NuclearMagneticResonanceSpectroscopy,NMR第三章核磁共振波譜法內容第一節核磁共振基礎知識第二節氫核磁共振（1H-NMR）第三節譜圖解析與結構確定第四節碳核磁共振（13C-NMR）學習重點1.了解核磁共振的產生條件；2.掌握化學位移的產生原因及影響因素；3.理解自旋耦合裂分對共振吸收的影響規律；4.1H譜和13C譜的區別；5.能夠用1H譜、13C譜正確解析一般化合物的結構;一、概述1924年，Pauli預言了核磁共振的基本理論：有些核同時具有自旋和磁量子數，這些核在磁場中會發生能級分裂。1946年，Bloch首次發現并證實核磁共振現象：磁性原子核在強磁場中選擇性地吸收了特定的射頻能量，發生核能級躍遷。若將磁性核對射頻能量的吸收產生的共振信號與射頻頻率對應記錄下來，即得到核磁共振波譜。利用核磁共振波譜進行結構測定、定性及定量分析的方法稱為核磁共振波譜法。NMR是研究具有磁性質的原子核對射頻輻射吸收的方法其中1-5m波長的電磁波照射放入磁場中的原子核，使它吸收能量發生核能級的躍遷，同時產生核磁共振信號，得到核磁共振譜NMR與IR、UV-Vis的區別：相似點：區別：NMR是磁性質的原子核能級躍遷(自旋取向改變，即發生共振)，而不是電子躍遷，在外加磁場作用下才發生都涉及能量的吸收(屬于吸收光譜法)和兩能級間的躍遷吸收的能量大小和躍遷類型不同“核”、“磁”、“共振”二、核磁共振現象的產生1.原子核的自旋運動：原子核的自旋：自旋量子數：(atomicnuclearspin)原子核圍繞某個軸作自旋運動自旋角動量(1)I=0，無磁矩，無自旋現象，稱為非磁性核，觀察不到NMR;(2)I≠0，有磁矩，稱為磁性核，有NMR現象。I值可取整數或半整數。各種核的自旋量子數及核磁性

重點介紹1H核和13C核的共振吸收譜其中，I=1/2的核，核電荷均勻分布于球形表面，其核磁共振譜線窄，最適宜檢測。m=1/2m=-1/2m=1m=-1m=0m=2m=1m=0m=-1m=-2I=1/2I=1I=2zzz兩種取向的氫核之間的能級差：E=

2H0

（磁矩）核自旋能級分布：在一定溫度且無外加射頻輻射條件下，原子核處在高、低能級的數目達到熱力學平衡，原子核在兩種能級上的分布應滿足Boltzmann分布：（3）核自旋能級分布兩能級上核數目差：1.610-5；磁場強度2.35T；25C；1H的共振頻率與分配比：核磁共振信號

在一定條件下，低能態的核能吸收外部能量從低能態躍遷到高能態，并給出相應的信號即核磁共振信號。（4）飽和與馳豫飽和(saturated)——低能態的核數目等于高能態的核數目低能態的核吸收能量自低能態躍遷到高能態，能量將不再吸收。與此相應，作為核磁共振的信號也將逐漸減退，直至完全消失。此種狀態稱作“飽和”狀態。

弛豫(relaxation)——高能態的核以非輻射的方式回到低能態縱向弛豫也稱自旋-晶格弛豫處在高能級的核將能量以熱能形式轉移給周圍分子骨架（晶格）中的其它核，而回到低能級，這種釋放能量的方式稱為縱向弛豫。

周圍的粒子，對固體樣品是指晶格，對液體樣品指周圍的同類分子或溶劑分子。橫向弛豫也稱自旋-自旋弛豫自旋核之間進行內部的能量交換，高能態的核將能量轉移給低能級的核，使它變成高能態而自身返回低能態，這種釋放能量的方式稱為橫向弛豫。(5)核的進動與拉莫爾頻率：由于自旋軸與外磁場方向（H0）成一定角度，自旋核就會受到外磁場的作用，企圖使它的自旋軸與H0方向完全平行。也就是說自旋核受到一定的扭力，扭力與自旋軸垂直方向的分量有使這個夾角度減少的趨勢。但實際上夾角并不減少，而是自旋軸圍繞磁場方向發生回旋，回旋軸與磁場方向一致或逆向。三、產生核磁共振的必要條件在外加靜磁場中，核從低能級向高能級躍遷時需要吸收一定的能量。通常這個能量可由照射體系的電磁輻射來供給。對處于進動中的核，只有當照射用電磁輻射的頻率與自旋核的進動頻率相等時，能量才能有效地從電磁輻射向核轉移，使核由低能級躍遷到高能級，實現核磁共振。三、產生核磁共振的必要條件躍遷能量：E=

