ICS7104099

CCSN.53.

中華人民共和國國家標準

GB/T20724—2021

代替GB/T20724—2006

微束分析薄晶體厚度的

會聚束電子衍射測定方法

Microbeamanalysis—Methodofthicknessmeasurementforthincrystals

byconvergentbeamelectrondiffraction

2021-12-31發(fā)布2022-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T20724—2021

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

方法概述

4…………………3

儀器設備

5…………………4

主要設備

5.1……………4

數(shù)據(jù)的記錄與測量方式

5.2……………4

試樣

6………………………4

一般要求

6.1……………4

薄晶體試樣

6.2…………………………4

萃取復型或粉末試樣

6.3………………4

實驗步驟

7…………………4

儀器準備

7.1……………4

獲取雙束會聚束電子衍射花樣

7.2……………………5

數(shù)據(jù)測量與計算

7.3……………………6

測定結果的不確定度

8……………………7

實驗報告

9…………………8

附錄資料性硅薄晶體厚度的會聚束電子衍射技術測定示例

A()……9

試樣

A.1…………………9

實驗條件及參數(shù)

A.2……………………9

實驗結果與數(shù)據(jù)分析

A.3………………9

測量結果

A.4…………………………15

參考文獻

……………………16

Ⅰ

GB/T20724—2021

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替薄晶體厚度的會聚束電子衍射測定方法與

GB/T20724—2006《》,GB/T20724—2006

相比除結構調整和編輯性改動外主要技術變化如下

,,:

增加了部分術語和定義見第章

a)(3);

增加了儀器準備要求見

b)(7.1);

更改了用模式進行實驗測定的步驟見年版的

c)TEM(7.2.1,20067.2);

增加了選區(qū)電子衍射花樣及其指數(shù)標定的示例圖見圖

d)(7.2.12);

增加了獲取會聚束衍射花樣的模式見

e)STEM(7.2.2);

更改了數(shù)據(jù)測量與計算的方法見年版的

f)(7.3,20067.6);

更改了用線性擬合法求薄晶體厚度的方法見年版的第章

g)(7.3.3、7.3.4,20068);

刪除了實驗報告格式的要求見年版的第章

h)(20069);

增加了不確定度分析見第章

i)(8);

更改了實驗報告內容的要求見第章年版的第章

j)(9,20069)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位北京科技大學中國航發(fā)北京航空材料研究院

:、。

本文件主要起草人柳得櫓婁艷芝

:、。

本文件于年首次發(fā)布為本次為第一次修訂

2006GB/T20724—2006,。

Ⅲ

GB/T20724—2021

引言

大量新材料的研制開發(fā)以及性能特征評估和控制等都需要在微米納米尺度上對其顯微組織特征

、

進行分析測定特別是薄晶體試樣或納米尺度粉體顆粒等材料厚度的測定薄晶體厚度的測定方法有

,、。

若干種目前會聚束電子衍射方法在適當工作條件下測定薄晶體厚度的相對標準偏差可以達

,(CBED)

到約是材料分析中非常重要的方法現(xiàn)在我國在科研院所高等院校大型企業(yè)和各省市分析測

2%,。、、

試中心等處的實驗室都裝備了許多透射電子顯微鏡掃描透射電子顯微鏡電子衍射技

/(TEM/STEM),

術廣泛應用于對各種材料尤其是新材料和納米材料的分析研究中

。

為了規(guī)范應用會聚束電子衍射技術測定材料薄晶體厚度的方法年發(fā)布了

,2006GB/T20724—

該標準已經(jīng)實施十幾年在此期間材料研究水平以及分析技術和儀器設備均有很大發(fā)展與進步

2006,,,,

尤其是新材料的開發(fā)應用對微束分析方法提出了更高的要求為了適應我國科學技術以及工業(yè)化發(fā)展

。

趨勢對材料科學與微觀分析的需求對進行了修訂

,GB/T20724—2006。

Ⅳ

GB/T20724—2021

微束分析薄晶體厚度的

會聚束電子衍射測定方法

1范圍

本文件描述了用透射電子顯微鏡掃描透射電子顯微鏡測定薄晶體試樣厚度的會聚束電子衍射

/

方法

。

本文件適用于測定線度為幾十納米至幾百微米厚度在幾十納米至幾百納米范圍內的薄晶體試樣

、

厚度

。

注由于透射電子顯微鏡薄試樣的厚度往往不均勻用會聚束衍射方法測定的是試樣被電子束照明區(qū)的局域厚度

:,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

微束分析分析電子顯微術透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法

GB/T18907—2013

測量不確定度評定和表示

GB/T27418—2017

微束分析分析電子顯微術術語

ISO15932:2013(Microbeamanalysis—Analyticalelectron

microscopy—Vocabulary)

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

ISO15932:2013。

31

.

會聚束電子衍射convergentbeamelectrondiffractionCBED

;

應用會聚的電子束獲得衍射花樣的技術

。

注由于入射電子束的孔徑角較大