1、內容目錄 HYPERLINK l _bookmark0 中微半導體：國產設備龍頭，營收高速增長. - 5 - HYPERLINK l _bookmark1 半導體設備龍頭，中國制造面向全球 . - 5 - HYPERLINK l _bookmark4 員工持股平臺激勵到位，以董事長為核心的管理層經驗豐富. - 7 - HYPERLINK l _bookmark9 營收高速成長，盈利能力不斷增強. - 9 - HYPERLINK l _bookmark14 關注一：市場規模和市場競爭格局探討. - 12 - HYPERLINK l _bookmark15 刻蝕設備市場分析：市場CR3=94%，2

2、019 年國內市場規模近 365 億 . - 12 - HYPERLINK l _bookmark20 MOCVD 市場探討：國內市場每年新增 20 億，格局以美國 Veeco 為主. - 15 - HYPERLINK l _bookmark25 關注二：公司競爭優勢和客戶群體探討. - 19 - HYPERLINK l _bookmark26 管理、研發、客戶的三大競爭優勢造就護城河. - 19 - HYPERLINK l _bookmark33 公司刻蝕設備的市場地位、銷量和客戶群體 . - 22 - HYPERLINK l _bookmark36 公司 MOCVD 設備的市場地位、銷量和

3、客戶群體 . - 23 - HYPERLINK l _bookmark39 關注三：募投項目分析及公司未來發展規劃. - 24 - HYPERLINK l _bookmark41 可比估值及投資建議 . - 26 - HYPERLINK l _bookmark43 風險提示. - 26 -圖表目錄 HYPERLINK l _bookmark2 圖表 1：中微公司設立以來主要產品的演變情況. - 5 - HYPERLINK l _bookmark3 圖表 2：中微公司設立以來主要產品型號、特點以及應用領域 . - 6 - HYPERLINK l _bookmark5 圖表 3：公司股權結構前十及

4、管理層持股情況. - 7 - HYPERLINK l _bookmark6 圖表 4：公司控股子公司一覽情況. - 8 - HYPERLINK l _bookmark7 圖表 5：公司六名核心技術人員. - 8 - HYPERLINK l _bookmark8 圖表 6：公司近五年多研發投入及占營收比（%） . - 8 - HYPERLINK l _bookmark10 圖表 7：公司近三年多產品營收結構及變化 . - 9 - HYPERLINK l _bookmark11 圖表 8：公司近三年多營收和凈利潤及增速（%） . - 9 - HYPERLINK l _bookmark12 圖表 9

5、：公司分業務看近三年毛利率變化情況. - 10 - HYPERLINK l _bookmark13 圖表 10：發行人和可比公司毛利率水平對比 . - 10 - HYPERLINK l _bookmark16 圖表 11：2017 年集成電路各類設備銷售額占比（%）. - 12 - HYPERLINK l _bookmark17 圖表 12：各類設備在晶圓產線中的價值占比（紅線為刻蝕設備）. - 13 - HYPERLINK l _bookmark18 圖表 13：中國大陸半導體設備投資額測算（單位：億元）. - 13 - HYPERLINK l _bookmark19 圖表 14：2017

6、年全球刻蝕設備市場份額分布情況 . - 14 - HYPERLINK l _bookmark21 圖表 15：MOCVD 設備處于 led 產業鏈上游制作外延片. - 15 - HYPERLINK l _bookmark22 圖表 16：全球 MOCVD 設備市場規模及增長分布情況. - 16 - HYPERLINK l _bookmark23 圖表 17：2008-2015 年中國 MOCVD 的保有量、新增量及市場規模（億元）. - 17 - HYPERLINK l _bookmark24 圖表 18：MOCVD 設備主要廠商財務對比 . - 18 - HYPERLINK l _bookm

7、ark27 圖表 19：電容等離子體刻蝕設備核心技術概況. - 19 - HYPERLINK l _bookmark28 圖表 20：電感性等離子體刻蝕設備核心技術概況. - 20 - HYPERLINK l _bookmark29 圖表 21：深硅刻蝕設備（TSV 系列）核心技術概況. - 20 - HYPERLINK l _bookmark30 圖表 22：MOCVD 設備核心技術概況 . - 20 - HYPERLINK l _bookmark31 圖表 23：公司近年來擔任多項國家科技重大專項項目. - 21 - HYPERLINK l _bookmark32 圖表 24：公司目前三塊

8、業務主要的研發項目 . - 21 - HYPERLINK l _bookmark34 圖表 25：企業 A 的刻蝕設備訂單份額（臺數占比）. - 22 - HYPERLINK l _bookmark35 圖表 26：企業 B 的刻蝕設備訂單份額(臺數占比） . - 22 - HYPERLINK l _bookmark37 圖表 27：公司刻蝕設備的主要代表客戶情況 . - 23 - HYPERLINK l _bookmark38 圖表 28：公司 MOCVD 設備的主要代表客戶情況 . - 23 - HYPERLINK l _bookmark40 圖表 29：公司募投項目資金運用方向及投資額（

9、億元） . - 24 - HYPERLINK l _bookmark42 圖表 30：可比公司盈利預測與估值比較（Wind 一致性預測） . - 26 -中微半導體：國產設備龍頭，營收高速增長半導體設備龍頭，中國制造面向全球主要業務情況。中微半導體設備公司成立于 2004 年，是一家以中國為基地、面向全球的高端半導體微觀加工設備公司。公司基于在半導體制造設備產業多年積累的專業技術，涉足半導體集成電路制造、先進封裝、LED 生產、MEMS 制造以及其他微觀工藝的高端設備領域，瞄準世界科技前沿，堅持自主創新。公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和

