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文檔簡介

1、磷擴散筆記多晶硅擴散氧化層對太陽電池性能的影響_周藝.pdf 擴散前通氧的影響多晶硅太陽電池低溫變溫擴散工藝的優化_周藝.pdf 低溫擴散優于高溫擴散的原因：磷吸雜效果好，進多晶硅太陽電池低溫變溫擴散工藝的優化_周藝.pdf由氧化層厚度估算化學反應擴散摻雜量的研究.docx 4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2（1） 2P2O5+5Si=5SiO2+4P （2） 干氧與硅也會直接發生反應生成SiO2薄膜，但干氧氧化速率相當低，在硅太陽電池的液態源磷擴散的條件下（900，1015min），干氧與硅直接反應生成的SiO2薄膜在10nm左右，可以忽略不計，亦可做為修正因子，SiO2薄膜主要是由

2、反應式（1）和（2）生成的。 反應式（2）的氧化機理是：高溫下的P2O5分子與硅片表面的Si原子反應，生成SiO2起始層，此后，由于氧化層阻止了P2O5分子與硅片表面的直接接觸，P2O5分子只有以擴散方式通過SiO2層，到達SiO2-Si界面，才能與Si原子反應，生成新的SiO2層和P原子。 在900時，磷在硅中的擴散系數約為其在二氧化硅中的100倍，而且磷在硅中的固溶度約為其在二氧化硅中的10倍，可以認為所生成的磷原子絕大多數擴入了硅片中。擴散裝備發展現狀及發展趨勢_曹孫根.pdf晶體硅太陽電池制作中的擴散工藝研究_何堂貴.caj磷在p型硅中擴散工藝研究_曹儲輝.caj1、片內均勻性，隨片間距增大而改善，2、磷擴散過程分為幾個部分3、減少干氧的量，方阻降低，且減少氧化膜也提高硅片擴散的片均勻性硅太陽電池擴散方阻均勻性研究_

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