1、fAgilentTechnologies丿Agilent7000B三重串耳犧級桿fAgilentTechnologies丿氣相質(zhì)譜儀現(xiàn)場培訓(xùn)教材fAgilentTechnologies丿fAgilentTechnologies丿AgilentTechnologies.VAgilentTechnologies.目錄第一章串聯(lián)四級桿氣相質(zhì)譜儀工作原理31.1氣相色譜2離子源3四級桿質(zhì)量分析器1.4碰撞池5檢測器6Masshunter軟件第二章安捷倫7000B氣相串聯(lián)質(zhì)譜儀開關(guān)機步驟及調(diào)諧82.1安捷倫7000B氣相串聯(lián)質(zhì)譜儀配置2質(zhì)譜儀開機步丄驟3質(zhì)譜調(diào)諧2.4質(zhì)譜儀空氣檢漏5質(zhì)譜儀關(guān)機步驟第三章

2、串聯(lián)質(zhì)譜掃描模式及及數(shù)據(jù)采集方法編輯運行133.1安捷倫串聯(lián)四級桿可設(shè)定的掃描模式3.2串聯(lián)質(zhì)譜運行方法編輯2.1氣相配置設(shè)定2.2編輯運行方法的氣相參數(shù)（包含碰撞池氣體流最設(shè)定）2.3運行方法質(zhì)譜參數(shù)設(shè)定3單個質(zhì)譜方法運行4Sequence自動進(jìn)樣序列表設(shè)定及運行第四章MRM方法開發(fā)概訴244.1多垂反應(yīng)監(jiān)測（MRM）的詳細(xì)過程4.2MRM方法的開發(fā)過程3如何便用QQQ方法優(yōu)化助手第一章串聯(lián)四級桿氣相質(zhì)譜儀工作原理安捷倫串聯(lián)氣相質(zhì)譜儀由六個部分組成，分別為:氣相色譜部分離子源3第極四級桿及第二級四級桿碰撞池檢測器Masshunter軟件四根桿1囚根桿2氣相色譜對于質(zhì)譜儀來說，氣相色譜主要是進(jìn)

3、樣儀器。在氣相色譜中進(jìn)樣部分為進(jìn)樣口，下圖為最常用的分流/不分流進(jìn)樣I】結(jié)構(gòu)圖。在進(jìn)樣II端，EPC控制載氣流入進(jìn)氣I】，兩路出氣II分別為隔墊吹掃和分流口。對于痕戢分析，最常用的模式是不分流進(jìn)樣。對于進(jìn)樣口，用戶日常接觸的部件為進(jìn)樣墊和襯管。：AgilentTechnologies.：AgilentTechnologies.1.2離子源電子轟擊離子源（EI）的作用是用燈絲產(chǎn)生激發(fā)電子，轟擊樣品分子，將被分析的樣品分子電離成帶電的離子，并使這些離子在離子透鏡的作用下，形成離子束，進(jìn)入質(zhì)量分析器被分離。電子轟擊離子源（EI）是氣質(zhì)聯(lián)用中最常用的離子源。由于現(xiàn)仃的標(biāo)準(zhǔn)EI質(zhì)譜圖都是在70eV電子的

4、轟擊下產(chǎn)生的，我們般把電子能Electronenergy自動設(shè)為-70eVo化學(xué)電離源（CI）化學(xué)源離子室內(nèi)的反應(yīng)氣（甲烷等）受到電子轟擊，產(chǎn)生反應(yīng)氣離子，再與試樣分子碰撞，產(chǎn)生準(zhǔn)分子離子。化學(xué)電離源是種軟電離方式，主要產(chǎn)生分子離子峰，具仃較高的靈敏度和選擇性。正化學(xué)源電離（PCI）甲烷作為反應(yīng)氣質(zhì)子轉(zhuǎn)移，樣品分子得到個質(zhì)子M+1CHs4+M=MH*+CHi樣品分子丟失個質(zhì)子M-1C2H5+M=M-H4+C2II6加和反應(yīng)CHs4+M=MCH54:C2H5*+M=MC2H54負(fù)化學(xué)源電離（NCI）甲烷作為反應(yīng)氣電子捕獲反應(yīng)MX+e-（thermal）=MX分離的電子捕獲反應(yīng)MX+e-(ther

