【基礎知識】晶體結構與性質考點七空隙填充問題INCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\歸納整合必備知識.TIF"INCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\歸納整合必備知識.TIF"INETINCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\歸納整合必備知識.TIF"INETINCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\歸納整合必備知識.TIF"INETINCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\教師用書\\歸納整合必備知識.TIF"INET【必備知識】離子晶體中，往往陰離子的半徑比陽離子的半徑大，所以離子晶體的結構可以看成是陰離子的堆積形成空隙，陽離子去填充陰離子形成的空隙。1、如何判斷空隙種類填充原子配位數(shù)（一般是陽離子）846空隙種類2、如何判斷空隙數(shù)目？形成空隙的原子數(shù)（一般是陰離子數(shù)）：立方體：四面體：八面體=3、如何計算填隙率？陽離子數(shù)4、常見晶體模型NaCl型Na+的配位數(shù)為，Na+填入Cl-形成的空隙中。每個晶胞中實際擁有的Na＋數(shù)是個，Cl－數(shù)是個。每個晶胞含個空隙，Na+的填隙率為。CsCl型Cs＋的配位數(shù)為，Cs＋填入Cl-形成的空隙中。每個晶胞中實際擁有的Cs＋數(shù)是個，Cl－數(shù)是個。每個晶胞含個空隙，Cs＋的填隙率為。CaF2型Ca2＋的配位數(shù)為，Ca2＋填入F－形成的空隙中。每個晶胞中實際擁有的Ca2＋數(shù)是個，F(xiàn)－數(shù)是個。每個晶胞含個空隙，Ca2＋的填隙率為。ZnS型Zn2＋的配位數(shù)為，Zn2＋填入S2－形成的空隙中。每個晶胞中實際擁有的Zn2＋數(shù)是個，S2－數(shù)是個。每個晶胞含個空隙，Zn2＋的填隙率為。INCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\歸納整合必備知識.TIF"INCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\歸納整合必備知識.TIF"INETINCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\歸納整合必備知識.TIF"INETINCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\歸納整合必備知識.TIF"INETINCLUDEPICTURE"E:\\閆法敏\\2023\\一輪\\化學魯科\\word\\教師用書\\歸納整合必備知識.TIF"INET【跟蹤練習】1、五氯化磷在固體狀態(tài)時，由空間構型分別是正四面體和正八面體兩種離子構成，下列說法正確的是（）

A、五氯化磷固體是分子晶體B、五氯化磷具有良好的導電性

C、五氯化磷晶體有[PCl3]2+和[PCl7]2—構成，其離子數(shù)目之比為1：1

D、五氯化磷晶體有[PCl4]+和[PCl6]—構成，其離子數(shù)目之比為1：1例2、NiO的晶體結構如圖，則NiO晶體中Ni2+填充在O2-形成的空隙中，其中空隙填充率為。例3、已知立方BN晶胞結構如圖所示，N原子填充在B原子形成的空隙中，其空隙填充率為。例4、碳的一種單質C60可以與鉀形成低溫超導化合物，晶胞中C60的位置如圖，此化合物可以看成是K填充在C60形成的所有四面體間隙和八面體間隙之間，則化學式為。另一種堿金屬X與C60可形成類似化合物，但X只填充C60形成的八面體間隙的一半，此化合物化學式為。例5、科學家研究表明，F(xiàn)e3O4是由Fe2+、Fe3+、O2-通過離子鍵而組成的復雜離子晶體，O2-的重復排列方式如圖3所示，該排列方式中存在著兩種類型的由O2-圍成的空隙，如1、3、6、7的O2-圍成的空隙和3、6、7、8、9、12的O2-圍成的空隙，前者為正四面體空隙，后者為正八面體空隙，F(xiàn)e3O4