10、5 納米的集成電路加工制造及先進封裝；公司的 MOCVD 設備在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產，公司已成為世界排名前列、國內占主導地位的氮化鎵基 LED 設備制造商。主要產品及演變過程。公司主要為集成電路、LED 芯片、MEMS 等半導體產品的制造企業提供刻蝕設備、MOCVD 設備及其他設備，其中主要產品的演變情況如下：圖表 1：中微公司設立以來主要產品的演變情況來源：招股說明書，圖表 2：中微公司設立以來主要產品型號、特點以及應用領域產品類別型號推出時間特點應用領域圖示電容性等離子體刻蝕設備Primo D- RIE2007年雙反應臺多反應腔主機系統，可靈活裝置多達三個雙反應臺反應腔。每

11、個反應腔都可以在單晶圓反應環境下同時加工兩片晶圓。由于其較高的成本效率和卓越的芯片加工性能，成功獲得客戶認可并投入生產線。65-16納米集成電路制造Primo AD- RIE2011年應用了更多創新設計，包括采用了可切換的低頻射頻發生器、上電極氣流分布以及下電極溫度調控的優化設計。可靈活裝置多達三個雙反應臺反應腔。該產品具備能夠滿足新一代芯片器件制造需求的先進性能。45-7納米邏輯集成電路制造Primo AD- RIE-e (AD-RIE增強型)2017年在Primo AD-RIE的基礎上改進了靜電吸盤，達到四分區單獨溫控并有動態調溫的功能。7納米以下邏輯集成電路制造Primo SSC AD-

12、RIE2013年可支持六個完全獨立可控的單反應臺腔體，并具有高射頻功率、高副產物排出速率，以達到高深寬比孔、槽的刻蝕要求。16納米以下2D閃存芯片制造Primo SSC HD-RIE2016年在Primo SSC AD-RIE的基礎上，進一步優化刻蝕反應氣體的氣流分布、改進了下電極的設計，可以實現超高脈沖射頻功率，以達到更高深寬比孔、槽的刻蝕要求。64層及以上的3D閃存芯片制造電感性等離子體刻蝕設備Primo nanova2016年可配置多達六個刻蝕反應腔、兩個可選的除膠反應腔。刻蝕反應腔采用了軸對稱設計，具有高反應氣體通量。電感耦合線圈采用了三維立體電感耦合線圈、軸對稱腔體設計。反應腔內壁由

13、高致密性、耐等離子體侵蝕材料構成，以實現良好的工藝重復性和生產率。設備采用了多區細分的高動態范圍溫控靜電吸盤，以達到較高的刻蝕均勻性。14納米及以下的邏輯電路；19納米以下存儲器件和3D閃存芯片制造Primo TSV2010年深硅刻蝕設備，每臺系統可配置多達三個雙反應臺的反應腔。該產品具備預熱反應臺、晶圓邊緣保護環、低頻射頻脈沖等多種功能，為深硅刻蝕應用提供所需的高技術、靈活性和生產能力。深硅刻蝕應用，包括先進封裝、CMOS圖像傳感器、MEMS、功率器件和等離子切割等MOCVD設備Prismo D- Blue2013年可配置四個19英寸的反應腔，同時加工232片2英寸晶片或56片4英寸晶片，工

14、藝能力還能延展到生長6英寸和8英寸外延晶片。每個反應腔都可獨立控制。藍綠光LED外延片及功率器件生產Prismo A72017年可配置四個28英寸的反應腔，同時加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工藝能力還能延展到生長8英寸外延晶片。每個反應腔都可獨立控制，雙區噴淋頭可實現更好的厚度和組分均勻性。該設備每個反應腔的產量是Prismo D-Blue的2倍以上。藍綠光LED外延片生產其他設備VOC設備2016年設備采用機電一體化、半導體等級的人機防護，具有獨特的在線濃度監測功能，能遠程實時管理和智能控制， 并可根據客戶的要求靈活配置不同處理規模的系統，提供給客戶可靠、穩定、安全和節能的VOC

15、凈化解決方案。平板顯示生產線等工業用的空氣凈化來源：招股說明書，員工持股平臺激勵到位，以董事長為核心的管理層經驗豐富無實際控制人，員工持股激勵到位。中微公司無控股股東、實際控制熱你，目前第一大股東上海創投的持股比例為 20.02%（實際控制人為上海市國資委），第二大股東巽鑫投資的持股比例為 19.39%，兩者持股比例接近。根據公司目前的實際經營管理情況，公司重要決策均屬于各方共同參與決策，公司無實際控制人。另外公司推出員工持股平臺南昌智微（境內員工持股）、中微亞洲（外籍員工持股之一）、Grenade（外籍員工持股之一）、Bootes 外籍員工持股之一）、勵微投資、芃徽投資等股東系于 2018

