存儲芯片行業(yè)市場分析1、存儲行業(yè)周期觸底，下半年或迎復蘇半導體行業(yè)包括集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，其中集成電路又可根據功能細分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等領域。根據世界半導體貿易統計（WSTS）數據，2021年全球半導體行業(yè)規(guī)模達到5559億美元，同比增長26%。其中存儲器細分賽道的占比為28%，市場規(guī)模為1538億美元，同比增長31%，是半導體市場中規(guī)模最大的子行業(yè)。此外，2021年全球光電子器件、分立器件、傳感器市場規(guī)模分別為424.04、303.37、191.49億美元，占比分別為8%、5%、3%。存儲芯片是半導體核心元器件之一，根據其性質可劃分為不同的類型。按照掉電后數據是否可以繼續(xù)保存在器件內，存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）；非易失性存儲器主要包括可編程只讀存儲器（PROM），閃存存儲器（Flash）和可擦除可編程只讀寄存器（EPROM/EEPROM）等。根據ICInsights數據，全球半導體存儲市場中，DRAM和NANDFlash是主要的兩種存儲芯片，占據主導地位。其中，2021年DRAM約占56%，NANDFlash約占41%。其他形態(tài)的存儲產品，如以NORFlash為代表的小容量存儲，占比約為2%。存儲芯片作為半導體產業(yè)的風向標，呈現出較強的周期性，行業(yè)景氣度受供需關系影響較大，在景氣度高漲時，各廠商擴大產能以增加收入，易導致供應過剩，而在景氣度下降時則收縮產能、降價清理庫存，最終導致市場供不應求。此外，存儲市場具有長期成長性，隨著人工智能、物聯網、云計算等行業(yè)的快速發(fā)展，整個存儲行業(yè)長期市場規(guī)模持續(xù)上行。2022年在宏觀經濟環(huán)境惡化和地緣因素影響下，全球消費電子市場需求下滑明顯，終端、渠道、原廠庫存高企，進一步抑制了對存儲產品的需求。據CFM閃存市場預測，2022年全球存儲市場規(guī)模將下降約13%，按季度劃分，2022Q4存儲市場規(guī)模已回到2019年Q1和Q2的周期低點水平，在淡季影響下，預計2023Q1市場規(guī)模繼續(xù)環(huán)比下降，2023Q2存儲市場規(guī)模有望逐季增長。存儲容量方面，2022年NANDFlash市場容量規(guī)模增長6%，達610BGB；DRAM存儲容量規(guī)模將增長4%，達194BGb，2023年隨著需求逐步改善，預計NAND和DRAM存儲容量規(guī)模將分別同比增長20%、10%。2、需求端：存儲行業(yè)有望觸底反彈，AI服務器推動需求增長目前存儲行業(yè)下游市場占比較大的是智能手機、服務器、PC等。根據CFM閃存市場數據，2021年DRAM下游應用中，智能手機、PC、服務器占比分別為35%、16%、33%；NAND的下游應用中，手機、cSSD、eSSD、存儲卡/UFD占比分別為34%、22%、26%、9%。2.1、手機：需求持續(xù)疲軟，下半年有望迎來小幅反彈2019年-2022年，全球智能手機出貨量整體起伏不大，穩(wěn)定在12-14億臺左右:國內智能手機出貨量自2016年以來持續(xù)減少，2021年實現15.93%的大幅反彈，而受制于疫情影響，換機周期延長等不利因素，2022年國內手機市場繼續(xù)萎縮。2023年隨著海外中低端5G手機普及率的提高、通脹政善以及中國疫情管控的放松等因素，全球及國內智能手機出貨量有望實現反彈。手機平均容量不斷增長助推存儲需求增長。由于近年來新舊智能手機之間的差異逐漸縮小，消費者換機周期不斷延長、對大容量機型的需求更加強烈。高端旗艦手機基于品牌定位和足夠的利潤空間，不斷提升產品性能和存儲容量，小米13Pro、OPPOFindN2、vivoX90Pro和榮耀80Pro等各大手機廠商最新推出的旗艦手機，普遍采用UFS3.1/UFS4.0和LPDDR5/LPDDR5X技術，存儲容量普遍達到256GB及以上，搭載256GB以上存儲容量的高端智能手機占比逐步提升。2.2、PC：Q1全球PC出貨量下跌33%，預計下半年將復蘇PC：Q1全球PC出貨量下跌33%，預計下半年將復蘇。據Canalys數據，2023Q1全球個人電腦的總出貨量下降33%至5400萬臺，連續(xù)四個季度達到兩位數的年跌幅。