精度測量到之間的力應具有的精度測量超

100mN)±2.5mN,100mN500mN±5mN,

過的力應具有指示值的的精度

500mN,±2.5%。

2方法A引線拉力單鍵合點和方法B引線拉力雙鍵合點見附錄A

:():()()

21范圍

.

本方法適用于采用錫焊熱壓焊超聲焊和其