16、年 12 月 31 日簽訂的員工持股計劃協議設立的公司員工持股平臺持股比例分別為 6.37%、5.15%、2.38%、2.31%、0.41%和 0.05%，合計持股比例為 16.67%，目前包括其他在職離職的合計 845 名員工直接或間接持有公司占發行股份的 19.63%。公司已經通過全員持股方式，有效提高了關鍵技術人和研發團隊的忠誠度和凝聚力（其中董事長持股 1.29%）。控股&參股子公司分布一覽：公司擁有括四家境外子公司、一家境外分公司及四家境內子公司，具體如下：其中中微國際主要負責海外的銷售， 包括臺灣、日本、北美、韓國主要負責各自區域銷售，而境內子公司中微南昌主要為 MOCVD 設備，

17、中微廈門主要是 MOCVD 設備和刻蝕設備的銷售，中微惠創主要為 VOC 設備，中微匯鏈主要負責泛半導體設備生態鏈的培育和推廣，參股公司沈陽拓荊主要從事納米級鍍膜設備，上海創徒主要從事光電技術，上海芯元基主要從事半導體技術開發等。圖表 3：公司股權結構前十及管理層持股情況前十大股東股東名稱持股數量（股）持股比例1上海創投96,383,53320.02%2巽鑫投資93,337,88719.39%3南昌智微30,644,4546.37%4置都投資26,383,9865.48%5中微亞洲24,821,5375.15%6悅橙投資22,565,9914.69%7國開創新19,691,1834.09%8P

18、rimrose19,598,2244.07%9創橙投資13,184,0042.74%10和諧錦弘12,796,2402.66%合計263,023,50674.66%管理層持股職務持股數（股）持股比例尹志堯董事長、總經理6,200,2661.29%杜志游董事、副總經理2,331,4360.48%倪圖強副總經理1,274,3580.26%陳偉文副總、財務負責人1,162,8420.24%麥仕義副總裁2,341,1060.49%楊偉副總裁1,116,0330.23%吳乾英副總裁932,5740.19%李天笑副總裁2,076,6570.43%來源：招股說明書，圖表 4：公司控股子公司一覽情況來源：招股

19、說明書，重視研發，核心技術人員無變化。公司自設立至 2019 年 2 月末，公司申請了 1201 項專利，其中發明專利 1038 項，海外發明專利 465 項； 已獲授權專利 951 項，其中發明專利 800 項。主要是公司重視研發，截至2018 年末，公司共有研發和工程技術人員381 名，占員工總數的58%， 報告期內公司累計研發投入 10.37 億元，約占營業收入的 32%。最近 2 年，公司核心技術人員無變化，分別為尹志堯、杜志游、倪圖強、麥仕義、楊偉和李天笑。以創始人為主的技術團隊經驗豐富。其中中微公司的創始人、董事長及總經理尹志堯博士在半導體芯片和設備產業有 35 年行業經驗，是國際

20、等離子體刻蝕技術發展和產業化的重要推動者。在創辦中微公司以前， 尹志堯博士于 1984 年至 1986 年間供職于英特爾，從事核心技術開發工作；于 1986 年至 1991 年間在泛林半導體負責領導若干重點產品的刻蝕技術開發；于 1991 年至 2004 年間在應用材料擔任高級管理職務，包括企業副總裁、刻蝕產品事業部總經理、亞洲總部首席技術官。尹志堯博士是 89 項美國專利和 200 多項其他海內外專利的主要發明人。2018 年美國VLSI Research 的全球評比中，中微公司董事長尹志堯博士與英特爾董事長、格羅方德 CEO 等一起被評為 2018 年國際半導體產業十大領軍明星（All S

21、tars。另外其他中微公司的其他聯合創始人、核心技術人員和重要的技術、工程人員，包括杜志游博士、倪圖強博士、麥仕義博士、楊偉先生、李天笑先生等 160 多位各專業領域的專家很多是在國際半導體設備產業耕耘數十年，為行業發展做出杰出貢獻的資深技術和管理專家。圖表 5：公司六名核心技術人員圖表 6：公司近五年多研發投入及占營收比（%）核心人才職務主要簡介尹志堯董事長、總經理美國國籍，曾任英特爾、泛林、應用材料刻蝕設備產品總部、亞洲總部首席技術官；2004年至，擔任中微公司董事長和總經理。杜志游董事、副總經理美國國籍，曾任Praxair Inc.應材全球供應鏈管理、梅特勒總經理；2004年至今，擔任中

22、微首席運營官等。倪圖強副總經理美國國籍，曾任泛林半導體技術總監；2004年8月至今，擔任中微公司副總。麥仕義副總裁美國國籍，曾任英特爾資深工程師、應用材料資深總監、英特爾項目經理；2004年8月至今，擔任中微公司副總。楊偉副總裁美國國籍，曾任智群科技項目經理、應用材料資深總監，2004至今，擔任中微公司副總李天笑副總裁美國國籍，曾任索尼資深電氣工程師、應材亞太項目經理，2004至今，擔任中微公司副總。來源：招股說明書，來源：招股說明書，營收高速成長，盈利能力不斷增強刻蝕設備和MOCVD 設備為主，其他業務逐漸突破。公司主營收入來源按產品可分為專用設備、備品備件和設備維護類，收入主要來自半導體專