5、mal)=M+XEI源的特點化學(xué)離子源（CI）特點電離效率高：質(zhì)譜圖垂現(xiàn)性好：結(jié)構(gòu)簡單，操作方便分子離子峰最強；譜圖簡單；不適用難揮發(fā)樣品.1-3四級桿質(zhì)鼠分析器四級桿質(zhì)最分析器是質(zhì)譜儀的核心，它將離子源產(chǎn)生的離子按質(zhì)荷比(m/z)的不同進(jìn)行分離。四極桿質(zhì)雖分析器111四根金屬或表面鍍金屬的平行桿組成，桿表面理想為雙曲面，相對的兩組桿上分別加仃電斥(DC+RF)和-(DC+RF),DC是百流電壓，RF是高頻電K。只仃與四級桿上所加的對應(yīng)電斥相匹配的離子才能通過四級桿分析器，具余離子被過濾掉。四級桿電丿衣如下圖所示：在四極桿上的RF和DC電舞*0曲t+北VoQt單四級桿質(zhì)量分析器可使用概念模吃來

6、說明單四極桿質(zhì)譜儀的理論。請參見下圖單四極桿質(zhì)譜儀I作原理示意圖樣品在離子源中離子化，不同顏色和人小的球代表貝仃不同必值的離子。四極桿質(zhì)量過濾器用移動帶表示，通過移動帶上不同人小的孔(代表不同的電壓組合)過濾離子，離子從漏斗經(jīng)過過濾器到達(dá)檢測器。檢測器用過濾帶下方的收集漏斗表示。當(dāng)移動帶(質(zhì)最分析器)移動時，即四級桿上的電斥變化，通過質(zhì)譜儀來過濾具右不同m/z值的離子0：AgilentTechnologies.fAgilentTechnologies.串聯(lián)四級桿質(zhì)量分析器串聯(lián)四極桿質(zhì)譜儀T作原理示意圖1.4碰撞池在此圖例中，使用第級四極桿來選擇母離子，并將具發(fā)送到碰撞反應(yīng)池進(jìn)行碎裂。然后通過第

7、二級四極桿來掃描子離子（產(chǎn)物離子）。八級桿，最好的結(jié)合了質(zhì)最帶寬和聚焦。使用氮氣和氨氣來激發(fā)碰撞。碰撞池氣體通過EPC控制。安捷倫使用八極桿碰撞池，使用氮氣作碰撞氣體，氨氣作碰撞池抑制氣體，少戢氨氣可以降低離子源熱氫離子帶來的噪?yún)稹４蜷_和關(guān)閉氫氣，樣品信躁比的變化.KAS/IM34P:-1IeijEuer-iGMG&A4、P0oz1AtIM1TH01JIxtnamnxwoidfiwocoogjofclo.E沢嘆：SensLtivity：UmtWide00mzatundRel乙bundisotopeisoabjndisoratio69.02494105100.0%70.0256591.03%21

8、9.0173514269.6%220.0749084.32%264.04S914218.4%265.026285572%414.01067544.3%415.099159.29%502.0783073.1%503.076589.78%他SlV)在自動調(diào)諧中,每根四極桿在所有三個質(zhì)量峰寬度0.7,1.2和25中調(diào)諧。質(zhì)量峰寬度參數(shù)(Unit,Wide,Widest)原理圖如下:當(dāng)質(zhì)譜峰寬增加時，質(zhì)譜的分辨率會降低，靈敏度會增加。當(dāng)質(zhì)譜峰寬減小時，質(zhì)譜的分辨率會增加，靈敏度會降低。:.AgilentTechnologiesVAgilentTechnologies.fAgilentTechnolog

