用GaN基高效率藍(lán)綠光LED制作的超大屏全色顯示，可用于室內(nèi)室外多個(gè)場合的LED10可比白熾燈節(jié)電5~10倍，達(dá)成節(jié)省資源、減少環(huán)境污染的雙重目的。GaN基LED的成本報(bào)告針對(duì)氮化鎵材料有關(guān)專利進(jìn)行檢索和分析，并結(jié)合有關(guān)報(bào)道分析技術(shù)發(fā)呈現(xiàn)狀，通過對(duì)氮化鎵領(lǐng)域的專利分析揭示該領(lǐng)域現(xiàn)在的專利活動(dòng)特點(diǎn)，為科技決策和課題研DeretInnovtionIndex23460（msonDaanyer（msonInnvatin）Innogrphy。是，由于受到?jīng)]有適宜的單晶襯底材料、位錯(cuò)密度較大、n型本底濃度太高和無法實(shí)現(xiàn)p直到1989年，松下電器公司東京研究所的赤崎勇和弟子天野浩在全球初次實(shí)現(xiàn)了藍(lán)光LED；1993年，日本日亞化學(xué)工業(yè)公司（Nichia）的中村修二克服了兩個(gè)重大材料GaNGaN長和器件工藝水平的不停發(fā)展和完善，GaN（，但開始，專展。由此來看，GaN材料在將來幾年內(nèi)可能又會(huì)形成一次研究熱潮。GaN2090GaNGaNGaN5GaN材料的大部分專利掌握在四個(gè)國家手中，其專利數(shù)量占據(jù)了全球?qū)＠偭康模?8%（21%（16%（15%9449WO%（美國專利總量5304（3864基于德溫特手工代碼（ManualCode，MC）的統(tǒng)計(jì)，對(duì)氮化鎵專利涉及的器件類根據(jù)對(duì)MC的統(tǒng)計(jì)，氮化鎵專利涉及到的器件類型重要有發(fā)光二極管（lightdiodesLEDtransistorsFETdiodes，LDFET：：IGFET、HEMT、MOSFET、bipolartransistor、JFET、MISFET、IGBT半導(dǎo)體器件加工方面涉及的重要技術(shù)有：電極、沉積辦法、介電層、外延生長、刻蝕、摻雜、歐姆接觸、封裝、退火等。其中沉積辦法重要是化學(xué)氣相沉積（ChemiclrDeposiCVCVD實(shí)現(xiàn)的重要方法是在半導(dǎo)體表面層進(jìn)行高摻雜或者引入大量復(fù)合中心，所用辦法重要是離子注入。2LED、FET、LD、太陽能電池、功率器件等方面，LEDFET氣相外延。根據(jù)上文對(duì)德溫特手工代碼的分析，結(jié)合TI專利地圖以及有關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道，氮化鎵核心技術(shù)重要涉及外延生長、p型摻雜、歐姆接觸、刻蝕工藝等方面。InnographyTOP108LED9GaN1511松下、三菱、夏普、東芝、豐田、索尼、富士通、日立、日亞化學(xué)、羅姆；韓國共2家，分別是三星和LG；中國的中科院（第6位）和美國的加州大學(xué)（第15位）也進(jìn)入前15位。除中國和美國的專利權(quán)人為科研院所/高校外，其它TOP15的專利權(quán)人均為公司，基本是全球出名的電器及電子公司或大型公司集團(tuán)。TOP15的機(jī)構(gòu)均保持了較為活躍的研發(fā)狀態(tài)，其中中科院、三菱、富士通、加州大學(xué)、東芝、LGTOP30臺(tái)灣地區(qū)的臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院分別與日本昭和、美國科銳以及臺(tái)灣Epistar有不同程度LEDLDLGTOP10的涉及年份來看，中科院、北京大學(xué)、南京大學(xué)進(jìn)入該領(lǐng)域的時(shí)間較早（上世紀(jì)90年代偏重，西安電子科技大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所重要研究領(lǐng)域?yàn)镕ET，其它8家機(jī)構(gòu)則偏重LED的研究。28究所的實(shí)力最為