23、用設備的銷售。專用設備又包括刻蝕設備、MOCVD 設備和其他設備， 其中刻蝕設備和 MOCVD 設備是主要的營收來源，2016-2018 年公司刻蝕設備、MOCVD 設備的合計銷售收入分別為 4.86 億元、8.19 億元和13.98 億元，占專用設備銷售收入的比例分別為 99.57%、99.21%和100.00%，且 2018 年銷售收入分別為 5.6 億和 8.3 億。受集成電路制造商新建或擴張產能的投資強度、投資節奏和建設周期影響，刻蝕設備銷售收入會因少數客戶資本性支出規劃的變化而出現波動，但公司正在逐漸減少對少數客戶的依賴，未來預計受少數客戶直接影響的程度會降低。強勢扭虧為盈，經營業績

24、高速增長。公司的半導體設備產品線逐漸擴充并實現規模化銷售，已經形成刻蝕設備和MOCVD 設備并重的收入結構， 新一代產品也逐漸進入市場。公司營業收入保持高增長，從 2016 年的6.10 億元增長至 2018 年的 16.39 億元，年均復合增長率達 64%，呈現高成長性。報告期內公司在 2017 年度實現扭虧為盈，2018 年度經營業績繼續保持良好增長的態勢，報告期內毛利和凈利潤均大幅增加，2018 年分別實現 5.8 億元及 0.9 億元。圖表 7：公司近三年多產品營收結構及變化圖表 8：公司近三年多營收和凈利潤及增速（%）來源：招股說明書，來源：招股說明書，盈利能力保持較高水位：公司的刻

25、蝕設備下游客戶主要是集成電路制造商、半導體封測廠商，定制化程度高，綜合毛利率較高。公司的 MOCVD 設備的下游客戶主要是 LED 芯片制造商，標準化程度相對較高，綜合毛利率相對較低。報告期內，公司主營業務毛利率由于產品結構變化、市場策略變化有所下降，分別為 42.52%、38.59%和 35.50%，但總體維持在良好的水平。公司將通過產品升級、工藝改進、加強成本控制、提升商務談判水平等措施，進一步提升市場地位，提高毛利率水平。刻蝕設備毛利率 45%左右保持高位：2016 年、2017 年和 2018 年， 公司刻蝕設備毛利率分別為 43.13%、38.37%和 47.52%，存在一定波動，主

26、要原因為：（1）公司刻蝕設備的定制化程度較高，下游客戶要求相同造成差異；（2）為積累先進工藝經驗、加強重點客戶黏性、幫助其持續改進生產用材料、降低生產成本，公司對使用設備過程中出現略低于客戶期望的工藝參數的情況予以補償并計入當期營業成本。MOCVD 設備毛利率市場策略方面略有下降。2016 年、2017 年和2018 年，公司 MOCVD 設備的毛利率分別為 33.82%、38.13%、26.33%，2017 年公司MOCVD 設備毛利率同比增長4.31 個百分點，主要系 2017 年公司 MOCVD 設備新推出Prismo A7 型號，該型號較 Prismo D-Blue 型號技術含量較高所

27、致；2018 年度的 MOCVD 設備毛利率同比下降 11.79 個百分點，主要系公司為進一步擴大市場份額和提升銷售額，策略性地降低產品銷售價格所致。圖表 9：公司分業務看近三年毛利率變化情況圖表 10：發行人和可比公司毛利率水平對比來源：招股說明書，來源：招股說明書，關注一：市場規模和市場競爭格局探討公司所處的細分行業為集成電路設備行業中的刻蝕設備行業和 LED 設備行業中的MOCVD 設備行業。我們重點對這兩個細分板塊進行分析。刻蝕設備市場分析：市場CR3=94%，2019 年國內市場規模近 365 億1、 刻蝕設備占比設備投資 24%，市場規模約 365 億元刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積

28、是半導體三大主要設備。集成電路設備包括晶圓制造設備、封裝設備和測試設備等，而晶圓制造設備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 80%左右，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備，大約分別占據所有半導體設備總銷售額的 15%、20%、15%等。隨著半導體發展，刻蝕設備占比和市場規模越來越大。一方面隨著集成電路芯片制造工藝的進步，線寬不斷縮小、芯片結構 3D 化，晶圓制造向7 納米、5 納米以及更先進的工藝發展，由于普遍使用的浸沒式光刻機受到波長限制，14 納米及以下的邏輯器件微觀結構的加工將

29、通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應來實現，使得相關設備的加工步驟增多。另一方面半導體器件的結構趨于復雜，例如存儲器領域的 NAND 閃存已進入 3D 時代，3D NAND 制造工藝增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增大堆疊的層數，疊堆層數也從 32 層向 128 層發展，每層均需要經過刻蝕和薄膜沉積的工藝步驟，催生出更多刻蝕設備和薄膜沉積設備的需求；此外 3D 結構的半導體器件往往需要很小的通孔連接幾十至一百余層硅，因此對刻蝕設備的技術要求是更高的深寬比，這為刻蝕設備提出了新的應用方向和附加值。所以刻蝕設備和薄膜沉積正成為更關鍵且投資占比最高的設備。根據 2017 年集

30、成電路設備占比，刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備已變成 24、23、18。圖表 11：2017 年集成電路各類設備銷售額占比（%）來源：SEMI，圖表 12：各類設備在晶圓產線中的價值占比（紅線為刻蝕設備）來源：SEMI，我們預計到2018-2020 年中國大陸12 寸半導體設備的市場空間為4500 億元。我們研究和測算了大陸 12 寸晶圓廠開工、投產時間及進度，和每年投產的產線所對應的投資總額（設備支出占比 80%）。由于產線從最初投產后還需經過良率測試及產能爬坡的過程，在這個過程中設備的采購也是逐步進行的，所以我們將每年新增的設備投資額分別計入未來幾年的實際設備投資額中，實際可達的產能同理

