標準解讀

《GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法》相較于《GB 6617-1986》進行了多方面的更新與改進。首先，在標準的適用范圍上，《GB/T 6617-1995》更加明確地定義了本方法適用于單晶硅和多晶硅材料，以及這些材料制成的器件或結構件表面局部區域電阻率的測量。其次，新版本對試驗原理進行了更為詳細的闡述，包括擴展電阻探針技術的基本理論及其應用條件等信息。

在設備要求方面，《GB/T 6617-1995》增加了對于測試系統準確度的要求，并且規定了探針間距、壓力控制等參數的具體數值。此外，還新增加了關于樣品準備的內容，比如如何清洗樣品表面以確保測試結果的準確性。同時，該標準也詳細描述了整個實驗過程中的步驟，包括但不限于樣品固定方式、探針接觸點的選擇原則等，使得操作流程更加規范統一。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 6617-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
?正版授權
GB/T 6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法_第1頁
GB/T 6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法_第2頁
GB/T 6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法_第3頁
免費預覽已結束，剩余5頁可下載查看

下載本文檔

GB/T 6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法-免費下載試讀頁

文檔簡介

UDC669.782-415：317.33：21中華人民共和國國家標準GB/T6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法Testmethodformeasuringresistivityofsiliconwafersusingspreadingresistanceprobe1995-04-18發布1995-12-01實施國家技術監督局發布

(京)新受字023號中華人民共和國國國家標準硅片電阻率測定擴展電阻探針法GB/T6617-1995中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：1(0045電話：63787337、637874471995年11月第一版22005年1月電子版制作書號：155066·1-11907版權專有侵權必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準CB/T6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法Testmethodformeasuringresistivityofsilicon代替6617-86wafersusingspreadingresistanceprobe1主題內客與適用范圖本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。本標準適用于測量品體取向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量與襯底同型或反型的硅外延層的電阻率。測量范圍：10-～10”·cm.2引用標準GB1550硅單晶導電類型測定方法GB/T1552硅、鋪單品電阻率直排四探針測量方法GB1555硅單晶晶向光圖測量方法GB1556硅單晶晶向X光衍射測量方法GB/T14847重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法YS/T15硅外延層和擴散層厚度測定磨角染色法3方法提要擴展電阻法是一種實驗比較法。該方法是先測量重復形成的點接觸的擴展電阻，再用校準曲線來確定被測試樣在探針接觸點附近的電阻率。擴展電阻R.是導電金屬探針與硅片上一個參考點之間的電勢降與流過探針的電流之比。瀏量裝量4.1機械裝置4.1.1探針架：可采用單探針、兩探針和三探針結構。探針架用作支承探針，使其以重復的速度和預定的壓力將探針尖下降至試樣表面，并可調節探針的接觸點位置。4.1.2探針尖采用堅硬耐磨的良好導電材料如鎖、碳化鴿或鴿-釘合金等制成。針尖曲率半徑不大于25Pm,夾角為30°～60°。針距為15～1000rm.4.1.3樣品臺：絕緣真空吸盤或其他能將硅片固定的裝置，能在互相垂直的兩個方向上實現5~500km步距的位移。4.1.4絕緣性，探針之間及任一探針與機座之間的直流絕緣電阻大于1GQ4.2電學測量裝置可采用恒壓法

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用，未經授權，嚴禁復制、發行、匯編、翻譯或網絡傳播等，侵權必究。
  • 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本（可閱讀打印），因數字商品的特殊性，一經售出，不提供退換貨服務。
  • 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質量問題。

評論

0/150

提交評論