2H0電磁輻射的能量：

Eˊ

=h

吸收躍遷核磁共振核磁共振所需輻射頻率：=（2μ/h）H0或H0=（h/2μ

）掃頻：固定外加磁場強度H0，通過逐漸改變電磁輻射頻率來檢測共振信號。掃場：固定電磁輻射頻率，通過逐漸改變磁場強度來檢測共振信號。核磁共振所需輻射頻率：=（2μ/h）H0或H0=（h/2μ

）實現核磁共振的兩種方法：不同原子核，核磁距不同，即使置于同一強度的外加磁場中，發生共振時所需要的輻射頻率也不相同。三、產生核磁共振的必要條件四、屏蔽效應及其影響下的核的能級躍遷核外電子在與外加磁場垂直的平面上繞核旋轉同時將產生一個與外加磁場相對抗的第二磁場。結果對氫核來說，等于增加了一個免受外加磁場影響的防御措施。這種作用叫做電子的屏蔽效應。以氫核為例，實受磁場強度：HN=H0(1-σ)σ為屏蔽常數，表示電子屏蔽效應的大小。其數值取決于核外電子云密度屏蔽效應越強，核躍遷能越小2μH0(1-σ)=h或H0=h

/2μ(1-σ)四、屏蔽效應及其影響下的核的能級躍遷第二節

氫核磁共振一、化學位移二、化學位移的影響因素三、化學位移與官能團類型四、氫核磁共振譜

在有機化合物中，各種氫核周圍的電子云密度不同（結構中不同位置）共振頻率有差異，共振峰將出現在不同區域。這種由于分子中各組質子所處的化學環境不同，而在不同的磁場產生共振吸收的現象稱為化學位移。一、化學位移1.化學位移的產生2.化學位移的表示方法測定相對的頻率變化值來表示化學位移，以δ表示：最常用的參比物：四甲基硅烷Si(CH3)4

(Tetramethylsilane，TMS)單位：ppm(百萬分之一)（內標）位移常數：TMS=0為什么用TMS作為基準?

1).12個氫處于完全相同的化學環境，只產生一個尖峰；

2).屏蔽強烈，位移最大。與有機化合物中的質子峰不重迭；

3).化學惰性；易溶于有機溶劑；沸點低，易回收。Si(CH3)4規定TMS=0，其他種類氫核的位移為負值，負號不寫。大，屏蔽弱，共振需要的磁場強度小，在低場出現(圖左側)；

小，屏蔽強，共振需要的磁場強度大，在高場出現(圖右側)；

下為1,2,2-三氯丙烷60MHz的NMR圖，試計算每個峰的化學位移值

下為1,2,2-三氯丙烷90MHz的NMR圖，試計算每個峰的化學位移值

（1）電負性

隨著相連基團電負性的增加氫核外圍電子云密度不斷降低，故化學位移值（d）不斷增大

化合物氫核的化學位移(CH3)4Si0.00(CH3)3-Si(CD2)2CO2－Na+0.00CH3I2.2CH3Br2.6CH3Cl3.1CH3F4.3CH3NO24.3CH2Cl25.5CHCl37.33.影響化學位移的因素3.影響化學位移的因素與質子相連元素的電負性↗，吸電子作用↗，價電子偏離原子核，屏蔽作用↘，信號峰在低場出現，↗。-CH3，=1.6~2.0，高場-CH2I，=3.0~3.5,低場-O-H，-C-H，大小低場高場（1）電負性

具有多重鍵或共軛多重鍵分子，在外磁場作用下，電子沿分子某一方向流動，產生感應磁場。此感應磁場與外加磁場方向在環內相反（抗磁），在環外相同（順磁），即對分子各部位的磁屏蔽不相同。分子中處于某一化學鍵的不同空間位置的氫核，受到不同的屏蔽作用，這種現象稱為化學鍵的磁各向異性效應。(2)磁各向異性效應(magneticanisotropiceffect)

雙鍵化合物電子產生誘導磁場，質子位于其磁力線上，與外磁場方向一致，去屏蔽δ=4.5～5.7ppmB0

苯環上的電子產生較強的誘導磁場，苯環平面上下方：

屏蔽，化學位移值小；苯環側面：

去屏蔽，化學位移值移向低場！ (δ=7.25)

