1、極化會對晶體構(gòu)造產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過渡，最后使晶體構(gòu)造種類發(fā)生變化。（A）共價(jià)鍵向離子鍵（B）離子鍵向共價(jià)鍵（C）金屬鍵向共價(jià)鍵（D）鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中，因?yàn)殡x子的極化作用，往常使正負(fù)離子間的距離（B），離子配位數(shù)（）。（A）增大，降低（B）減小，降低（C）減小，增大（D）增大，增大3、氯化鈉擁有面心立方構(gòu)造，其晶胞分子數(shù)是（C）。（A）5

（B）6

（C）4

（D）34、NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為（A）所有四周體（B）所有八面體

4，Na+填補(bǔ)在Cl-所構(gòu)成的（B）縫隙中。（C）1/2四周體（D）1/2八面體5、CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為

1，Cs+填補(bǔ)在

Cl-所構(gòu)成的（

C）縫隙中。（A）所有四周體

（B）所有八面體

（C）所有立方體

（D）1/2八面體6、MgO晶體屬NaCl型構(gòu)造，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子構(gòu)成，其一個(gè)單位晶胞中有（B）個(gè)MgO分子。（A）2（B）4（C）6（D）87、螢石晶體能夠看作是Ca2+作面心立方聚積，F(xiàn)-填補(bǔ)了（D）。（A）八面體縫隙的多半（B）四周體縫隙的多半（C）所有八面體縫隙（D）所有四周體縫隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為（B）。（A）2（B）4（C）6（D）89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8，Cl-的配位數(shù)為（D）。（A）2（B）4（C）6（D）810、硅酸鹽晶體的分類原則是（B）。（A）正負(fù)離子的個(gè)數(shù)（B）構(gòu)造中的硅氧比（C）化學(xué)構(gòu)成（D）離子半徑11、鋯英石Zr[SiO4]是（A）。（A）島狀構(gòu)造（B）層狀構(gòu)造（C）鏈狀構(gòu)造（D）架狀構(gòu)造12、硅酸鹽晶體中常有少許Si4+被Al3+代替，這類現(xiàn)象稱為（C）。（A）同質(zhì)多晶（B）有序—無序轉(zhuǎn)變（C）同晶置換（D）馬氏體轉(zhuǎn)變13.鎂橄欖石Mg2[SiO4]是（A）。（A）島狀構(gòu)造