9、ies.2.4質(zhì)譜儀空氣檢漏關(guān)閉N2,在MnualTune中點擊Ait/W5terCheck,所得空氣檢漏報告如下:Owr-ound!lfi1-caijMS?*；Vieu-xflrd1000tnrwrWidwOC1要求：RatioOjtom/z69SourceNocollisiongasMS1collisioncellMS2DeteciorVAgilentTechnologies.fAgilentTechnologies.CollisionG3sOnSIM()ratSourceMS1CollisioncellMS2D&iecicr多重反應(yīng)監(jiān)測(MRM)MSI選擇母離子，在碰撞池中產(chǎn)生碎片離子，

10、MS2監(jiān)測該母離子的特征碎片離子。MRM模式對于復(fù)雜基質(zhì)樣品來說選擇性好，靈敏度高。SIM1WlM1VAgilentTechnologies.fAgilentTechnologies.VAgilentTechnologies.fAgilentTechnologies.子離子掃描(Production)MSI選擇母離子，在碰撞池中產(chǎn)生了碎片離子，在MS2中分析該母離子產(chǎn)生的所有碎片離子。JaiSourceSIMScanObMOWMDMCBMtCollisionzGasOnVAgilentTechnologies.fAgilentTechnologies.母離子掃描(PrecursorIon)MS

11、2測定特定碎片離子,MSI體系的代謝物化合物的結(jié)構(gòu)鑒定。測定能產(chǎn)生該特定碎片離子的所仃母離子。該模式常用于對于復(fù)雜CollisioncellCollicionGasOnS1Ml)()ftI)=)0刀ZD1.13vT_/CVZ)MS2中性丟失掃描(NeutralLoss)中性丟失常用來尋找能失去個共同的中性碎片的帶電荷母離子。比較常見的是失去個C02或具他不帶電荷碎片。MSI掃描產(chǎn)生中性丟失的母離子，MS2掃描丟失了指定中件碎片的子離子。3.2串聯(lián)質(zhì)譜運行方法編2.1氣相配置設(shè)定。選擇Instrument-GCConfiguration壓力單位及最高爐溫設(shè)定Mem?Vvott2V&ve2VSve

12、tt7旳比旳7991樂力單位創(chuàng)還計3RS2U3V&gCcrhxr亦.a.?T,-NolIniModNo!In:dee廠g*FanNolInditedNoiInsMadNo!InstdedNoilntildNot陰硼Connect.越更痢|QflSorrtlnjV.v*,(Fdcrnrtcr;Uxpvclxno.nt:iMrTMftUvenTempeiatuie6最離爐溫設(shè)定MSDTiercrferUneNolInstdedGCParametors.J-TirreFly：5.2CGxwurrUila3CConftxrotcr.3ShowJHde5誠sMSPafamete”.M5Tune,CaUJ

13、8MSFTemperatjjreZJdBZJ創(chuàng)創(chuàng)Jnsianent幺ggAt)gkETEBBSSEEI曲SXOOnTypes.LoyboatdLocked爐溫快速降溫設(shè)定AlomorrtCVrront色譜柱設(shè)定1NollntMod|VNvett4VveWiVaiuenfiAuelr*t7OUOA130.27.10=191Mir.entgcp.Colbrsfo.點擊1，添加色ColtjmnEditProp!rtcoCMlitwationRbxm4Ixlnllx0.25umUrv=librld譜林loManulActurai:EFIH5IMoJelNurnbi;(130915-433DKcript

14、icrY|HP-5M$55cPhenylMc*viv/thInvanloryCclurrnTycvecopilotPokedMaIrrporctufo:1325CD=pHoiyCoiurrr*Brrxy*如noLeozh3O丘mpamemgeSze:10pL輸入進(jìn)樣針的尺寸及洗針的模式Mscelmous|CoUm|ModJesALS|FirmwarerevBOO15SdvertWashModeABCA-A2.B-82(JAAS.B42.2編俅運行方法的氣相參數(shù)（包含碰撞池氣體流最設(shè)定）步驟1、設(shè)置進(jìn)樣口/進(jìn)樣類型VAgilentTechnologies丿.fAgilentTechnologie

