1、模擬電子技術(shù)部分習(xí)題及答案直流穩(wěn)壓電源項(xiàng)目、二極管與三極管的基礎(chǔ)知識(shí)二極管習(xí)、熟悉概念與規(guī)律1 .半導(dǎo)體2 . P型半導(dǎo)體3 . N型半導(dǎo)體4 . PN 結(jié)5 .單向?qū)щ娦? .整流二極管7 .穩(wěn)壓二極管8 .發(fā)光二極管9 .開關(guān)特性10 .三極管11 .三極管的飽合特性12 .三極管的截止特性13 .三極管的放大特性、理解與計(jì)算題1 .當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的正向壓降變小,反向擊穿電壓 變小。2 .硅穩(wěn)壓二極管并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管必須與限流電阻串聯(lián)，此限流電阻 的作用是（C調(diào)壓限流）。A、提供偏流 B、僅限流電流 C兼有限流和調(diào)壓兩個(gè)作用3 .有兩個(gè)2CW15穩(wěn)壓管，一個(gè)穩(wěn)壓值是 8

2、V,另一個(gè)穩(wěn)壓值是，若把兩管的正極并接，再將負(fù)極并接，組合成一個(gè)穩(wěn)壓管接入電路，這時(shí)組合管的穩(wěn)壓值是（B）。8V; B、； C、4 .穩(wěn)壓管DW穩(wěn)壓值為，二極管VD正向壓降，當(dāng)VI為12V時(shí)，DW和VD是否導(dǎo)通, V0為多少R電阻的作用。答：DW和VD不導(dǎo)通，V0為，R電阻的作用是分壓限流。5.下圖中D1-D3為理想二極管，A, B, C燈都相同，試問哪個(gè)燈最亮()6.在圖所示的電路中，當(dāng)電源 V=5V時(shí)，測(cè)得I=1mA。若把電源電壓調(diào)整到則電流的大小將 V=10V,=2mA <2mA >2mA7 .圖所示電路，設(shè) Ui=sint(V), V=2V,二極管具有理想特性，則輸出電壓U

3、o的波形應(yīng)為圖示 圖。8 .圖所示的電路中，Dz1和Dz2為穩(wěn)壓二極管，其穩(wěn)定工作電壓分別為6V和7V,且具有理想的特性。由此可知輸出電壓Uo為。+年Ui =20V9 .二極管最主要的特性是 ,它的兩個(gè)主要參數(shù)是反映正向特性的 和反映反向特性的 。10 .圖所示是一個(gè)輸出 6V正電壓的穩(wěn)壓電路，試指出圖中有哪些錯(cuò)誤，并在圖上加以 改正。11.電路如圖所示。已知 v2有效值足夠大，合理連線，構(gòu)成 5V的直流電源。12 .橋式整流濾波電路，以知v 21=20Xt(V)。在下列情況時(shí)，說(shuō)明V o端對(duì)應(yīng)的直流 電壓平均值V o(av)應(yīng)為多少。(1)電容C因虛焊未接上。(2)有電容但R L開路。(3)

4、整流橋中有一個(gè)二極管因虛焊斷路，有電容C, RLro。13 .設(shè)二極管正向電阻為零，反向電阻無(wú)窮大，判斷如圖所示 電路的輸出端電壓：()A、一 3V;B、一8V;C 5V;D、8V。14 .如果電阻R的阻值為1千歐，問：二極管的電流正向電流為()。(填空)V rI-*8vX 即 V口圖二極管_L作電路15 . PN結(jié)具有，偏置時(shí)導(dǎo)通， 偏置時(shí)截止。16 .直流穩(wěn)壓電源的作用就是將轉(zhuǎn)換為。小功率直流穩(wěn)壓電源一般由、和四部分組成。17 .常溫下，硅二極管的死區(qū)電壓約為 V,導(dǎo)通后兩端電壓基本保持約 V不 變；錯(cuò)二極管的死區(qū)電壓約 V,導(dǎo)通后兩端電壓基本保持約 V不變。18 .二極管2AP7是 類型

