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復旦大學2016級工碩黃景豐14號天線效應、匹配版圖總結2017/5/211天線效應當用等離子刻蝕方法制作與晶體管柵極相連的金屬線時，有可能使金屬線充電至一個足以使薄柵氧擊穿的高電壓。這稱為等離子引起柵氧破壞，或簡稱為天線效應。1）跳線法。向上跳線，向下跳線。

跳線即斷開存在天線效應的金屬層，通過通孔連接到其它層，最后再回到當前層。增加了通孔，通孔的電阻很大，直接影響到芯片的時序和串擾問題。向上跳線法用的較多，當前金屬層對柵極的天線效應時，上一層金屬還不存在

天線效應但當最高層出現(xiàn)天線效應時？2）“天線”加上反偏二極管。給直接連接到柵的存在天線效應的金屬層接上反偏二極管，形成一個電荷泄放回路。金屬層位置有足夠空間時，可直接加上二極管，通過通孔將金屬線延伸到附近有足夠空間的地方，插入二極管。3）給所有器件的輸入端口都加上保護二極管。能保證完全消除天線效應，會在沒有天線效應的金屬布線上浪費很多不必要的資源，使芯片的面積增大數(shù)倍，這是VLSI設計

不允許出現(xiàn)的。不合理，也是不可取的。4）對于上述方法都不能消除的，可通過插入緩沖器，切斷長線來消除天線效應。

怎樣做好匹配1、電流成比例的MOS管，應使電流方向一致，版圖中晶體管方向相同。沿不同晶向制作的管子的遷移率不同，這就影響管子跨導的匹配度2、MOS管的匹配度與有源區(qū)面積（s=w*l）成反比關系（不要完全相信model）怎樣做好匹配3、配置dummy器件，使版圖周圍環(huán)境一致，采用交叉對稱的結構比較好，結構更加對稱。周邊環(huán)境不同，刻蝕率不同、各種效應如shadoweffect等。電阻MOS管怎樣做好匹配4，兩個電路失效實例

MOS管周圍環(huán)境不一致，由工藝

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