15、s.VAgilentTechnologies丿.fAgilentTechnologies.rwrum*nnXtflnjittmru”JrrfafCOiLS0UeM$IntelandInjcctkonPafanicteis&tbad|葉2mmI工啊.皿“pGCCamitnUiteParaal.GC“rTQjraon.GCU：uadeb1VAgilentTechnologies.fAgilentTechnologies.步驟2、設(shè)置碰撞池EPC流暈(He:2.25ml/min,N2:l.5ml/min)步驟3、注射器參數(shù)設(shè)定1O尹勵蠻LX色frontniectcr-|BackInjedtcr|Ir

16、a/OtH-r|lrj&:bon*.JMuhpleInjeciiznDela/jo知_WoshczorriPumpPtelnjPoxlnjVoLrre(pL)SoiventAWache:o6pJw三SoiyctitBWashes|oo三|SarrpkWashex:|o|h曲SancleFbrrp:pPrelnj進(jìn)樣前，Postlnj-進(jìn)樣后；Volume(ul)次針清洗的體積；SampleWashes用樣品洗針次數(shù)：SolventAWashes溶劑A洗針的次數(shù)：SolventBWashes溶劑B洗針的次數(shù)：SamplesPumps氣泡針抽吸次數(shù)。7693ALS“三明治”進(jìn)樣模式(用空氣gap將

17、樣品層隔開)InjectionTypeOSlandatdO2-layefSandwich3layerSandwichL2volume;OMultipleInjectionsL3vokime:THAgilentTechnologiesVAgilentTechnologies.步驟4、閥控制設(shè)置步驟5、分流不分流進(jìn)樣II參數(shù)設(shè)置Mode（進(jìn)樣方式選項）:不分流模式Splitless：分流模式Split;脈沖不分流模式PulseSplitless；脈沖分流方式模式PulseSplit。步驟6、CFT模式設(shè)置(柱流屋設(shè)置)CFTSetbDescfCibon450T:25mx320umxOpfn2InB

18、ackCOClrieHeOutBackDetedotTCDAucEPC4N2二AwEPC5N2AwEPC6N2點擊柱“F進(jìn)行柱1設(shè)定，可選擇怛流控制模式或怛柱壓控制模式。比如：選擇恒流flow,輸入17(ml/min)0步驟7、柱溫參數(shù)設(shè)置、審QWbX用也OvnTwrpOnEqulkrabonTbneCryoOOn口QukicCbolOyoUTeperah01m進(jìn)入柱溫參數(shù)設(shè)定界面，設(shè)定升溫程序。選中OvenTempOn”左邊的方框，在溫度框內(nèi)輸入溫度。Ramp一-升溫階次；C/min升溫速率；Holdmin保持的時間；EquilibrationTime柱子的平衡時間。步驟8、GC檢測器設(shè)置I

19、VAgilentTechnologies.步驟9、質(zhì)譜接II溫度設(shè)定(250C),運行時間事件表設(shè)定和GC檢測器信號設(shè)置。2)5IVAgilentTechnologies.IVAgilentTechnologies.T*WXv*Pa小Tfvw0MISgruriVirr*ArtgrvriRjrpa/nTr*no13kmruy(TtMTynvwTfirItvyfl*尸泄ktTiP&450M?/COiki代!n1IDo9*tc&：Tc3tPlatWIU/XC4ft-inMmeJI。呼gkhTcMPkxViHr；ftMrrtn7fi*A*步驟10、具他圖標(biāo)：配置展示、反吹圖、診斷il數(shù)般不做設(shè)定。3.

20、2.3運行方法質(zhì)譜參數(shù)設(shè)定1、選擇Instrument菜巾下的MSparameters選項，出現(xiàn)QQQ質(zhì)譜參數(shù)設(shè)定窗II。MSiAstocmer*6.4ftUInstrumentMSParameters.WlnconType*.GCParAmtc.GCR“nrrMPtatc.調(diào)諧文件調(diào)諧文件I離子源類型離子源類型CCC*azASnAl.GCConf9j*4bon.GCShcMfrtdeM5Paranftet*5MS“ngPio0IVAgilentTechnologies.IVAgilentTechnologies.0rAgilentTechnologiesVAgilentTechnologie