炔鍵電子圍繞鍵軸呈對稱圓筒狀分布，在外磁場作用下，環形電子迫使鍵軸順外磁場排列，π電子的環電子流感應出的磁力線與外磁場相反，質子位于屏蔽區δ=2.0～3.0ppm單鍵的磁各向異性

甲基

亞甲基

次甲基d0.85～0.95

d1.20～1.40

d1.40～1.65環己烷構象中平伏鍵受到的負屏蔽效應Ha比Hb的化學位移數值稍大，處于低場。(3)氫鍵效應形成氫鍵后1H核周圍的電子云密度降低，屏蔽作用減弱，共振信號移向低場，δ值增大——去屏蔽效應共振峰的峰位取決于氫鍵締合的程度，即樣品濃度：樣品濃度↗，δ↗。樣品用非極性溶劑稀釋，共振峰將向高磁場方向位移，δ↘ ——溶劑效應分子內氫鍵分子間氫鍵有機化合物中各類質子的化學位移：1.烷烴質子峰的位置受取代基的影響較大

-CH30.87、–CH21.20、–CH

1.55(甲基、亞甲基、次甲基)–CH2Cl3.7–CH2Br3.5–CH2I3.2–OCH33.8-ArCH32.3-C=OCH32.31H-NMR化學位移總結：2.烯烴5.283.炔烴2.84.芳環ArH7.275.醛基氫9.76.–COOH117.ROH58.ArOH7活潑氫此類H核的δ值受外界條件的影響，變化較大，且與溶劑質子間存在快速質子交換化合物類型δ(ppm)化合物類型δ(ppm)R-OH0.5~5.5RNH20.4~3.5Ar-OH4~8ArNH22.9~4.8酚(內氫鍵)10.5~16伯酰胺5~7烯醇15~19仲酰胺6~8羧酸10~13磺酸11~12四、氫核磁共振譜乙醚核磁共振波譜圖積分線1、峰面積與氫核數目每一組峰的強度(面積)，與質子的數目成正比；各個階梯的高度比表示不同化學位移的質子數之比。1、峰面積與氫核數目例3.3對二甲苯（C8H10)的H-NMR譜，試問圖上各組峰分別包含幾個氫核？從質子共振譜圖中，可以獲得如下信息：(1)吸收峰組數：說明分子中化學環境不同的質子有幾組；(2)質子的化學位移值δ：說明分子中的基團情況；(3)峰分裂個數和耦合常數（分裂峰之間的距離）：說明基團之間的連接關系；(4)階梯式積分曲線高度:

說明基團的質子比。2、自旋耦合與自旋裂分

每類氫核不總表現為單峰，有時多重峰。原因：相鄰兩個氫核之間的自旋耦合（自旋干擾）；相鄰兩個氫核之間的相互干擾——自旋耦合由自旋耦合產生的多重譜峰現象——自旋裂分(1)裂分的原因相鄰的兩組磁性核之間的自旋偶合（spin-spin-coupling)或自選干擾（spin-spininteraction)以FH為例(1)裂分的原因說明1.19F和相鄰的1H相互干擾，但無19F信號。2.偶合常數J的單位為Hz,而化學位移的單位為ppm。如何從圖中查到偶合常數J3.對相鄰氫核有自旋偶合干擾作用的原子核（1）I=0（2）I≠035Cl、79Br、127I電四極矩大（3）I=1/213C、17O自然界豐度小（4）有偶合無裂分的核（磁全同核）(2).化學等價和磁等價1）化學等價2）磁等價分子中兩個相同的原子或基團處于相同的化學環境時稱化學等價。化學等價的質子化學位移必然相同如果兩個原子核不僅化學位移相同（即化學等價），而且還以相同的耦合常數與分子中的其他核耦合，則這兩個原子核就是磁等價核。

Ha與Hb磁等價

(JHaHc=JHbHc)HaHa’;

HbHb’

化學等價雙鍵同碳上質子磁不等價與手性碳原子連接的-CH2-上兩個質子磁不等價化學等價的核不一定是磁等價而磁等價的核一定化學等價磁不等價說明：偶合裂分是通過鍵合電子傳遞實現的。超過三根單鍵可忽略。