（B）層狀構(gòu)造

（C）鏈狀構(gòu)造

（D）架狀構(gòu)造14、對沸石、螢石、

MgO

三類晶體擁有的縫隙體積對比較，其由大到小的次序?yàn)椋?/p>

A）。（A）沸石>螢石>MgO

（B）沸石>MgO>螢石

（C）螢石>沸石>MgO

（D）螢石>MgO>沸石15、依據(jù)鮑林（

Pauling）規(guī)則，離子晶體

MX2

中二價(jià)陽離子的配位數(shù)為

8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（B）。（A）2

（B）4

（C）6

（D）816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本構(gòu)造單元[SiO4]四周體，兩個(gè)相鄰的[SiO4]四周體之間只好（A）連結(jié)。（A）共頂（B）共面（C）共棱（D）A+B+C17、點(diǎn)缺點(diǎn)與資料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、資料的高溫動力學(xué)過程等相關(guān)，以下點(diǎn)缺點(diǎn)中屬于本征缺點(diǎn)的是（D）。（A）弗侖克爾缺點(diǎn)（B）肖特基缺點(diǎn)（C）雜質(zhì)缺點(diǎn)（D）A+B18、位錯(cuò)的（A）是指在熱缺點(diǎn)的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動，結(jié)果致使空位或空隙原子的增值或減少。（A）攀移（B）攀移（C）增值（D）減少19、對于形成雜質(zhì)缺點(diǎn)而言，廉價(jià)正離子占有高價(jià)正離子地點(diǎn)時(shí)，該地點(diǎn)帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（D）。（A）負(fù)離子空位（B）空隙正離子（C）空隙負(fù)離子（D）A或B20、對于形成雜質(zhì)缺點(diǎn)而言，高價(jià)正離子占有廉價(jià)正離子地點(diǎn)時(shí)，該地點(diǎn)帶有正電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（D）。（A）正離子空位（B）空隙負(fù)離子（C）負(fù)離子空位（D）A或B21、形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響,主要表現(xiàn)為（D）。（A）穩(wěn)固晶格（B）活化晶格（C）固溶加強(qiáng)（D）A+B+C22、固溶體的特色是摻入外來雜質(zhì)原子后本來的晶體構(gòu)造不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無窮之分，此中（B）。（A）構(gòu)造相同是無窮固溶的充要條件（B）構(gòu)造相同是無窮固溶的必需條件，不是充分條件（C）構(gòu)造相同是有限固溶的必需條件（D）構(gòu)造相同不是形成固溶體的條件23、缺點(diǎn)對晶體的性能有重要影響，常有的缺點(diǎn)為（D）。（A）點(diǎn)缺點(diǎn)（B）線缺點(diǎn)（C）面缺點(diǎn)（D）A+B+C24、依據(jù)晶體構(gòu)造缺點(diǎn)形成的原由，可將晶體構(gòu)造缺點(diǎn)的種類分為（D）。（A）熱缺點(diǎn)（B）雜質(zhì)缺點(diǎn)（C）非化學(xué)計(jì)量缺點(diǎn)（D）A+B+C25、晶體中的熱缺點(diǎn)的濃度隨溫度的高升而增添，其變化規(guī)律是（B）。（A）線性增添（B）呈指數(shù)規(guī)律增添（C）無規(guī)律（D）線性減少26、空隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的空隙中。議論形成空隙型固溶體的條件須考慮（D）。（A）雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小（B）晶體（基質(zhì)）構(gòu)造（C）電價(jià)要素（D）A+B+C27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（A）作用下，在滑移面上的運(yùn)動，結(jié)果致使永遠(yuǎn)形變。（A）外力（B）熱應(yīng)力（C）化學(xué)力（D）構(gòu)造應(yīng)力28、柏格斯矢量（BurgersVector）與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為（A），其符號表示為（）。（A）刃位錯(cuò)；⊥（B）刃位錯(cuò)；VX（C）螺位錯(cuò)；（D）刃位錯(cuò)；29、熱缺點(diǎn)亦稱為本征缺點(diǎn)，是指由熱起伏的原由所產(chǎn)生的空位或空隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺點(diǎn)（Schottkydefect）時(shí)，（B）。（A）正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)陪伴晶體體積的減小（B）正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)陪伴晶體體積的增添（C）正離子空位和負(fù)離子空隙是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)陪伴晶體體積的增添（D）正離子空隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)陪伴晶體體積的增添30、熱缺點(diǎn)亦稱為本征缺點(diǎn)，是指由熱起伏的原由所產(chǎn)生的空位或空隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺點(diǎn)（Frenkeldefect）時(shí)，（A）。（A）空隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對出現(xiàn)（B）正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對出現(xiàn)（C）正離子空隙和負(fù)離子空隙同時(shí)成對出現(xiàn)（D）正離子空隙和位錯(cuò)同時(shí)成對出現(xiàn)31、位錯(cuò)的擁有重要的性質(zhì)，以下說法不正確的選項(xiàng)是（C）。