ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T493730—2018/IEC60749-302011

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第30部分非密封表面安裝器件在

:

可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part30Preconditioninofnon-hermeticsurfacemountdevicesriorto

:gp

reliabilitytesting

(IEC60749-30:2011,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T493730—2018/IEC60749-302011

.:

前言

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法由以下幾部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標(biāo)志耐久性

———9:;

第部分機(jī)械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動(dòng)

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強(qiáng)度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標(biāo)志和運(yùn)輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強(qiáng)度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)機(jī)械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)帶電器件模型器件級

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗(yàn)

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學(xué)掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493730—2018/IEC60749-302011

.:

第部分采用加速度計(jì)的板級跌落試驗(yàn)方法

———37:;

第部分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法

———38:;

第部分半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測量

———39:;

第部分采用張力儀的板級跌落試驗(yàn)方法

———40:;

第部分非易失性存儲(chǔ)器件的可靠性試驗(yàn)方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導(dǎo)體器件的中子束輻照單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493730。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分

IEC60749-30:2011《30:

非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

》。

與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應(yīng)關(guān)系的我國文件如下

:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———GB/T4937.4—20124:

(IEC60749-4:2002,IDT)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所深圳市標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院

:、。

本部分主要起草人裴選彭浩高瑞鑫高金環(huán)劉瑋

:、、、、。

Ⅱ

GB/T493730—2018/IEC60749-302011

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第30部分非密封表面安裝器件在

:

可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

1范圍

的本部分規(guī)定了非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前預(yù)處理的標(biāo)準(zhǔn)程序

GB/T4937(SMDs)。

本部分規(guī)定了的預(yù)處理流程

SMDs。

在進(jìn)行規(guī)定的室內(nèi)可靠性試驗(yàn)鑒定可靠性監(jiān)測前需按本部分所規(guī)定的流程進(jìn)行適當(dāng)?shù)?/p>

SMDs(/),

預(yù)處理以評估器件的長期可靠性受焊接應(yīng)力的影響

,()。

注和本部分中的潮濕誘導(dǎo)應(yīng)力敏感度條件或潮濕敏感度等級與實(shí)際使用的再流焊條件

:GB/T4937.20[(MSL)]

之間的關(guān)系依賴于半導(dǎo)體器件承制方的溫度測量因此建議在裝配過程中實(shí)時(shí)監(jiān)控溫度最高的潮濕敏感

。,,

封裝頂面的溫度以確保其溫度不超過元件評估溫度

SMD,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分塑封表面安裝器件耐潮

GB/T4937.20—201820:

濕和焊接熱綜合影響

(IEC60749-20:2008,IDT)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

IEC60749-44:(HAST)

[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part4:Dampheat,steadystate,

highlyacceleratedstresstest(HAST)]

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)

IEC60749-55:(Semi-

conductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part5:Steady-statetemperaturehumidity

biaslifetest)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分快速溫度變化雙液槽法

IEC60749-1111:(Semi-

conductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part11:Rapidchangeoftemperature—

Two-fluid-bathmethod)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試

IEC607