5、，2CZ56是 類型，2CW56是 類型，2CK70是 類型，2CC122 是 類型，1N4007是 類型，1N4148是 類型，1N5401是 類型。正常情況下穩(wěn)壓管 工作在 區(qū)，具有穩(wěn)壓作用。19 .硅二極管兩端加上正向電壓時(shí)立即導(dǎo)通。()20 .當(dāng)二極管兩端正向偏置電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，二極管才能導(dǎo)通。（）21 .二極管的反向擊穿電壓大小與溫度有關(guān)，溫度升高反向擊穿電壓增大。（）22 .用萬(wàn)用表歐姆擋粗測(cè) 2AP9時(shí)用RX10檔。（）23 .在輸出電壓相同的情況下，橋式整流電容濾電路和橋式整流電路所選二極管的最大電流可以相同。（）24 .同硅管相比，錯(cuò)管的參數(shù)更易受溫度的影響。（）25 .

6、半導(dǎo)體就是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一類物質(zhì)。（）26 .穩(wěn)壓二極管正常工作時(shí)必須反偏，且反偏電流必須大于穩(wěn)定電流Z I。（）27 .半導(dǎo)體二極管反向擊穿后立即燒毀。（）28 .用模擬萬(wàn)用表和數(shù)字萬(wàn)用表在測(cè)試二極管的極性時(shí)，測(cè)試方法和判別依據(jù)完全一樣。（）29 . 2CZ型二極管，以下說(shuō)法正確的是（）A.適用于小彳t號(hào)檢波B.適用于整流 C.適用于開關(guān)電路30 .對(duì)于晶體二極管，下列說(shuō)法正確的是（）A.正向偏置導(dǎo)通，反向偏置截止 B.導(dǎo)通時(shí)可等效為一線性電阻C在達(dá)到反向擊穿電壓之前通過的電流很小D.反向擊穿后立即燒毀31 .題圖1.5.1所示電路，二極管為理想二極管，以下說(shuō)法正確的是（）導(dǎo)

7、通，UAO=6V 導(dǎo)通，UAO=-6V截止,UAO=9V D. VD 導(dǎo)通,UAO=- 9V32 .硅二極管正偏時(shí)，正偏電壓和正偏電壓 時(shí)，二極管呈現(xiàn)的電阻值（）A.相同B不相同C無(wú)法判斷33 .用模擬萬(wàn)用表 RX1K檔測(cè)二極管，若紅筆接陽(yáng)極，黑筆接陰極，讀數(shù)為 50K,表筆 對(duì)換測(cè)得電阻一樣大，則該二極管（）A.內(nèi)部已斷，不能使能B.內(nèi)部已短路，不能使用C.沒有壞，但性能不好 D .性能良好34 .如題圖1.5.2所示電路：1）該電路正常工作時(shí)，輸出電壓 o u為多少2）若要電路 正常工作，變壓器次級(jí)電壓2 u的最小值是多少最大值是多少3）如果變壓器次級(jí)電壓2 u的有效值為15V,則整流、濾

8、波后電壓 3 u的數(shù)值大略為多少若測(cè)得 3 u為左 右，分析故障原因與部位，并列出檢修的步驟。36.硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路如題圖1.5. 3所示。已知硅穩(wěn)壓管 VD的穩(wěn)定電壓 Uz=10V、動(dòng)態(tài)電阻和反向飽和電流均可以忽略，限流電阻R=R1kQ,未經(jīng)穩(wěn)壓的直流輸入電壓Ui = 24V。(1)試求 Uo、Io、I 及 Iz;(2)若負(fù)載電阻 RL的阻值減小為，再求 Uo、Io、I及Izo、熟悉概念與規(guī)律1 .三極管2 .三極管的飽合特性3 .三極管的截止特性4 .三極管的放大特性、理解與計(jì)算題三極管習(xí)題1 .三極管具有、和特性。2 .三極管的IE、舊、IC之間的關(guān)系是 。3 =。3 .各三極管電極的實(shí)