（A）位錯(cuò)不必定是直線（B）位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的界限（C）位錯(cuò)能夠中止于晶體內(nèi)部（D）位錯(cuò)不可以中止于晶體內(nèi)部32、位錯(cuò)的運(yùn)動包含位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，此中（A）。（A）螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移（B）刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移（C）螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移（D）螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移33、硅酸鹽熔體中各樣聚合程度的聚合物濃度（數(shù)目）受（D）要素的影響。（A）構(gòu)成（B）溫度（C）時(shí)間（D）A+B+C34、當(dāng)熔體構(gòu)成不變時(shí)，隨溫度高升，低聚物數(shù)目（C），粘度（）。（A）降低；增添（B）不變；降低（C）增添；降低（D）增添；不變35、當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體構(gòu)成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。（A）降低；增添（B）不變；降低（C）增添；降低（D）增添；不變36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si高升而（B），隨溫度降落而（）。（A）增大，降低（B）降低，增大（C）增大，增大（D）降低，降低37、由結(jié)晶化學(xué)看法知，擁有（A）的氧化物簡單形成玻璃。（A）極性共價(jià)鍵（B）離子鍵（C）共價(jià)鍵（D）金屬鍵38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔體的橋氧數(shù)為（D）。（A）1（B）2（C）3（D）439、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（B）。（A）2.5（B）3（C）3.5（D）440、假如在熔體中同時(shí)引入一種以上的R2O時(shí)，粘度比等量的一種R2O高，這類現(xiàn)象為（B）。（A）加和效應(yīng)（B）混淆堿效應(yīng)（C）中和效應(yīng)（D）交錯(cuò)效應(yīng)41、對一般硅酸鹽熔體，隨溫度高升，表面張力將（A）。（A）降低（B）高升（C）不變（D）A或B42、熔體的構(gòu)成對熔體的表面張力有很重要的影響，一般狀況下，O/Si減小，表面張力將（A）。（A）降低（B）高升（C）不變（D）A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（C）的過程。（A）可逆與突變（B）不可以逆與漸變（C）可逆與漸變（D）不可以逆與突變44、當(dāng)構(gòu)成變化時(shí)，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化擁有（C）。（A）突變性（B）不變性（C）連續(xù)性（D）A或B45、熔體構(gòu)成對熔體的表面張力有重要的影響，一般狀況下，O/Si減小，表面張力將（A）。（A）降低（B）高升（C）不變（D）A或B46、不一樣氧化物的熔點(diǎn)TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值（Tg/TM）靠近（B）易形成玻璃。（A）二分之一（B）三分之二（C）四分之一（D）五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲線來議論玻璃形成的動力學(xué)條件，三T曲線前端即鼻尖對應(yīng)析出10－6體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，往常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（A）。（A）愈困難（B）愈簡單（C）質(zhì)量愈好（D）質(zhì)量愈差48、不一樣O/Si比對應(yīng)著必定的齊集負(fù)離子團(tuán)構(gòu)造，形成玻璃的偏向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度相關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃（A）。（A）越不簡單（B）越簡單（C）質(zhì)量愈好（D）質(zhì)量愈差49、當(dāng)熔體中負(fù)離子公司以（C）的扭曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí)，對形成玻璃有益。（A）低聚合（B）不聚合（C）高聚合（D）A或C25、橋氧離子的均勻數(shù)Y是玻璃的構(gòu)造參數(shù)，玻璃的好多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（D），膨脹系數(shù)（）。（A）增大；不變（B）降低；增大（C）不變；降低（D）增大；降低50、對于實(shí)質(zhì)晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不一樣的，表面的質(zhì)點(diǎn)處于（A）的能階，所以致使資料體現(xiàn)一系列特別的性質(zhì)。（A）較高（B）較低（C）相同（D）A或C51、因?yàn)楣滔嗟娜S周期性在固體表面處忽然中止，表面上原子產(chǎn)生的相對于正常地點(diǎn)的上、下位移，稱為（B）。（A）表面縮短（B）表面弛豫（C）表面滑移（D）表面擴(kuò)充52、固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（B）液體的表面能。（A）小于（B）大于（C）小于等于（D）等于53、重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（），垂直方向的層間距與體內(nèi)（A）。（A）不一樣；相同（B）相同；相同（C）相同；不一樣（D）不一樣；不一樣54、粘附劑與被粘附體間相溶性（C），粘附界面的強(qiáng)度（）。