標準解讀
《GB/T 14264-1993 半導體材料術語》是中國關于半導體材料領域的一份國家標準,發布于1993年。該標準旨在統一和規范半導體材料相關的專業術語,以便于行業內外人士在交流、科研、生產及貿易活動中能夠準確理解并使用這些術語,減少溝通誤解,提升工作效率。下面列舉了標準中涵蓋的部分關鍵術語及其簡要說明:
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半導體(Semiconductor):指一種電導率介于導體與絕緣體之間的材料,其電導率可以通過摻雜或其他手段進行調整。
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本征半導體(Intrinsic Semiconductor):未經過摻雜處理,純凈狀態下的半導體材料,其電導性能主要由材料本身的電子和空穴對決定。
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N型半導體(N-type Semiconductor):通過摻入 pentavalent(五價)元素如磷、砷等,使半導體中自由電子濃度大于空穴濃度的半導體材料。
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P型半導體(P-type Semiconductor):通過摻入 trivalent(三價)元素如硼、鎵等,使半導體中空穴濃度大于自由電子濃度的半導體材料。
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PN結(PN Junction):由P型半導體和N型半導體接觸形成的區域,具有單向導電性,是許多半導體器件的基礎結構。
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摻雜(Doping):在半導體材料中故意引入少量其他元素以改變其電導特性,分為N型摻雜和P型摻雜。
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載流子(Carrier):在半導體中參與導電的粒子,包括自由電子和空穴。
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禁帶(Energy Gap或Band Gap):半導體能帶結構中價帶頂和導帶底之間的能量區間,決定了材料成為導體或絕緣體的性質。
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遷移率(Mobility):描述載流子在電場作用下移動速度的物理量,直接影響半導體的電導性能。
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復合(Recombination):半導體中的自由電子與空穴相遇并結合消失的過程,影響半導體的電荷平衡狀態。
這些術語只是標準中的一部分,實際標準詳細列出了更多與半導體材料制備、性質分析、器件應用相關的專業詞匯及其定義,為半導體行業的標準化工作提供了重要的語言基礎。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。
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文檔簡介
UDC669.87H80中華人民共和國國家標準GB/T14264-93半導體材料術語Semiconductormaterials-Termsanddefinitions1993-03-12發布1993-12-01實施國家技術監督局發布
中華人民共和國國家標準半導體材料術語GB/T14264-93SemiconductormaterialsTermsanddefinitions主題內客與適用范圍本標準規定了半導體材料及其生長工藝、加工、晶體缺陷和表面治污等方面的主要術語和定義本標準適用于元素和化合物半導體材料。一般術語2.1半導體semiconductor電阻率介于導體與絕緣體之間,其范圍為10-~10"0·cm的一種固體物質。在較寬的溫度范圍內,電阻率隨溫度的升高而減小。電流是由帶正電的空穴和帶負電的電子的定向傳輸實現的。半導體按其結構可分為三類:單品體、多晶體和非晶體。2.2元素半導體elementalsemiconductor由一種元素組成的半導體。硅和錯是最常用的元素半導體。2.3化合物半導體compoundsemiconductor由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體,如砷化像、緣鋁砷等2.4本征半導體intrinsicsemiconductor晶格完整且不含雜質的單品半導體,其中參與導電的電子和空穴數目相等。這是一種實際上難以實現的理想情況。實用上所說的本征半導體是指僅含極痕量雜質,導電性能與理想情況很相近的半導體。2.5導電類型conductivitytype半導體材料中多數教流子的性質所決定的導電特性2.6n-型半導體n-typesemiconductor多數載流子為電子的半導體2.7p-型半導體p-typesemiconductor多數載流子為空穴的半導體。2.8空穴hole半導體價帶結構中一種流動空位,其作用就像一個具有正有效質量的正電子電荷一樣。2.9受主accepter半導體中其能級位于禁帶內,能“接受”價帶激發電子的雜質原子或晶格缺陷,形成空穴導電:2.10施主donor半導體中其能級位于禁帶內,能向導帶“施放”電子的雜質原子或品格缺陷,形成電子導電。2.111載流子carrier固體中一種能傳輸電荷的載體,又稱荷電載流子
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