9、測(cè)對(duì)地電壓數(shù)據(jù)如下：圖 A是 圖B是 管，工作在狀態(tài)。4 .放大電路要不失真地放大交流信號(hào)必須使放大器設(shè)置 放大信號(hào)時(shí)，始終工作在 區(qū)。5 .（）晶體三極管的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是由同一類半導(dǎo)體 極和c極可以互換使用。6 .三極管多級(jí)放大電路中，已知 a V1=20 a V2=-10 a V1是放大器；a V2是放大器；a V3是放大器。管，工作在 狀態(tài)；,以保證三極管N型或P型構(gòu)成的所以ea V3=1總的電壓增益 a V=-;7 .三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管所處的狀態(tài)是（）。A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C截止?fàn)顟B(tài)8 .測(cè)得某NPN管得V BE=, V CE=,由此可判定它工作在 區(qū)。

10、9 .用萬(wàn)用表直流電壓檔測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地電位，試判斷這些晶體管分別 處于那種工作狀態(tài)（飽和、截止、放大、倒置或已損壞）。10 .某晶體管的iB從20 d A變到40科A時(shí)，對(duì)應(yīng)的iC從 變化到，則該管的3為（A、3 =75 B 3 =50 C 3 =100 D 3 =11 .測(cè)得工作在放大電路中的三極管各極電位如圖所示，其中硅材料的NPN管是（、基本放大電路基礎(chǔ)知識(shí)習(xí)題作業(yè)1 .按要求填寫下表。電路名稱連接方式（e、c、b）性能比較（大、中、小）公共極輸入極輸出極NAiR iR o其它共射電路共集電路共基電路2 .分別改正圖2所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波信號(hào)。要求保留

11、電路原來(lái)的共射接法和耦合方式。3 .畫出圖3所示各電路的直流通路和交流通路。設(shè)所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。4 .電路如圖4 (a)所示，圖(b)是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時(shí)UBEQ=。利用圖解法分別求出RL=8和rl= 3k時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓Uom (有效值)。5 .電路如圖5所示，已知晶體管=50,在下列情況下，用直流電壓表測(cè)晶體管的集電極電位, 應(yīng)分別為多少設(shè) VCO 12V,晶體管飽和管壓降 UCES=。(1)正常情況(2) Rb1短路(3) Rb1開路(4) Rb2開路(5) RC短路圖5r A.6 .電路如圖6所示，晶體管的=80, bb =100 。分別計(jì)算RL=

12、oo和RL= 3k時(shí)的Q點(diǎn)、uRi 和 Ro。7 .在圖6所示電路中，由于電路參數(shù)不同，在信號(hào)源電壓為正弦波時(shí)，測(cè)得輸出波形如圖（a）、（b）、（c）所示，試說(shuō)明電路分別產(chǎn)生了什么失真，如何消除。圖78 .若由PNP型管組成的共射電路中，輸出電壓波形如圖( a)、(b)、(c)所示，則分別產(chǎn)生了什么失真9 .已知圖9所示電路中晶體管的=100, rbe=1kQo(1)現(xiàn)已測(cè)得靜態(tài)管壓降 UCEQ= 6V,估算Rb約為多少千歐；(2)若測(cè)得Ui和Uo的有效值分別為1mV和100mV,則負(fù)載電阻 RL為多少千歐圖9r,'10 .電路如圖10所小，晶體管的=100, bb =100QOA 一

13、(1)求電路的Q點(diǎn)、u、Ri和Ro；(2)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化如何變化O + Ftc( + 12 V)圖10I /%n skQ25kQU國(guó) 口 %SkuLl11 .設(shè)圖11所示電路所加輸入電壓為正弦波。試問:圖11(1)Au1 =U o1/ U i =Au2 Uo2/Ui 一 /(2)畫出輸入電壓和輸出電壓ui、uo1、uo2的波形;12.電路如圖12所示，晶體管的=80, rbe=1kQo(1)求出Q點(diǎn)；A 一(2)分別求出 RL=oo和RL= 3k時(shí)電路的 u和Ri;(3)求出Ro。圖12r '13.電路如圖13所小，晶體管的=60, bb =100 Qo(1)求解Q點(diǎn)、入、Ri和Ro；(2)設(shè) Us = 10mV (有效值)，問 Ui = Uo=若 C3開路，則 Ui = Uo =圖1314.圖14所示電路參數(shù)理想對(duì)稱，晶體管的3均為r '50, bb =100Q , UBE*。試計(jì)算 RW滑動(dòng)端在中點(diǎn)時(shí) T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流IEQ以及動(dòng)態(tài)參數(shù) Ad和Rio15.如圖