31、。(我們設備投資總額分為三部分計入未來三年的實際投資額中，當年 20%、第二年 40%、第三年 40%，產能測算同理。)經過測算，我們預測 2018 年中國大陸半導體設備空間為 850 億元人民幣，同比增長 60%，2019 年為 1520 億元， 同比增長 78.8%，2020 年為 2140 億元，同比增 40%，2019-2020 是半導體設備關鍵的放量階段。各核心設備的投資額：若分拆到各類設備上，根據對應的投資占比：2019年刻蝕設備 365 億元、光刻設備 350 億元、沉積設備 274 億元。圖表 13：中國大陸半導體設備投資額測算（單位：億元）年份新增投資總額用于設備的新增投資總

32、額新增月產能（k/ 月）實際新增產能（k/月）實際設備投資額2016735.0588.09018+117.6+2017418.8335.011559+302.2+20182999.02399.2385159849.120192667.02133.64502901520.420202040.01632.04004142139.52021542.0433.61303661593.0來源：整理（2016 及 2017 年沒有測算 2016 年之前投產的產線，故表格中實際新增產能和投資額小于實際發生值）2、 刻蝕設備競爭格局：前三占據 94%，泛林設備半壁江山刻蝕設備行業集中度較高，泛林半導體占據刻蝕

33、設備市場份額半壁江山。隨著集成電路中器件互連層數增多，刻蝕設備的使用量不斷增大， 泛林半導體由于其刻蝕設備品類齊全，從 65 納米、45 納米設備市場起逐步超過應用材料和東京電子，成為行業龍頭。根據 The Information Network 數據顯示，泛林半導體在刻蝕設備行業的市場占有率從 2012 年的約 45%提升至 2017 年的約 55%，主要替代了東京電子的市場份額；排名第二的東京電子的市場份額從 2012 年的 30%降至 2017 年的 20%； 應用材料位于第三，2017 年約占 19%的市場份額。前三大公司在 2017 年占據刻蝕設備總市場份額的 94%，行業集中度高，

34、技術壁壘明顯。圖表 14：2017 年全球刻蝕設備市場份額分布情況來源：The Information Network，泛林半導體：該公司成立于1980年，系美國納斯達克證券交易所 上市公司（股票代碼：LRCX），主要從事半導體設備的研發、生產和銷售，主要產品包括刻蝕設備、薄膜沉積設備、晶圓清洗設備、光致抗蝕設備等。泛林半導體于2001年在上海成立了全資子公司“泛林半導體設備技術（上海）有限公司”。東京電子：該公司成立于1963年，系東京證券交易所上市公司（股票代碼：8035），主要從事半導體設備的研發、生產和銷售，主要產品包括熱處理成膜設備、等離子刻蝕機、單晶圓沉積設備、表面處理設備、晶圓測

35、試設備、涂膠機和顯影機等。應用材料：該公司成立于1967年，系美國納斯達克證券交易所上市公司（股票代碼：AMAT），主要從事半導體設備的研發、生產和銷售，主要產品包括原子層沉積設備、化學薄膜沉積設備、電化學沉積設備、物理薄膜沉積設備、刻蝕設備、快速熱處理設備、離子注入機、化學機械拋光設備等。北方華創：成立于2001年，系深圳證券交易所上市公司（股票代碼：002371），主要從事基礎電子產品的研發、生產、銷售和技術服務業務，主要產品包括刻蝕機、物理氣相沉積設備、化學氣相淀積設備、氧化爐、擴散爐、清洗機及鋰電極片裝備等半導體設備及零部件。MOCVD 市場探討：國內市場每年新增 20 億，格局以美國

36、 Veeco 為主1、MOCVD 為 LED 產線核心設備，國內市場規模每年新增 20 億MOCVD 設備主要用于半導體材料襯底的外延生長，是 LED 以及半導體器件的關鍵設備。MOCVD 設備占 LED 生產線投資的 50%以上。LED 產業鏈由襯底加工、LED 外延片生產、芯片制造和器件封裝組成，產業鏈中主要涉及的設備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；制造外延片需要的 MOCVD 設備；制造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。LED 外延片的制備是 LED 芯片生產的重要步驟，與集成電路在多種核心設備間循環的制造工藝不同，主要通過 MOC

37、VD 單種設備實現。MOCVD 設備作為 LED 制造中最重要的設備，進口一臺 VECCO 設備的價格約在 150 萬-200 萬美元之間，購置成本約占整個 LED 生產線成本的一半左右，因此 MOCVD 設備的數量成為衡量 LED 制造商產能的直觀指標。圖表 15：MOCVD 設備處于 led 產業鏈上游制作外延片來源：中國產業研究，國內需求占全球比例提升，每年新增市場規模20 億左右。根據Technavio 統計，全球 MOCVD 市場的復合年平均增長率將在 2021 年之前增長到14，市場規模將從 2016 年的 6148 億美元增加到 2021 年的 11628 億美元，復合增速 13

