ICS29.045H82中華人民共和國國家標準CB/T12962－1996硅單晶Monocrystallinesilicon1996-11-04發布1997-04-01實施國家技術監督局發布

GB/T12962-1996本標準參照國外有關標準，結合我國硅材料的使用情況，對GB12962—91進行修訂而成的。。修訂時保留了原標準中符合我國實際的內容。修訂后的本標準,刪去了原標準中直拉硅單品直徑為38mm、80mm、90mm規格，增加了直徑125mm、150mm規格;對硅單品的旋渦缺陷密度和微缺陷密度指標改為由供需雙方商定;對徑向電阻率變化指標，增加了距邊緣6mm測點(見GB11073的B方案)計算;對區熔硅單晶和中子嬉變摻雜硅單晶的徑向電阻率變化指標，改為按GB11073的C方案或B方案測量和計算。中子姬變摻雜硅單晶增加了微區電阻率條紋內容。與本標準配套的標準有：GB/T12964硅單晶拋光片GB/T12965硅單晶切割片和研磨片本標準從1997年4月1日起實施。本標準從生效之日起，代替GB12962-91。本標準由中國有色金屬工業總公司提出。本標準由中國有色金屬工業總公司標準計量研究所歸口。本標準起草單位：峨眉半導體材料廠和中國有色金屬工業總公司標準計量研究所.本標準主要起草人：王鴻高、劉文魁、尹建華、吳福立。本標準首次發布日期：1991年6月。

中華人民共和國國家標準晶硅GB/T12962-1996Monocrystallinesilicon代替GB12962-911范園本標準規定了硅單品的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、財存。本標準適用于用直拉法、懸浮區熔法(包括中子嫂變摻雜)制備的硅單品。產品主要供制作半導體元器件使用。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時,所示版本均為有效，所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。GB/T1550硅單晶導電類型測定方法GB/T1551—1995硅、錯單晶電阻率測定直流兩探針法GB/T1552—1995硅、錯單晶電阻率測定直排四探針法GB/T1553硅單晶壽命直流光電導衰退測量方法GB/T1554一1995硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法GB1555—79硅單晶晶向光圖測量方法GB1556—79硅單晶晶向X光衍射測量方法GB1557—89硅晶體中間隙氧含量紅外吸收測量方法GB1558-83測定硅晶體中代位碳含量的紅外吸收方法GB/T4058—1995硅拋光片氧化誘生缺陷檢驗方法GB/T6617—1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法GB11073—89硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12964—1996硅單晶拋光片GB/T14844-93半導體材料牌號表示法3.產品分類3.1分類產品按硅單晶的生產工藝方法分為直拉、懸浮區熔和中子嬉變摻雜(NTD)3種硅單