HClHHCCCClHaClHb

(3)、共振峰裂分規則三種情況，面積比1：2：1(4).耦合裂分規律①裂分峰數目由相鄰耦合氫核數目n決定，即遵循n+1重峰規律。當一組等價質子與另一組數目為n的等價質子相鄰時，該質子的信號發生(n+1)重裂分；②一個(組)質子與相鄰碳上的兩組質子(分別為n個和n'個質子)耦合，如果該兩組碳上的質子性質類似，則將產生(n+n'+1)重峰，如果性質不類似，則將產生(n+1)(n'+1)重峰;如，CH3CH2CH3；CH3CH2CH2NO2。七重峰十二重峰③裂分峰之間的峰面積（或強度）之比符合二項式(a+b)n展開后各項系數之比；n數二項式展開式系數峰形

01單峰

1 11二重峰

2 121 三重峰

31331 四重峰

414641五重峰

515101051六重峰61615201561七重峰④一組多重峰的中點，就是該質子的化學位移值⑤磁等價核之間雖有偶合作用，但無裂分現象。如ClCH2CH2Cl中的氫核皆是磁等價核，只有單重峰。只有磁不等價核發生耦合時，才產生峰的分裂。

例3.4在CH3CH2CL中，試求CH3、CH2吸收峰精細結構上的小峰數及面積比。例3.5在CL2CHCH2CL中，試求CH3、CH2吸收峰精細結構上的小峰數及面積比。(5).耦合常數與分子結構的關系

相互耦合的兩組質子,彼此間作用相同,其耦合常數相同耦合常數J與兩個核在分子中相隔的化學鍵的數目和種類有關，而與外加磁場無關。它是NMR

譜圖分析的參數之一。

1)同碳耦合

(2JH-C-H)同一碳原子上的化學環境不同的兩個氫的耦合。2J或J同

10~16Hz多數情況下，同碳質子為磁全同核，峰不分裂。耦合常數與分子結構的關系：

2)鄰碳耦合

(3JH-C-C-H)兩個相鄰碳上的質子間的耦合。3JH-C-C-H同種相鄰氫不發生耦合（一個單峰）核磁共振氫譜中最主要的偶合方式J反烯＞J順烯≈J炔＞

J烷CH3-CH36~8HzCH2=CH2順6~12Hz,反12~18HzCH≡CH9.6Hz相隔4個或4個以上s鍵的質子耦合。很弱，一般觀察不到(J值趨于零)。

3)遠程耦合(≥4J)耦合常數的大小,表示耦合作用的強弱.它與兩個作用核之間的相對位置、核上的電荷密度、鍵角、原子序數以及核的磁旋比等因素有關。若中間插入p鍵，可觀察到耦合作用。同碳偶合（偕偶geminalcoupling)鄰碳偶合(vicinalcoupling)遠程偶合(longrangecoupling)幾個（組）相互干擾的氫核可以構成一個耦合系統，自旋干擾作用的強弱與相互耦合的氫核之間的化學位移差距有關。若系統中兩個（組）相互干擾的氫核化學位移差距△v比耦合常數大得多，即△v/J＞6，干擾作用較弱，為低級耦合；若△v≈J或△v＜J時，則干擾作用較強，為高級耦合.（6）低級偶合和高級偶合裂分低級耦合系統因耦合干擾作用較弱，故裂分圖形比較簡單分裂的峰數目符合n+1規律，峰面積比大體可用二項式展開后的系數表示，δ與J值可由圖上直接讀取。一級圖譜：低級耦合圖譜一級譜圖中常見的自旋偶合系統

符號說明：A，M，X表示具有不同化學位移的偶合核

(1)AX系統

兩組兩重峰，此系統較少見，例如：(E)-C6H5CH=CHCOOHCl2CHCH(OEt2)(2)AX2系統

兩組峰，一組兩重峰，一組三重峰例如：

1,1,2-三氯乙烷1,1,2-三氯乙烷CHCl2-CH2Cl的PMR譜

(3)AX3系統

兩組峰，一組兩重峰，一組四重峰

例如：

2-氯丙酸的PMR譜

(4)A2X2系統

兩組三重峰

例如：

CH3COO-CH2-CH2-ph的PMR譜乙酸苯乙酯

phenethylacetate

(5)A2X3系統

兩組峰：一組三重峰，一組四重峰

例如：氯乙烷的PMR譜

(6)AX6系統

兩組峰：一組兩重峰，一組七重峰

例如：2-苯丙烷（異丙苯）的PMR譜(7)A3M2X2系統

三組峰：3、6、3重峰

例如：硝基丙烷(CH3CH2CH2NO2)的PMR譜1-nitropropane

(8)AMX系統

常見的偶合系統，NMR視具體情況而定

例如：

HC≡CCH=CHOCH3的PMR譜2.常見的高級譜①二旋系統（AB系統）JAB=υ1-υ2=υ3-υ4ΔJAB=√（υ1-υ4）（υ2-υ3）譜線相對強度比I2/I1=I3/I4=(υ1-υ2)/(υ4-υ3)HA的化學位移δA=υ1-【（υ1-υ4）-ΔυAB】/2HB的化學位移：δB=υA-ΔυAB②