38、.6。而隨著全球 LED 芯片行業逐漸向大陸轉移， 國內 LED 芯片陸續擴張目前產能占全球總產能近 70，中國已成全球MOCVD 設備最大的需求市場，根據 CSA 等，中國大陸 2017-2018 年 MOCVD 機臺總數達到 1718、1900 臺，機臺數量年增率超過 10.5，若按照中微單價 930/785 萬元，市場規模約為 22.9-14.3 億元，另外目前 MOCVD 設備下游應用主要在藍光 LED，藍光，ED 則主要用于照明領域，除藍光 LED， MOCVD 設備還可應用于綠光 LED、紅光 LED、深紫外 LED，以及 Mini LED、Micro LED、功率器件等諸多新興領

39、域，MOCVD 設備的市場規模會有望進一步擴大。圖表 16：全球 MOCVD 設備市場規模及增長分布情況來源：Technavio，電子工程世界，圖表 17：2008-2015 年中國 MOCVD 的保有量、新增量及市場規模（億元）來源：中國產業信息網，招股說明書，CSA，（2016-2017-2018 年以中微均價測算規模）2、競爭格局以美國 Veeco、德國 AIXTRON 等為主，中微半導體逐漸追趕行業龍頭以美德為主，國內追趕較快。目前美國的 Veeco、德國 AIXTRON、日本的 NIPPON Sanso 和 Nissin Electric 是起步較早的 MOCVD 設備供應商，由于日

40、本對 MOCVD 設備實行出口限制政策，全球市場基本被 Veeco 和 AIXTRON 壟斷，（此前兩家 MOCVD 設備廠一度壟斷了全球 MOCVD 設備 90%以上的市場份額）。但隨著國內國家 LED 發展政策及政府補貼，我國涉足 MOCVD 設備的企業不斷增多，現已有中微半導體、中晟光電、廣東昭信等企業快速追趕，尤其中微半導體 2018 年收入達 8.32 億，接近AIXTRON 的 40%縮小和世界設備廠商的差距。維易科：公司成立于 1945 年，系美國納斯達克證券交易所上市公司（股票代碼：VECO），主要從事薄膜加工設備的研發、生產和銷售，主要產品或技術包括 MOCVD 設備、分子束

41、外延、光刻設備等。愛思強：公司成立于 1983 年，系法蘭克福證券交易所上市公司（股票代碼：A0WMPJ），主要從事沉積系統設備的研發、生產和銷售，主要產品包括 MOCVD 設備、有機薄膜沉積設備、聚合物薄膜沉積設備、等離子體增強化學薄膜沉積設備和化學薄膜淀積設備等。圖表 18：MOCVD 設備主要廠商財務對比來源：招股說明書，關注二：公司競爭優勢和客戶群體探討管理、研發、客戶的三大競爭優勢造就護城河創始人及技術團隊優勢：中微公司的創始人、董事長及總經理尹志堯博士在半導體芯片和設備產業有 35 年行業經驗，是國際等離子體刻蝕技術發展和產業化的重要推動者。在創辦中微公司以前，尹志堯博士于1984

42、 年至 1986 年間供職于英特爾，從事核心技術開發工作；于 1986 年至 1991 年間在泛林半導體負責領導若干重點產品的刻蝕技術開發； 于1991 年至2004 年間在應用材料擔任高級管理職務，包括企業副總裁、刻蝕產品事業部總經理、亞洲總部首席技術官。尹志堯博士是 89 項美國專利和 200 多項其他海內外專利的主要發明人。2018 年美國 VLSI Research 的全球評比中，中微公司董事長尹志堯博士與英特爾董事長、格羅方德 CEO 一起被評為 2018 年國際半導體產業十大領軍明星（All Stars）。中微公司的其他聯合創始人、核心技術人員和重要的技術、工程人員，包括杜志游博士

43、、倪圖強博士、麥仕義博士、楊偉先生、李天笑先生等 160 多位各專業領域的專家，其中很多是在國際半導體設備產業耕耘數十年為行業發展做出較大貢獻。圖表 19：電容等離子體刻蝕設備核心技術概況名稱技術來源專利及其他技術保護措施技術水平應用和貢獻情況Primo D-RIEPrimo AD-RIEPrimo SSC AD-RIEPrimoSSC HD-RIE雙反應臺高產出率技術自主研發已獲授權專利5項國際先進已量產已量產-接觸式上電極噴淋板技自主研發已獲授權專利10項；申請中專利6項國際先進已量產已量產已量產已量產晶圓邊緣區域氣簾技術自主研發已獲授權專利2項； 申請中專利2項國際先進-已量產已量產已量

44、產脈沖阻抗匹配技術自主研發已獲授權專利11項； 申請中專利2項國際先進-已量產已量產已量產等離子體約束技術自主研發已獲授權專利7項； 申請中專利國際先進已量產已量產已量產已量產來源：招股說明書，圖表 20：電感性等離子體刻蝕設備核心技術概況圖表 21：深硅刻蝕設備（TSV 系列）核心技術概況名稱技術來源專利及其他技術保護措施技術水平應用和貢獻情況低電容耦合線圈技術自主研發已獲授權專利4項； 申請中專利1項國際先進已量產抗損耗氧化釔鍍膜技術自主研發已獲授權專利8項； 申請中專利1項國際先進已量產反應腔對稱抽氣技術自主研發已獲授權專利2項國際先進已量產名稱技術來源專利及其他技術保護措施技術水平應用