（A）越差；越堅(jiān)固（B）越好；越差（C）越好；越堅(jiān)固（D）越好；不變55、離子晶體MX在表面力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)固的晶格地點(diǎn)，易極化的負(fù)離子受引誘極化偶極子作用而挪動，進(jìn)而形成表面（C，這類重排的結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)固。（A）縮短（B）弛豫（C）雙電層（D）B+C56、表面微裂紋是因?yàn)榫w缺點(diǎn)或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋相同會激烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性資料的強(qiáng)度這類影響尤其重要，微裂紋長度（），斷裂強(qiáng)度（A）。（A）越長；越低（B）越長；越高（C）越短；越低（D）越長；不變57、界面對資料的性質(zhì)有側(cè)重要的影響，界面擁有（D）的特征。（A）會惹起界面吸附（B）界面上原子擴(kuò)散速度較快（C）對位錯(cuò)運(yùn)動有阻擋作用（D）A+B+C58、只需液體對固體的粘附功（B）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自覺睜開。（A）小于（B）大于（C）小于等于（D）等于59、當(dāng)液體對固體的濕潤角θ＜90°時(shí)，即在濕潤的前提下，表面粗拙化后，液體與固體之間的濕潤（C）。（A）更難（B）不變（C）更易（D）A或B60、當(dāng)液體對固體的濕潤角θ＞90°時(shí)，即在不濕潤的前提下，表面粗拙化后，液體與固體之間的濕潤（A）。（A）更難（B）不變（C）更易（D）A或B61、粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)記著固-液兩相輔展聯(lián)合的堅(jiān)固程度，粘附功數(shù)值（B），固-液兩相互相聯(lián)合（）；相反，粘附功越小，則越易分別。（A）越大；越松懈（B）越大；越堅(jiān)固（C）越小；越堅(jiān)固（D）越大；不變62、為了提升液相對固相的濕潤性，在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí)，一定使液-固界面張力（B）。（A）降低（B）高升（C）保持不變（D）有時(shí)高升，有時(shí)降低63、對于附著濕潤而言，附著功表示為W=γSV+γLV-γSL，依據(jù)這一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯體上附著堅(jiān)固。（A）盡量采納化學(xué)構(gòu)成周邊的兩相系統(tǒng)（B）盡量采納化學(xué)構(gòu)成不一樣的兩相系統(tǒng)（C）采納在高溫時(shí)不發(fā)生固相反響的兩相系統(tǒng)（D）前三種方法都不可以64、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（C）體積內(nèi)部的濃度。（A）等于（B）大于（C）小于（D）A或B65、表面微裂紋是因?yàn)榫w缺點(diǎn)或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋相同會激烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性資料的強(qiáng)度這類影響尤其重要，微裂紋長度（A），斷裂強(qiáng)度（）。（A）越長；越低（B）越長；越高（C）越短；越低（D）越長；不變66、吸附膜使固體表面張力（B）。（A）增大（B）減小（C）不變（D）A或B67、粗拙度對液固相濕潤性能的影響是：C（A）固體表面越粗拙，越易被濕潤（B）固體表面越粗拙，越不易被濕潤（C）不必定（D）粗拙度對濕潤性能無影響68、以下對于晶界的說法哪一種是錯(cuò)誤的。A（A）晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不一樣的（B）晶界上原子的聚積較晶體內(nèi)部松懈（C）晶界是原子、空位迅速擴(kuò)散的主要通道（D）晶界易受腐化69、相均衡是指在多相系統(tǒng)中，物質(zhì)在各相間散布的均衡。相均衡時(shí)，各相的構(gòu)成及數(shù)目均不會隨時(shí)間而改變，是（C）。（A）絕對均衡（B）靜態(tài)均衡（C）動向均衡（D）臨時(shí)均衡70、二元凝集系統(tǒng)均衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（A）。（A）2（B）3（C）4（D）571、熱剖析法是相均衡的研究方法之一，其原理是依據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時(shí)間的變化狀況來判斷系統(tǒng)中能否發(fā)生了相變化，該方法的特色是（D）。（A）簡易（B）測得相變溫度僅是一個(gè)近似值（C）能確立相變前后的物相（D）A+B72、淬冷法是相均衡的研究的動向方法，其特色是（D）。（A）正確度高（B）合用于相變速度慢的系統(tǒng)（C）合用于相變速度快的系統(tǒng)（D）A+B73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉(zhuǎn)變溫度（A）兩種晶型的熔點(diǎn)。（A）低于（B）高于（C）等于（D）A或B74、不可以逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度（B種晶型的熔點(diǎn)。（A）低于（B）高于（C）等于（D）A或B75、在熱力學(xué)上，每一個(gè)穩(wěn)固相有一個(gè)穩(wěn)固存在的溫度范圍，超出這個(gè)范圍就變?yōu)榻榉€(wěn)相。在必定溫度下，穩(wěn)固相擁有（C）的蒸汽壓。（A）最高（B）與介穩(wěn)相相等（C）最低（D）A或B76、多晶轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律，系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)固態(tài)不是直接達(dá)成的，而是挨次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)固狀態(tài)。最后存在的晶相由（D）決定。（A）轉(zhuǎn)變速度（B）冷卻速度（C）成型速度（D）A與B77、二元凝集系統(tǒng)的相圖中，相界限上的自由度為（C）。（A）3