21、s.VAgilentTechnologies.3、設(shè)定質(zhì)譜離子源及檢測器參數(shù)設(shè)定離子源溫度Sourcetemp為230Co電子能Electronenergy自動設(shè)為-70eVoRuntime前的選擇框一般不選。Solventdelay：溶劑延遲時間。Peakwidth:峰寬，一般設(shè)為0.5-1.OsecoDetectorsetting:選Gain則使用Gainfactor調(diào)諧參數(shù)，選DeltaEMV,檢測器電Jk=autotune電壓+DeltaEMV42VAgilentTechnologies.Tineever%Tn&|4Uwoe”pniSqmSOS3giener”C詐miatfttrarR

22、ertedewTireuin;r隔ZJMathodHRorX;Gndnxi輸入質(zhì)描范制（10-300）利I描時心100忤先締入不同扔描段的起始時間IIISUpsc*S“n呵nr乙i殳定Gain全打描模式一股I殳Gain伯為I-掃描步長設(shè)定:0.lamu峰高閥值設(shè)ii-：ioo|iOOtine般不選（數(shù)抿文件太大）4、編供QQQ質(zhì)譜掃描參數(shù)的時間段（以MSIScan模式為例）42VAgilentTechnologies.Soil：亡TnfrlkinjPeJ.mxJISoS300EZser”Ttnvufn;eVCFTeV5czn呵rwxCOYpiidOPIomomFlc4xtcnMS2wioMmi

23、mwm&4國Wdi272唄4J-J%2X2翊J222Wrf.DwlCc4初如so20斤先締入不同扔描段的起始時間也M3tfMa砂餐“rhwScnl尸1375刪J153iwcqTntever”設(shè)定Gain值，checkout方法中設(shè)為100,MRM模式_般設(shè)Gainft為15,毎秒鐘扔描術(shù)環(huán)次每個循環(huán)5、編供QQQ質(zhì)譜掃描參數(shù)的時間段（以MRM方法為例）QQQMethodMKar42VAgilentTechnologies.值相關(guān)所需時間*|Sa|如.VAgilentTechnologies.VAgilentTechnologies.MRM掃描子窗II參數(shù)設(shè)定|采集參|數(shù)設(shè)定化合物是否為母離子母

24、離子子離子子離子離f駐確撞池名稱內(nèi)標(biāo)物設(shè)定分辨率設(shè)定分辨率留時間能賦Xion|InsUurerit|ChfomcTojfarriCompourdname4ISTD?二Ftecursaon-MS1fGsdU:ionProductionM$2resoUhcnDwellColiaoneneigyOFNr272Wdc272Wide二|50OFNr272We二|241Wide21I5030OFNr272Wide二|222Widejrj50go比敘班0：lCkrcmatogfdm|儀器參數(shù)曲線設(shè)定Acquisition-AvalilamentCurrentHighVocMS1QuadTemp.MS2Qua

25、dTenp.Pimp1CurrentPirnp2CurrentRcughVocSourceTeno.Tu-to1Speed7irto2SpeedAcqjititon|InftiurnencChematogrom實時色譜圖設(shè)定MRMTypeTIC7MRMNewChrorndtoaraniDeleteChromatoaromCep?Ctrl4CPasteCtfkvnStorednstrumcnicuiygstbd-EvadedMossorRongPrecuisorIonPioduciIonExclucfedMasses272.0離子駐留時間設(shè)定要保證每個色譜峰達(dá)到10-20個采樣點。6、保存方法參數(shù)設(shè)定完成，點擊0K退出。在Method下選擇Savemethodas給方法収名然后保存。aBGCQQQOFN.Checkuul_CJ_JAN1O.M/Checkout_CJ1.fcuquunt.vnnlCra5衣少Q(mào)tt堂EcvOAMhPd已swej.Sitxc5!.*”1aj*u*c.nMtlHUMMDOfUKB1仇CollisionEnergy5V平。HigherwismoredetectiveeMI.MRM.10/0cn.M*忸29/DUdLMRM.290iid1.MRM.WDM1_M