1.二極管若工作在反向擊穿區，一定會被擊穿。（錯）

2.晶體管可以把小電流放大成大電流。（對）

3.在P型半導體中，空穴是多數載流子，電子是少數載流子。（對）

4.在P型半導體中，空穴是少數截流子，電子是多數載流子。（錯）

5.品體管可以把小電壓放大成大電壓。（錯）

6.在N型半導體中，空穴是多數截流子，電子是少數載流子。（錯）

7.在N型半導體中空穴是少數載流子，電子是多數載流子。（對）

8.二極管兩端加上正向電壓就一定會導通。（錯）

9.半導體隨溫度的升高，電阻會增大。（錯）

10.PN結正向偏置時電阻小，反正偏置時電阻大。（對）

11.硅二極管的死區電壓小于錯二極管的死區電壓。（錯）

12.二極管的反向飽和電流越大，二極管的質量越好。（錯）

13.二極管一旦反向擊穿就一定損壞。（錯）

14.光電二極管和發光二極管使用時都應接反向電壓。（對）

15.發光二極管可以接受可見光線。（錯）

16.發射結正向偏置的三極管一定工作在放大狀態。（錯）

17.硅穩壓二極管的穩壓作用是利用其內部PN結的正向特性來實現的。（錯）

18.硅穩壓二極管工作在反向擊穿狀態，切斷外加電壓后，PN結仍處于反向擊穿狀態。（錯）

19.硅穩壓二極管可以串聯使用，也可以并聯使用。（錯）

20.只要限制擊穿電流，硅穩壓管就可以長期工作在反向擊穿區。（對）

21.P型半導體中不能移動的雜質離子帶負電，說明P型半導體呈負電性。（錯）

22.在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。（對）

231PN結正向偏置時，其表現的電阻為無窮大。（錯）

24.無論在任何情況下，三極管都具有電流放大能力。（錯）

25.無論P型半導體還是N型半導體都是不帶電的。（對）

26.二極管只要工作在反向擊穿區，一定會被擊穿。（錯）

27.當三極管的集電極電流大于它的最大允許電流1cm時，該管必被擊穿。（錯）

28.使用萬用表無法判斷一個二極管的好壞。（錯）

29.三極管的集電極和發射極半導體類型相同，因此可以互換使用。（錯）

30.晶體管三極管放大條件是（B

A.發射結要正向偏置B.發射結要正向偏置，集電結要反向偏置

C.集電結要反向偏置D.發射結要反向偏置，集電結要正向偏置

31.P型半導體是在本征半導體中加入微量的（A）元素構成的。

A.三價B.四價C.五價D.六價

32.PN結加正向電壓時，其正向電流是（A）。

A.多子擴散而成B.少子擴散而成

C.少子漂移而成D.多子漂移而成

33.穩壓二極管的正常工作狀態是（C）o

A.導通狀態B.截止狀態C.反向擊穿狀態D.任意狀態

34..用萬用表直流電壓擋測得晶體管三個管腳的對地電壓分別是4=2%V2=6V,%=2.7V,

由此可判斷該晶體管的管型和三個管腳依次為（B）o

A.PNP管，CBEB.NPN管，ECBC.NPN管，CBED.PNP管，EBC

35.測得某電路板上品體三極管3個電極對地的直流電位分別為VE=3V,4=3.7V,VC=3.3V,

則該管工作在（B）o

A.放大區B.飽和區C.截止區D.擊穿區

36.穩壓管是利用其伏安的（B）區特性進行穩壓的。

A.反向B.反向擊穿C.正向起始D.正向導通

37.半導體三極管是一種（C）o

A.電壓控制電壓的器件B.電壓控制電流的器件

C.電流控制電流的器件D.電流控制電壓的器件

38.某工作在放大狀態的三極管，當基極電流IB由60MA降低到40MA時，集電極電流IC

由2.3MA降彳氐到1.5MA,則此三極管的動態電流放大系數B為（C

A.37.5B.38.3

C.40D.57.5

39.工作在放大狀態的NPN三極管，其發射結電壓必和集電結電