（B）2

（C）1

（D）078、依據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝集系統(tǒng)的相圖中，假如一個(gè)總質(zhì)量為

M的相分解為質(zhì)量

G1和

G2的兩個(gè)相，則生成兩個(gè)相的質(zhì)量與原始相的構(gòu)成到兩個(gè)重生相的構(gòu)成點(diǎn)之間線段（B。（A）成正比（B）成反比（C）相等（D）A或C79、三元相圖中，相界限上的自由度為（C）。（A）3（B）2（C）1（D）080、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特色為：（D）。（A）需要較高溫度（B）各向同性（C）各向異性（D）A+C81、在離子型資猜中，影響擴(kuò)散的缺點(diǎn)來自兩個(gè)方面：熱缺點(diǎn)與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺點(diǎn)，后者惹起的擴(kuò)散為（C）。（A）互擴(kuò)散（B）無序擴(kuò)散（C）非本征擴(kuò)散（D）本征擴(kuò)散82、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特色為：D（A）需要較高溫度（B）各向同性（C）各向異性（D）A+C83、擴(kuò)散之所以能進(jìn)行，在實(shí)質(zhì)上是因?yàn)橄到y(tǒng)內(nèi)存在（（A）化學(xué)位梯度（B）濃度梯度（C）溫度梯度

A）。（D）壓力梯度84、固溶體的種類及溶質(zhì)的尺寸對溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大影響。則活化能的大小次序?yàn)椋˙）。