四旋系統（AAˊXXˊ,AAˊBBˊ)第三節

譜圖解析與化合物結構確定一、譜圖中化合物的結構信息二、一級圖譜解析

一、譜圖中化合物的結構信息（1）峰的數目：標志分子中磁不等價質子的種類，多少種；（2）峰的強度(面積)：每類質子的數目(相對)，多少個；（3）峰的位移()：每類質子所處的化學環境，化合物中位置；（4）峰的裂分數：相鄰碳原子上質子數；（5）耦合常數(J)：確定化合物構型。不足之處：僅能確定質子（氫譜）二、一級圖譜的解析1、通過元素分析獲得化合物的化學式，計算不飽和度；

U＝[2＋2n4＋(n3－n1)]/22、根據化學位移值確認可能的基團;一般先辨認孤立的未耦合裂分的基團，即單峰;如甲基醚、甲基酮、甲基叔胺、甲基取代的苯等中的甲基質子及苯環上的質子或活潑氫如―OH,－SH等；再確認耦合的基團根據有關圖表中的δ可以確認可能存在的基團，這時應注意考慮影響δ的各種因素如電負性原子或基團的誘導效應、共軛效應、磁的各向異性效應及形成氫鍵的影響等。3、根據耦合裂分峰的峰數，判斷基團的連接關系；（可用n+1規律，但對含雜原子的不適合）4、根據積分強度確定各基團中質子數比；5、通過以上分析一般可以初步推斷出可能的一種或幾種結構式。然后，反過來，從可能的結構式按照一般規律預測可能產生的NMR譜，與實際譜圖對照，看其是否符合，從而可以推斷出某種最可能的結構式。某化合物的化學式為C7H12O4，IR譜表明在1750cm-1處有一很強的吸收峰，NMR譜如下，試確定其結構。例1：1、計算不飽和度U=2；

2、有三組峰，相對面積為2:1:3，若分別為2、1、3個，則總數為6，為分子式12個的一半，因此分子可能有對稱性；

3、IR顯示～1750cm-1有一強峰，應有C=O存在，且分子中有4個O，則可能有2個C=O；

4、δ=1.2處(3個H)，可能為－CH3，且裂分為三重峰，相鄰基團可能為－CH2，而δ=4.2處有一組四重峰，與-CH3

是典型的CH3CH2-組合；而δ較大，可能受誘導效應的影響，則組成可能為CH3CH2-O-；5、δ=3.3

處有一單峰，不耦合，可能與C=O相連，即6、把所有的基團連接起來，其可能的結構為某一化學式為C5H10O2的化合物，在溶液中的NMR譜如下圖所示，試推測其結構。例2：1、該化合物的不飽和度為1。因分子中有兩個O，故可能有

酯基。2、有4種不同類型的質子，四組峰相對面積比為6.2:4.2:4.2:6.2則質子數分別為3、2、2、3，共10個質子，與化合式相符。3、δ=3.6處的3個H為單峰，則有可能為一個受較強電負性影響的孤立的甲基峰，可推測為：余下的7個H，個數分別為3、2、2，可能是一個丙基4、故其可能結構為：有兩種異構體：經元素分析分子式為C9H12，NMR譜如下(a)、(b)兩種圖譜。試鑒別兩種異構體。例3：41、（a）譜：δ=7.1處的單峰，很可能存在苯環。三組峰積分高度比10:2:12=5:1:6，可見苯環上只有5個質子，為單取代。δ=2.9處有七重峰的單質子，δ=1.3處有二重峰，質子數為6，只能是如下的結構單元:所以a的結構式可能為2、（b）譜：二個單峰，積分高度比為4:12=1:3。δ=6.9處的峰仍為苯環質子，質子數為3，故為三取代。δ=2.1處的單峰只可能是三個等同的甲基，所以b的可能結構為1,3,5-三甲基苯。教材例題例3.5一未知化合物分子式為C6H12O3，IR在1740cm-1，1240cm-1，1060cm-1處有吸收，NMR如圖，試解析并判斷其結構。解：圖示4組信號，有關數據如下：峰位重峰數曲線高度比例H數1.1t6.21.532.0s6.21.533.4m8.52.144.0t4.112總高度25.0總H數121、該化合物的不飽和度為1。IR有酯基吸收（1740，1240，1060

