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核磁共振H譜（化學位移）

1/11目錄12345化學位移產生化學位移表示方法影響化學位移原因常見基團化學位移例題分析2/111、化學位移產生電子屏蔽效應氫核周圍存在不停運動著電子，在外磁場作用下，運動著電子產生一個會與外磁場方向相反感應磁場，抵消了部分外磁場作用，使核受到外磁場作用減小，起到屏蔽作用。在有機化合物中，氫核受核外電子屏蔽作用，使其共振頻率發生改變，即引發共振吸收峰位移，這種現象稱為化學位移。（不一樣氫核，所處化學環境不一樣，化學位移值也不相同。）3/112、化學位移表示方法如定義中所提到，不一樣氫核，所處化學環境不一樣，出峰位置也不一樣，其峰位置不便準確測定，故在試驗中采取某一標準物質作為基準，以基準物質（通常以TMS作為基準物質）譜峰位置作為核磁譜圖坐標原點。計算方程式抗磁屏蔽：原子核外電子在外加磁場感應下產生抗磁場，使原子核實受磁場稍有降低，故此屏蔽稱為抗磁屏蔽。設以固定電磁頻率掃描磁場強度方式作圖，橫坐標由左至右表示磁場強度增加方向。若某一官能團氫核抗磁屏蔽較大，則所需磁場強度更強，故可推斷出此譜線在其它官能團譜線右方（即相對高場位置）。即譜線為場強為右高左低4/113、影響化學位移原因3.1、誘導效應與質子相連元素電負性越強，吸電子作用越強，質子周圍電子云密度越小，屏蔽作用減弱，信號峰在低場出現。誘導效應是經過成鍵電子沿鍵軸方向傳遞，取代基距離越遠，誘導效應越弱。多取代基對化學位移影響。5/113、影響化學位移原因3.2、S-P雜化從SP3（碳碳單鍵)到SP2（碳碳雙鍵）S電子處罰從25%增加到33%，鍵電子更靠近碳原子，因而對相連氫原子有去屏蔽作用，即共振位移移向低場。3.3、磁各向異性屏蔽區：感應磁場與外磁場方向相反區域；去屏蔽區：感應磁場與外磁場方向相同區域。如圖，雙鍵H處于去屏蔽區，故其處于低場。化學位移為4.5-5.16/113、影響化學位移原因3.3、磁各向異性如圖，三鍵是直線構型，H所處感應磁場方向與外磁場方向相反，處于屏蔽區，故其處于高場。化學位移為2-3.如圖，苯上六個π電子產生較強感應磁場，H位于去屏蔽區，處于低場。化學位移為6.8-8.7/113、影響化學位移原因3.4、氫鍵影響鍵合在雜原子（N、O等）上質子易形成氫鍵。氫鍵質子相比于沒有形成氫鍵質子有較小屏蔽效應，共振吸收峰出現在低場。3.5、溫度影響3.6、溶劑效應溫度：大多數信號共振位置受溫度影響很小，但-OH、-NH和-SH在升高溫度時形成氫鍵程度降低，化學位移移向高場。溶劑效應：溶劑磁各向異性和溶質與溶劑之間形

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