犐犆犛３１．２００

犔５６

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１９４０３．１—２００３／犐犈犆６０７４８１１１：１９９２

犙犆７９０１０１

半導體器件集成電路第１１部分：

第１篇：半導體集成電路內部目檢

（不包括混合電路）

犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犱犲狏犻犮犲狊—犐狀狋犲犵狉犪狋犲犱犆犻狉犮狌犻狋狊—

犘犪狉狋１１：犛犲犮狋犻狅狀１：犐狀狋犲狉狀犪犾狏犻狊狌犪犾犲狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀

犳狅狉狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犻狀狋犲犵狉犪狋犲犱犮犻狉犮狌犻狋狊

（犲狓犮犾狌犱犻狀犵犺狔犫狉犻犱犮犻狉犮狌犻狋狊）

（ＩＥＣ６０７４８１１１：１９９２，ＩＤＴ）

２００３１１２４發布２００４０８０１實施

中華人民共和國發布

國家質量監督檢驗檢疫總局

書

犌犅／犜１９４０３．１—２００３／犐犈犆６０７４８１１１：１９９２

目次

前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅲ

１范圍和目的!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

２設備!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３程序!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０介紹!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０．１總則!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０．２檢驗順序!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０．３空氣潔凈度等級!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０．４檢驗控制!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

３．０．５放大倍率!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

３．０．６定義（僅為檢驗之目的）!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

３．０．７說明!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

３．１試驗條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

３．１．１金屬化層缺陷，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!４

３．１．２擴散和鈍化層缺陷，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

３．１．３劃片和芯片缺陷，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

３．１．４鍵合檢驗，低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

３．１．５內引線，低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!７

３．１．６封裝條件，低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!７

３．１．７玻璃鈍化層缺陷，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!７

３．１．８介質隔離，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!８

３．１．９膜電阻，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!８

３．１．１０激光修正的膜電阻器，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!８

３．２規定的條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!９

４圖!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!９

Ⅰ

書

犌犅／犜１９４０３．１—２００３／犐犈犆６０７４８１１１：１９９２

前言

本部分為ＧＢ／Ｔ１９４０３的一部分，等同采用國際電工委員會標準ＩＥＣ６０７４８１１１：１９９２《半導體器

件集成電路第１１部分：第１節：半導體集成電路內部目檢（不包括混合電路）》（英文版）。

由于ＩＥＣ６０７４８１１１標準原文中無圖１、圖２，為保證與國際標準的一致性，故本部分的圖例從圖３

開始。

本部分由中華人民共和國信息產業部提出。

本部分由全國集成電路標準化分技術委員會歸口。

本部分起草單位：信息產業部第四研究所。

本部分主要起草人：魏華、王靜

Ⅲ

犌犅／犜１９４０３．１—２００３／犐犈犆６０７４８１１１：１９９２

半導體器件集成電路第１１部分：

第１篇：半導體集成電路內部目檢

（不包括混合電路）

１范圍和目的

進行內部目檢的目的是檢驗集成電路的內部材料、結構和工藝，驗證與適用的規范要求的一致性。

通常應在封帽或密封之前對器件進行１００％內部目檢，以發現可能導致器件在正常使用時失效的

內部缺陷并剔除相應器件。本試驗也可按抽樣方式在封帽之前使用，以確定承制方對半導體器件質量

控制和操作程序的有效性。

２設備

試驗設備包括：具有規定的放大倍率的光學設備；必須的目檢判據（量規、圖紙、照片等）以保證檢驗

效果和使操作人員對被檢器件能否接收做出客觀判斷；為提高工作效率在檢查期間固定器件且不引起

器件損傷的合適夾具。

３程序

３．０介紹

３．０．１總則

在規定的放大倍率范圍內按適當的觀察順序檢驗器件，以確定器件是否與本部分和適用的規范的

要求相一致。本試驗方法的檢驗和判據適用于所有器件和工序。本試驗方法給出了預定用于具體器

件、工藝或技術的判據。

對于如金屬覆蓋層、氧化物和擴散缺陷等目檢較為困難的復雜器件的檢驗，可選擇替代篩選程序代

替目檢判據。這些可選擇替代的篩選方法和程序在詳細規范中規定。

要求適用于線寬在２μｍ以上的工藝技術。

３．０．２檢驗順序

本部分列出的檢驗順序不是要求的檢驗順序，制