標準解讀

《GB/T 14264-2009 半導體材料術語》相比于其前版《GB/T 14264-1993 半導體材料術語》，主要在以下幾個方面進行了更新與增補：

  1. 術語范圍擴展：2009版標準對半導體材料的術語覆蓋范圍進行了擴展，納入了近年來半導體技術發展所產生的新概念和新材料的定義，以適應行業快速進步的需求。

  2. 定義精確化：針對原有的一些術語，新版標準提供了更為精確和詳細的定義，有助于減少理解上的歧義，提升行業內的溝通效率。例如，對半導體晶片、外延層、化合物半導體等關鍵術語的描述更加嚴謹科學。

  3. 術語分類調整：標準中的術語按照新的分類體系進行了重新組織，使得查閱和使用更加系統化，便于用戶快速定位到所需信息。

  4. 新增術語：鑒于半導體技術的快速發展，2009版標準新增了大量的術語，涵蓋了納米半導體材料、量子點、自旋電子學材料等多個新興研究領域，反映了科技進步帶來的術語更新需求。

  5. 國際接軌：為了增強國際交流與合作，新版標準在制定過程中參考了更多的國際標準和先進國家的標準，力求使我國的半導體材料術語與國際通行術語保持一致或兼容，便于參與全球競爭與合作。

  6. 表述優化：在語言表述上，2009版標準力求簡明清晰，避免專業術語的過度堆砌，提高了標準的可讀性和實用性。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 14264-2024
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１４２６４—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３

半導體材料術語

犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犿犪狋犲狉犻犪犾狊—犜犲狉犿狊犪狀犱犱犲犳犻狀犻狋犻狅狀狊

２００９１０３０發布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１４２６４—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３《半導體材料術語》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３相比，有以下變化：

———增加了２１８項術語；

———增加了三個資料性附錄：包括６１項硅技術術語縮寫、１１項符號和標準術語出處；

———修改了原標準中８６項術語內容。

本標準的附錄Ａ和附錄Ｂ為資料性附錄。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準負責起草單位：中國有色金屬工業標準計量質量研究所、有研半導體材料股份有限公司、

杭州海納半導體有限公司和國瑞電子材料有限責任公司。

本標準參加起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司、峨眉半導體材料廠、寧波立立電子股份有限公司、

南京國盛電子有限公司、南京鍺廠有限責任公司、萬向硅峰電子股份有限公司、云南東興集團、西安驪晶

電子技術有限公司、中科院半導體所、上海合晶硅材料有限公司。

本標準主要起草人：孫燕、黃笑容、向磊、翟富義、盧立延、鄭琪、鄧志杰、賀東江。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１４２６４—２００９

半導體材料術語

１范圍

本標準規定了半導體材料及其生長工藝、加工、晶體缺陷和表面沾污等方面的主要術語和定義。

本標準適用于元素和化合物半導體材料。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＡＳＴＭＦ１２４１硅技術術語

ＳＥＭＩＭ５９硅技術術語

３術語

以下術語和定義適用于本標準。

３．１

受主犪犮犮犲狆狋狅狉

半導體中的一種雜質，它接受從價帶激發的電子，形成空穴導電。

３．２

電阻率允許偏差犪犾犾狅狑犪犫犾犲狉犲狊犻狊狋犻狏犻狋狔狋狅犾犲狉犪狀犮犲

晶片中心點或晶錠斷面中心點的電阻率與標稱電阻率的最大允許差值，它可以用標稱值的百分數

來表示。

３．３

厚度允許偏差犪犾犾狅狑犪犫犾犲狋犺犻犮犽狀犲狊狊狋狅犾犲狉犪狀犮犲

晶片的中心點厚度與標稱值的最大允許差值。

３．４

各向異性犪狀犻狊狅狋狉狅狆犻犮

在不同的結晶學方向具有不同的物理特性，又稱非各向同性，非均質性。

３．５

各向異性腐蝕犪狀犻狊狅狋狉狅狆犻犮犲狋犮犺

沿著特定的結晶學方向，呈現腐蝕速率增強的一種選擇性腐蝕。

３．６

退火犪狀狀犲犪犾犻狀犵

改變硅片特性的熱過程。

３．７

退火片犪狀狀犲犪犾犲犱狑犪犳犲狉

溫馨提示

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