H、C、Cr在γ-Fe中擴(kuò)散的（A）QH>QC>QCr

（B）QCr>QC>QH

（C）QC>QH>QCr

（D）QCr>QH>QC85、晶體的表面擴(kuò)散系數(shù)Ds、界面擴(kuò)散系數(shù)Dg和體積擴(kuò)散系數(shù)Db之間存在（A）的關(guān)系。（A）Ds>Dg>Db（B）Db<Dg<Ds（C）Dg>Ds>Db（D）Dg<Ds<Db86、在離子型資猜中，影響擴(kuò)散的缺點(diǎn)來自兩個(gè)方面：熱缺點(diǎn)和混雜點(diǎn)缺點(diǎn)。由它們?nèi)瞧鸬臄U(kuò)散分別稱為（B）。（A）自擴(kuò)散和互擴(kuò)散（B）本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散（C）無序擴(kuò)散和有序擴(kuò)散（D）穩(wěn)固擴(kuò)散和不穩(wěn)固擴(kuò)散87、穩(wěn)固擴(kuò)散（穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上，單位時(shí)間內(nèi)經(jīng)過該平面單位面積的粒子數(shù)（B）。（A）隨時(shí)間而變化（B）不隨時(shí)間而變化（C）隨地點(diǎn)而變化（D）A或B88、不穩(wěn)固擴(kuò)散（不穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指擴(kuò)散物質(zhì)在擴(kuò)散介質(zhì)中濃度隨（A）。（A）隨時(shí)間和地點(diǎn)而變化（B）不隨時(shí)間和地點(diǎn)而變化（C）只隨地點(diǎn)而變化（D）只隨時(shí)間而變化89、菲克（Fick）第必定律指出，擴(kuò)散通量與濃度梯度成正比，擴(kuò)散方向與濃度梯度方向（C）。（A）相同（B）沒關(guān)（C）相反（D）前三者都不是90、因?yàn)樘幱诰Ц竦攸c(diǎn)和空隙地點(diǎn)的粒子勢能的不一樣，在易位擴(kuò)散、空隙擴(kuò)散和空位擴(kuò)散三種體制中，其擴(kuò)散活化能的大小為（C）。（A）易位擴(kuò)散（C）易位擴(kuò)散

=空隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散>空隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散

（B）易位擴(kuò)散（D）易位擴(kuò)散

>空隙擴(kuò)散=空位擴(kuò)散<空隙擴(kuò)散<空位擴(kuò)散91、一般晶體中的擴(kuò)散為（

D）。（A）空位擴(kuò)散（B）空隙擴(kuò)散（C）易位擴(kuò)散（D）A和B92、由肖特基缺點(diǎn)惹起的擴(kuò)散為（A）（A）本征擴(kuò)散（B）非本征擴(kuò)散（C）正擴(kuò)散（D）負(fù)擴(kuò)散93、空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入周邊原子，而原子反向遷入空位，這類擴(kuò)散體制合用于（C）的擴(kuò)散。（A）各樣種類固溶體（B）空隙型固溶體（C）置換型固溶體（D）A和B94、擴(kuò)散過程與晶體構(gòu)造有親密的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)構(gòu)造（A），擴(kuò)散（）。（A）越密切；越困難（B）越松懈；越困難（C）越密切；活化能越小（D）越松懈；活化能越大95、不一樣種類的固溶體擁有不一樣的構(gòu)造，其擴(kuò)散難易程度不一樣，空隙型固溶體比置換型（D）。（A）難于擴(kuò)散（B）擴(kuò)散活化能大（C）擴(kuò)散系數(shù)小（D）簡單擴(kuò)散96、擴(kuò)散相與擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)差別越大，（B）。（A）擴(kuò)散活化能越大（B）擴(kuò)散系數(shù)越大（C）擴(kuò)散活化能不變（D）擴(kuò)散系數(shù)越小97、在晶體中存在雜質(zhì)時(shí)對擴(kuò)散有重要的影響，主假如經(jīng)過（D），使得擴(kuò)散系數(shù)增大。（A）增添缺點(diǎn)濃度（B）使晶格發(fā)生畸變（C）降低缺點(diǎn)濃度（D）A和B98、往常狀況下，當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時(shí)，其在高溫條件下惹起的擴(kuò)散主假如（A）。（A）本征擴(kuò)散（B）非本征擴(kuò)散（C）互擴(kuò)散（D）A+B99、按熱力學(xué)方法分類，相變能夠分為一級相變和二級相變，一級相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢相等，其一階偏微熵不相等，所以一級相變（B）。（A）有相變潛熱，無體積改變（B）有相變潛熱，并陪伴有體積改變（C）無相變潛熱，并陪