45、和貢獻情況TSV設備雙反應臺高產出率技術自主研發已獲授權專利3項； 申請中專利1項國際先進已量產側引入氣體均勻化技術自主研發已獲授權專利13 項；申請中專利1項國際先進已量產高速氣體轉換技術自主研發已獲授權專利9項； 申請中專利1項國際先進已量產來源：招股說明書，來源：招股說明書，圖表 22：MOCVD 設備核心技術概況名稱技術來源專利及其他技術保護措施技術水平應用和貢獻情況Prismo D- BluePrismo A7雙區可調控工藝氣體噴淋頭自主研發已獲授權專利18 項；申請中專利1項國際先進-已量產高溫度均勻性加熱器和帶鎖托盤驅動技術自主研發已獲授權專利1項； 申請中專利2項國際先進已量產

46、已量產高精度可編程托盤傳輸技術自主研發已獲授權專利4項； 申請中專利1項國際先進已量產已量產智能化溫控技術自主研發已獲授權專利16項；申請中專利1項國際先進已量產已量產來源：招股說明書，研發優勢。公司始終保持大額的研發投入和較高的研發投入占比，最近三年累計研發投入達到 10.37 億元，占營業收入的比重平均為 32%。這使得公司積累了深厚的技術儲備和豐富的研發經驗，這一優勢保證了公司產品和服務的不斷進步，并且公司擁有多項自主知識產權和核心技術， 截至 2019 年 2 月 28 日，公司已申請 1201 項專利，已獲授權專利 951 項，其中發明專利 800 項。目前公司已順利完成四個等離子體

47、刻蝕機的開發和產業化項目，正在執行的第五個研發項目已提前兩年達到預定技術指標，在刻蝕設備方面，公司成功開發了低電容耦合線圈技術、等離子體約束技術、雙反應臺高產出率技術等關鍵技術；在 MOCVD 設備方面，公司新開發的Prismo A7 設備擁有雙區可調控工藝氣體噴淋頭和帶鎖托盤驅動技術，以實現優良的波長和厚度均一性指標。圖表 23：公司近年來擔任多項國家科技重大專項項目序號項目類別重大科研項目名稱項目時間1國家科技重大專項65-45nm介質刻蝕機研發與產業化2009.1-2012.72上海市高新技術產業化重大項目計劃高端MOCVD設備研發及產業化2010.8-2013.123國家科技重大專項3

48、2-22nm介質刻蝕機研發與產業化2011.1-2014.942012年度上海市戰略性新興產業項目450mm大尺寸刻蝕機研發2013.1-2015.125國家科技重大專項22-14納米介質刻蝕機開發及關鍵零部件國產化2013.1-2016.126國家科技重大專項14-7納米介質刻蝕機研發及產業化2016.1-至今7國家科技重大專項刻蝕工藝零部件驗證與應用2017.1-來源：招股說明書，圖表 24：公司目前三塊業務主要的研發項目序號名稱擬達到的主要目標階段及進展應用與行業技術水平比較電容性等離子體刻14-7納米CCP介質刻蝕機研發及產業化下電極和晶圓周邊結構和性能改進、開發減少金屬污染和顆粒物產

49、生的新材料和新表面處理方法，滿足均勻性、減少金屬污染和顆粒物的要求；開發腔體和氣體傳輸系統采用新型的防腐蝕涂層材料開發階段14-7納米集成電路的多膜層結構刻蝕、前端接觸孔、有機掩模層刻蝕等刻蝕國際先進水平用于先進邏輯電路的CCP刻蝕設備實現等離子體密度分布的可調節，滿足均勻性、減少金屬污染和顆粒物的要求研究階段7納米以下邏輯電路刻蝕國際先進水平用于存儲器刻蝕的CCP刻蝕設備設計開發超低頻和超大功率的射頻等離子系統及對應的靜電吸盤、多區控溫性能的上電極、溫度可調節的邊緣環系統等，滿足超高深寬比的刻蝕需求研究階段3D NAND，128層追趕國際先進水平刻蝕設備的進一步改進集成電路刻蝕設備的工藝改進

50、，電極和晶圓周邊結構和性能的改進、優化上電極的設計等，滿足穩定生產的需求研究階段頂層金屬接觸孔、金屬溝槽等的刻蝕國際先進水平電感性等離子體14-7納米ICP介質刻蝕機研發及產業化涉及開發射頻能量饋入電感式耦合線圈、雙控細分多區動態靜電吸盤、先進的射頻匹配技術及動態、分區域的反應氣體注入系統等開發階段14-7納米集成電路的刻蝕，如雙重/四重圖形、模板刻蝕、邊墻刻蝕、減薄刻蝕等國際先進水平高端MEMS等離子體刻蝕設備研發及產業化開發提高氣體解離率和等離子體的均勻性的裝置；設計開發脈沖射頻發生器；開發靜電吸附卡盤邊緣保護裝置和聚焦環等開發階段先進 MEMS芯片國際先進水平MOCVD高溫MOCVD設備

51、開發適用于UVC LED生長的高溫MOCVD設備，可承載18片2寸外延片開發階段UVC LED、紫外殺菌、工業水凈化等國際先進水平國產化加熱系統在MOCVD設備上的推廣應用電源可根據加熱器電壓等級及功率要求任意組合，可實現主從控制，與加熱器的負載特性相匹配開發階段藍綠光LED、通用照明等國際先進水平30英寸大尺寸MOCVD設備開發更大尺寸MOCVD設備：托盤尺寸達30英寸，可承載41片4英寸外延片或18片6寸外延片研究階段藍綠光LED、通用照明、Mini LED等國際先進水平新型高產能MOCVD設備改進現有MOCVD設備性能，提高設備穩定性研究階段藍綠光LED外延片生產國際先進水平來源：招股說

