標準解讀

《GB/T 43748-2024 微束分析 透射電子顯微術 集成電路芯片中功能薄膜層厚度的測定方法》是一項國家標準,旨在提供一種利用透射電子顯微鏡(TEM)技術來精確測量集成電路芯片內部各功能薄膜層厚度的方法。該標準適用于需要對半導體材料及其加工過程中形成的各種超薄膜進行厚度檢測的情況。

根據此標準,首先需要制備適合TEM觀察的樣品。這通常涉及使用聚焦離子束(FIB)技術從待測芯片上切割出非常細小的橫截面樣本,并將其轉移到特制的支持網上。接著,在高分辨率TEM下獲取這些樣品的圖像,通過識別不同材料間的界面位置來確定各個薄膜層的實際物理尺寸。此外,還可能結合能譜儀或電子能量損失譜等附加分析手段以提高區分度和準確性。

對于數據處理部分,《GB/T 43748-2024》規定了如何基于獲得的圖像計算每層薄膜的確切厚度值。這包括選擇適當的參考點、設定合理的測量范圍以及采用科學合理的統計方法來減小誤差并提高結果的可靠性。同時,也強調了在實驗操作過程中需要注意的一些關鍵因素,比如保持良好的儀器狀態、確保樣品制備質量以及遵循正確的圖像采集與分析流程等,以保證最終得到的數據具有較高的可信度。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2024-03-15 頒布
  • 2024-10-01 實施
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文檔簡介

ICS7104050

CCSN.33.

中華人民共和國國家標準

GB/T43748—2024

微束分析透射電子顯微術

集成電路芯片中功能薄膜層厚度的

測定方法

Microbeamanalysis—Transmissionelectronmicroscopy—

Methodformeasuringthethicknessoffunctionalthinfilmsin

integratedcircuitchips

2024-03-15發布2024-10-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T43748—2024

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

符號和縮略語

4……………2

方法原理

5…………………2

儀器設備

6…………………3

試樣

7………………………3

試驗步驟

8…………………4

測量結果的不確定度評定

9………………6

試驗報告

10…………………6

附錄資料性薄膜層厚度測量結果的不確定度評定示例

A()SiN……7

參考文獻

……………………10

GB/T43748—2024

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位廣東省科學院工業分析檢測中心南方科技大學勝科納米蘇州股份有限公司

:、、()。

本文件主要起草人伍超群于洪宇喬明勝陳文龍周鵬邱楊黃晉華汪青程鑫

:、、、、、、、、。

GB/T43748—2024

引言

功能薄膜材料及性能是先進集成電路制程中非常重要的基礎性工藝技術

(IntegratedCircuit,IC)

保障在基芯片或為基的寬禁帶半導體功率及射頻器件芯片微小型發光二極管

。Si、GaNSiC、(Micro-

等微納半導體元器件中各類功能薄膜材料更具有顯微結構復雜化學組成多元的特點先進集

Led),、。

成電路技術已經進入納米技術時代伴隨著智能社會的臨近以及技術的普及未來移動通信物聯

。5G,、

網智能健康醫療工業物聯網和智能駕駛等新興集成電路產業遠景正推動著先進集成電路芯片的智能

、、

化功能化微型化的技術進程成為半導體工業目前和未來技術發展的重要趨勢和特征萬物互聯和

、、,。

器件多功能性造就未來集成電路器件的更多新材料新結構的獨特屬性因此集成電路芯片的納米結

。,

構高純材料微量控制界面工程等精準規范化分析測試技術成為未來半導體工業健康發展的重要技

、、、

術關鍵納米級多層功能薄膜材料及性能是超大規模集成電路制程中非常重要的基礎性工藝技術保

,

障準確獲得納米級多層功能薄膜層的厚度顯得尤為重要透射電子顯微術獨特的高空間分辨率已經

,。

使其成為最重要的實現在納米尺度下進行微觀結構和微觀化學組成分析檢測的技術在目前我國大力

發展各類半導體芯片產業的前提下科研院所高等院校大型企業和各地分析測試中心等實驗室都已

,、、

裝備了大量透射電子顯微鏡掃描透射電子顯微鏡透射電子顯微技術已廣泛應用于半

/(TEM/STEM),

導體器件研發生產中納米尺度材料的分析研究

/。

目前尚沒有適用于測量集成電路芯片多功能膜層厚度的相關標準集成電路芯片的發展受到了嚴

,,

重制約制定新的國家標準規范集成電路芯片功能薄膜層厚度的測定方法具有重要意義

,、。

GB/T43748—2024

微束分析透射電子顯微術

集成電路芯片中功能薄膜層厚度的

測定方法

1范圍

本文件規定了用透射電子顯微鏡掃描透射電子顯微鏡測定集成電路芯片中功能

/(TEM/STEM)

薄膜層厚度的方法

本文件適用于測定幾個納米以上厚度的集成電路芯片中功能薄膜層

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

數值修約規則與極限數值的表示和判定

GB/T8170

微束分析分析電子顯微術透射電鏡選區電子衍射分析方法

GB/T18907—2013

微束分析薄晶體厚度的會聚束電子衍射測定方法

GB/T20724—2021

納米科技術語第部分納米結構材料

GB/T30544.44:

微束分析分析電子顯微學術語

GB/T40300—2021

聚焦離子束系統分析方法通則

JY/T0583—2020

3術語和定義

GB/T18907—2013、GB/T20724—2021、GB/T30544.4、GB/T40300—2021JY/T0583—2020

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

31

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