ICS29045

CCSH.80

中華人民共和國國家標準

GB/T14264—2024

代替GB/T14264—2009

半導體材料術語

Terminologyofsemiconductormaterials

2024-04-25發布2024-11-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T14264—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

一般術語

3…………………1

材料制備與工藝

4…………………………33

缺陷

5………………………38

縮略語和簡稱

6……………47

索引

…………………………50

Ⅰ

GB/T14264—2024

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半導體材料術語與相比除結構調整和編

GB/T14264—2009《》,GB/T14264—2009,

輯性改動外主要技術變化如下

,:

增加了寬禁帶半導體等項術語及其定義見第章第章

———“”261(3~5);

刪除了脊形崩邊等項術語及其定義見年版的第章

———“”64(20093);

更改了化合物半導體等項術語及其定義見第章第章年版的第章

———“”62(3~5,20093)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導體硅材料股份公司有色金屬技術經濟研究院有限責任公司北京大學

:、、

東莞光電研究院南京國盛電子有限公司云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司青海黃河上游水電開發有

、、、

限責任公司新能源分公司中國科學院上海光學精密機械研究所有研國晶輝新材料有限公司浙江中

、、、

晶科技股份有限公司江蘇中能硅業科技發展有限公司中環領先半導體材料有限公司新特能源股份

、、、

有限公司宜昌南玻硅材料有限公司亞洲硅業青海股份有限公司中國電子科技集團公司第十三研

、、()、

究所四川永祥股份有限公司云南馳宏國際鍺業有限公司麥斯克電子材料股份有限公司浙江海納半

、、、、

導體股份有限公司常州時創能源股份有限公司東莞市中鎵半導體科技有限公司中國科學院半導體

、、、

研究所

。

本文件主要起草人孫燕賀東江李素青寧永鐸丁曉民朱曉彤駱紅普世坤秦榕杭寅鄭安生

:、、、、、、、、、、、

宮龍飛程鳳伶黃笑容李國鵬金鵬王彬張雪囡邱艷梅劉文明尹東林孫聶楓李壽琴崔丁方

、、、、、、、、、、、、、

史舸潘金平殷淑儀由佰玲

、、、。

本文件于年首次發布年第一次修訂本次為第二次修訂

1993,2009,。

Ⅲ

GB/T14264—2024

半導體材料術語

1范圍

本文件界定了半導體材料的一般術語和定義材料制備與工藝及缺陷的術語和定義以及縮略語

,,。

本文件適用于半導體材料的研發生產制備及相關領域

、、。

2規范性引用文件

本文件沒有規范性引用文件

。

3一般術語

31

.

半導體semiconductor

導電性能介于導體與絕緣體之間室溫下電阻率約為-512由帶正電的空穴

,10Ω·cm~10Ω·cm,

和帶負電的電子兩種載流子參加導電并具有負的電阻溫度系數以及光電導效應整流效應的固體

,、

物質

。

注半導體按其結構分為單晶體多晶體和非晶體

:、。

32

.

本征半導體intrinsicsemiconductor

晶格完整且不含雜質在熱平衡條件下其中參與導電的電子和空穴數目近乎相等的理想半導體

,,。

注通常所說的本征半導體是指僅含極痕量雜質導電性能與理想情況很相近的半導體

:,。

33

.

元素半導體elementalsemiconductor

由單一元素的原子組成的半導體材料

。

注如硅鍺金剛石等

:、、。

34

.

化合物半導體compoundsemiconductor

由種或種以上不同元素按確定的原子配比形成的半導體材料

22。

注如砷化鎵磷化銦碲化鎘碳化硅氮化鎵氧化鎵銦鎵氮和

:(GaAs)、(InP)、(CdTe)、(SiC)、