），因分子中有三個O，故可能還有一個連氧基團。。2、δ=1.1處的3個H，且裂分為三重峰，相鄰基團可能為－CH2，故為CH3CH2-碎片（A）。δ=2.0處的3個H，不裂分。結合化學位移，推測為CH3CO-碎片（B）。δ=3.4處的4個H，化學位移較低，與電負性強的氧原子直接相連，多重峰，可能有2個-OCH2-（C）的碎片。

δ=4.0處的2個H，化學位移較低，由化學位移可知與-OCO-基相連，3重峰，故應為為-CH2-CH2-OCO-碎片（D）。CH3CH2-（A）CH3CO-（B）-OCH2-（C，2個）-CH2-CH2-OCO-（D）CH3CH2-（A）CH3CO-（B）-OCH2-（C，2個）-CH2-CH2-OCO-（D）分子中只有1分酯基，B，D合并，CH3（B）-CH2-CH2-OCO-（D）CH3CH2（A）-OCH2-（C，2個）(E)(F)CH3CH2-OCH2-（F）-CH2-OCO-CH3（E）1.1,3H,t3.4,4H,m4.0,2H,t2.0,3H,s第四節

13C-NMR碳核磁共振一、13CNMR譜二、圖譜解析一、13CNMR譜1.13C譜特點：（1）信號強度低；（2）研究C骨架，結構信息豐富；（3）化學位移范圍大(0～250ppm),分辨率高；（4）弛豫時間長；（5）13C-13C耦合的幾率很小；13C天然豐度1.1%；（6）13C-1H耦合常數大，脈沖傅里葉變換技術解決。核磁矩：1H=2.79270;

13C=0.70216磁旋比g：質子的1/4；相對靈敏度：質子的1/560013C核磁共振譜的原理與1H核磁共振譜基本相同三、偶合與弛豫13C-13C偶合的幾率很小（13C天然豐度1.1%）；13C-1H偶合；偶合常數1JCH：100-250Hz；峰裂分；譜圖復雜；去偶方法：(1)質子噪聲去偶或寬帶去偶(protonnoisedecouplingorboradbanddecoupling)

：采用寬頻帶照射，使氫質子飽和；去偶使峰合并，強度增加(2)質子偏共振去偶：識別碳原子類型；弛豫：13C的弛豫比1H慢，可達數分鐘；采用PFT-NMR可測定，提供空間位阻、各向異性、分子大小、形狀等信息；譜圖質子噪聲去耦對比缺點：失去了來自13C-1H耦合裂分的結構信息(2)質子偏共振去耦：識別碳原子類型2-丁酮的13C譜信號強度C=OCH3COCH2CH3CH2信號強度3.13C譜的化學位移：化學位移范圍：0～250ppm；13C譜的信號分離優于1H譜化學位移規律：(1)高場低場碳譜：飽和烴碳、炔烴碳、烯烴碳、羧基碳氫譜：飽和烴氫、炔氫、烯氫、醛基氫；(2)與電負性基團，化學位移向低場移動；烷烴:取代烷烴:H3CCH2CH2CH2CH334.722.813.9C>CH>CH2>CH3鄰碳上取代基增多C越大沒有其它取代基的開鏈烷烴，有如下規律：直鏈有4個碳以上時，端甲基C=13-14；一般情況下，碳上的取代基越多，化學位移值越向低場移動；烯烴:C=100-150端碳=CH2110，比另一個烯碳的化學位移值小，偏向較高場約10~40；順、反式烯烴的烯碳化學位移值只差1左右，順式在較高場；共軛雙烯中間兩個烯碳的化學位移比較接近，并且在很低場，約為200左右，兩端的烯碳移向高場；炔烴：化學位移范圍較窄，C=65-90苯環：（P168)苯環的化學位移值為128.5被取代碳原子化學位移值的最大變化幅度達35；鄰、對位碳原子化學位移變化幅度可達16.5；間位碳原子幾乎不變。給電子基團能使鄰、對位芳碳向高場移動；拉電子基團使鄰