標準解讀

《GA/T 1651-2019法庭科學 真空鍍膜顯現手印技術規范》是一項由中國公安部發布的技術標準，旨在為法庭科學領域中利用真空鍍膜技術來顯現和提升手印證據的質量與可識別性提供一套統一的操作指導和質量控制要求。該標準詳細闡述了從預處理、鍍膜過程到后期分析的全鏈條技術細節和評價方法，以確保手印證據的可靠性和法庭接受度。以下是該標準的主要內容概覽：

  1. 范圍：明確了本標準適用于利用真空鍍膜技術在多種承痕客體上顯現潛在手印的過程，包括但不限于紙質、塑料、金屬及玻璃表面。

  2. 術語和定義：界定了與真空鍍膜顯現手印相關的專業術語，如“真空鍍膜”、“濺射”、“手印顯現率”等，以便于讀者準確理解標準內容。

  3. 基本原則：概述了進行真空鍍膜顯現手印時應遵循的基本原則，強調保護證據完整性、最小干預及可追溯性的重要性。

  4. 設備與材料要求：詳細描述了進行真空鍍膜顯現所需設備（如真空鍍膜機、真空泵等）及耗材（如金屬靶材、襯底材料）的具體技術規格和質量標準。

  5. 預處理方法：介紹了手印承痕客體在鍍膜前的清潔、干燥及其它必要預處理步驟，以提高手印顯現效果和減少污染風險。

  6. 真空鍍膜操作規程：詳細說明了真空鍍膜的全過程操作流程，包括真空室的準備、抽真空、選擇合適的金屬靶材、控制鍍膜參數（如沉積速率、鍍膜厚度）、以及鍍膜后的緩慢泄壓等關鍵環節。

  7. 質量控制與評估：提供了手印顯現質量的評估指標和方法，如顯影后手印的對比度、清晰度、完整性的評價標準，以及如何通過顯微鏡或圖像處理技術進行客觀分析。

  8. 安全與環保要求：強調了操作過程中對人員的安全防護措施及廢棄物處理的環保要求，確保操作符合國家相關安全環保法規。

  9. 記錄與報告：規定了操作記錄的詳細內容和格式，以及最終報告需包含的信息，如案件基本信息、采用的設備與材料、操作步驟、顯現結果分析等，以保證工作的可追溯性和透明度。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2019-10-14 頒布
  • 2019-12-01 實施
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文檔簡介

ICS13310

A92.

中華人民共和國公共安全行業標準

GA/T1651—2019

法庭科學真空鍍膜顯現手印技術規范

Forensicsciences—Technicalspecificationsforfingerprintdevelopment

byvacuumdepositionsystem

2019-10-14發布2019-12-01實施

中華人民共和國公安部發布

中華人民共和國公共安全

行業標準

法庭科學真空鍍膜顯現手印技術規范

GA/T1651—2019

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20205

*

書號

:155066·2-35136

版權專有侵權必究

GA/T1651—2019

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國刑事技術標準化技術委員會指紋檢驗分技術委員會提出并

(SAC/TC179/SC3)

歸口

。

本標準起草單位上海市公安局物證鑒定中心公安部物證鑒定中心

:、。

本標準主要起草人張偉方孫勝軍劉寰梁彥林曲會英李孝君薛靜

:、、、、、、。

Ⅰ

GA/T1651—2019

法庭科學真空鍍膜顯現手印技術規范

1范圍

本標準規定了真空鍍膜顯現手印技術的原理設備鍍膜材料及實驗室環境要求顯現準備操作步

、、、、

驟及注意事項等

。

本標準適用于顯現大多數非滲透性及部分半滲透滲透性客體表面潛在手印包括部分膠熏

、,“502”

顯后的客體等

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

法庭科學指紋專業名詞術語

GA/T144

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GA/T144。

31

.

鍍膜真空度degreeofdepositionvacuum

鍍膜顯現手印時顯現容器內所需達到的真空度

,。

32

.

鍍膜deposition

在客體表面鍍上介質薄膜的工藝

。

33

.

蒸發源meltingpot

將鍍膜材料蒸發成氣體的高溫加熱裝置

。

34

.

顯現角度developmentangle

所顯客體手印遺留面與水平方向的夾角

。

35

.

顯現距離developmentdistance

所顯客體手印遺留部位與蒸發源的距離

。

36

.

蒸發時間meltingtime

鍍膜材料受熱揮發的時間

。

3

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