52、明書，較強的客戶服務優勢及資源。較強的客戶服務優勢。半導體設備制造商的售后服務尤為關鍵，關系到設備能否在客戶生產線上正常、穩定地運行。相較于國際競爭對手，公司在地域上更接近主流客戶，能提供更快捷、更經濟的技術支持和客戶維護。為保證公司的售后服務水平，公司成立了全球業務部統籌公司銷售業務，組建了一支經驗豐富的售后服務團隊，保證 724 小時響應客戶的需求，并在約定時間內到達現場排查故障、解決問題。公司專業、快捷的售后服務能力在業內樹立了良好的品牌形象。公司在 VLSI Research 2018 年度全球芯片設備“客戶滿意度”調查多項排名中位居前列，包括全球晶圓制造設備供應商排名第三、芯片制造設

53、備專業供應商排名第二、薄膜沉積設備供應商排名榜首。豐富的客戶優質資源。經過多年的努力，公司憑借其在刻蝕設備及MOCVD 設備領域的技術和服務優勢，產品已成功進入了海內外半導體制造企業，形成了較強的客戶資源優勢。目前公司每年前五名客戶包括臺積電、中芯國際、海力士、華力微電子、聯華電子、長江存儲、三安光電、華燦光電、乾照光電、璨揚光電等，以及前述客戶同一控制下的關聯企業。2016 年、2017 年和 2018 年，公司對前五大客戶的銷售占比分別為 85.74%、74.52%和 60.55%，客戶集中度占比逐年降低，客戶群體逐漸增加。公司刻蝕設備的市場地位、銷量和客戶群體市場地位：刻蝕設備設備行業均

54、呈現高度壟斷的競爭格局，中微公司是我國半導體設備企業中極少數能與全球頂尖設備公司直接競爭并不斷擴大市場占有率的公司，是國際半導體設備產業界公認的后起之秀。公司自主研發的刻蝕設備正逐步打破國際領先企業在國內市場的壟斷，已被海內外主流客戶認可，根據招股說明書，公司近期在兩家國內知名存儲芯片制造企業采購的刻蝕設備臺數已占據前四名，如下圖 25-26 所示。刻蝕設備近三年銷量情況。2016-2018 年銷量分別為 56-33-71 腔，同比增加了-41%和 115%。其中 2017 年受少數客戶資本性支出消減影響， 2018 年，受中國大陸集成電路制造商投資持續大幅增長，公司及時重點加大在中國大陸市場

55、的銷售力度，刻蝕設備的銷售數量回升至 71 腔， 同比增長 115.15%，呈現出快速增長的勢頭。主要客戶：公司刻蝕設備下游主要是集成電路制造商、半導體封測廠商， 包括臺積電、中芯國際、聯華電子、華力微電子、海力士、長江存儲、華邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半導體等。圖表 25：企業 A 的刻蝕設備訂單份額（臺數占比）圖表 26：企業 B 的刻蝕設備訂單份額(臺數占比）來源：中國際招標網，來源：中國際招標網，公司 MOCVD 設備的市場地位、銷量和客戶群體市場地位：2017 年以前 MOCVD 設備主要由維易科和愛思強兩家國際廠商壟斷。2017 年以來公司的 MOCVD 設備逐步打破上

56、述企業的壟斷。根據 IHS Markit 的統計，2018 年公司在全球氮化鎵基 LED MOCVD 設備市場占據主導地位。主要銷量情況：受益于公司長期的技術積累，Prismo A7 型號 MOCVD 設備 2017 年度全面獲得客戶認可，銷量快速增長。2017 年和 2018 年， 公司 MOCVD 設備的銷售數量分別為 57 腔和 106 腔，同比大幅增長。主要客戶：公司自主研發的 MOCVD 設備已被三安光電、華燦光電、乾照光電等多家一流LED 制造廠商大批量采購。圖表 27：公司刻蝕設備的主要代表客戶情況圖表 28：公司 MOCVD 設備的主要代表客戶情況來源：招股說明書，來源：招股說

57、明書，關注三：募投項目分析及公司未來發展規劃募投資金用途：募投資金 10 億用于設備升級及研發。1、高端半導體裝備項目。公司的核心半導體設備產品主要為刻蝕設備和 MOCVD 設備兩大類，高端半導體設備的擴產升級計劃包括但不限于聘請工程師、專家及其他人才，采購不同類型的刻蝕設備及 MOCVD 設備的Beta 機，采購擴產升級所需的必要生產輔助設備和軟件，儲備擴產升級所需的氣體、襯底等關鍵原材料，建設改造原有的生產廠房和倉儲設施，以進一步擴大公司高端刻蝕設備和 MOCVD 設備的生產能力及在相關領域的應用。具體如下：高端刻蝕設備擴產升級：包括Primo AD-RIE、Primo SSC HD-RIE和Primo nanova等；高端MOCVD設備擴產升級：包括高產能藍綠光LED MOCVD、高溫MOCVD、硅基氮化鎵功率應MOCVD、基于LED顯示應用的MOCVD設備等；2、技術研發中心建設升級項目。公司技術研發建設升級包括技術研發中心軟硬件設備配置，引進優秀的技術人才，對行業前瞻性技術