當前PC需求仍舊疲軟，以華碩、聯想、小米為代表的主流PC廠商銷量下滑、庫存水位上漲，在2022Q2創(chuàng)下庫存周轉天數新高，整體行業(yè)庫存仍未恢復健康狀態(tài)，2023年隨著需求逐步復蘇，庫存有望恢復正常水平。2.3、服務器:短期需求承壓，下半年出貨量有望恢復2022H2主要的云服務采購商AWS、Azure、谷歌和Meta的業(yè)務收入增速均出現放緩，其中AWS在2022Q3增速放緩至27.5%，為自2014年以來最低；Azure的增速則放緩至35%，服務器市場開始一輪庫存調整，預計持續(xù)至23Q2結束。但由于AI和云計算的整體增長前景向好，CFM閃存市場預計2022年服務器出貨量為1330萬臺同比增長3%，2023年有望恢復至5%的增速。受益于AI應用爆發(fā)，AI服務器市場有望持續(xù)擴張。據TrendForce數據，AI服務器2022-2026年復合增長率達10.8%，至2026年AI服務器年出貨量有望達到20萬臺左右。此外，隨著AI技術對高算力的需求增長，HBM芯片有望快速放量。根據Omida，2019年HBM市場規(guī)模為5億美元，至2025年市場規(guī)模有望達25億美元。HBM（HighBandwidthMemory，高帶寬內存）是基于3D堆疊工藝的新型DRAM解決方案，HBM使DRAM從傳統2D轉變?yōu)榱Ⅲw3D，充分利用空間、縮小面積，突破了內存容量與帶寬瓶頸。HBM主要是通過硅通孔（TSV）技術進行芯片堆疊，以增加吞吐量并克服單一封裝內帶寬的限制，將數個DRAM裸片垂直堆疊。通過增加帶寬，擴展內存容量，使模型與參數留在離核心計算更近的地方，從而降低延遲。未來人工智能、機器學習、高性能計算、數據中心等應用市場對帶寬將提出更高的要求，持續(xù)驅動HBM迭代發(fā)展。2.4、汽車電子：汽車電動化及智能化有望提升車載存儲需求根據中汽協數據，國內新能源汽車出貨量從2016年的51.7萬輛增長至2022年的705.8萬輛，CAGR達54.6%。據美光數據，新一代IVI系統和更先進的駕駛輔助系統等的需求增長，將推動2023年汽車存儲市場的強勁增長。具體來看，隨著自動駕駛L1發(fā)展至L5等級，車載智能芯片、T-BOX、GW、液晶儀表盤、DVR和EDR等對汽車本地存儲的需求越來越高，車輛搭載的攝像頭、激光雷達、熱成像等傳感器的需求也將不斷增加以滿足數據收集、交換和實時信息分享的需求，從而推動汽車存儲市場規(guī)模的增長，2030年預計可達到200億美元規(guī)模，其中最大的推動力來自IVI信息娛樂系統和ADAS的發(fā)展。3、供給端：各大存儲廠縮減資本開支，存儲芯片供需關系有望改善由于下游需求持續(xù)低迷，海力士、美光、旺宏、華邦電等各大存儲芯片大廠均縮減資本開支、調低產能利用率，未來隨著各大存儲廠商主動去庫存和減產，供需關系有望持續(xù)改善。銷售端：2022Q4三星存儲部門營收12.14萬億韓元，同比下降38%，環(huán)比下降20%。2022Q4三星DS部門營業(yè)利潤為0.27萬億韓元，同比下降97%，環(huán)比下跌95%。2023Q1SK海力士營收5.09萬億韓元，同比下降58%，環(huán)比下降34%，其中，NAND業(yè)務收入占比33%，約1.68萬億韓元；DRAM業(yè)務收入占比58%，約2.95萬億韓元。營業(yè)利潤為-3.4萬億韓元，凈利潤-2.59萬億韓元。美光FY2023Q2季度營收36.93億美元，同比下降53%，環(huán)比下降10%。其中DRAM收入27.22億美元，占營收74%，同比下降52.4%，環(huán)比下降3.8%。DRAMBit出貨量環(huán)比增長約15%，DRAMASP環(huán)比下降約20%。NAND收入8.85億美元，占總營收24%，同比下降54.8%，環(huán)比下降19.8%。NANDBit出貨量環(huán)比增加約5%~10%，NANDASP環(huán)比下跌約25%。美光預計23年DRAMBit需求增長放緩至5%左右，NANDBit需求增長在低雙位數百分比范圍。庫存端：庫存接近歷史高點，2023Q2有望逐步下降。截至2023Q1，海外存儲大廠庫存壓力普遍較大，從庫存水位來看，美光平均庫存周轉天數為235天，庫存減記后為153天，預計庫存周轉天數已經在該季度達到峰值，預計Q2后庫存有望逐步下降。4、價格端：存儲芯片價格跌幅有望收斂，供需關系改善加速價格拐點到來DRAM：目前市場仍處于消費需求疲弱的局面，存儲器廠商庫存壓力持續(xù)。由于海外多家供應商已開始積極減產，預計價格跌幅有望收斂。TrendForce預計2023Q2DRAM價格跌幅有望收斂至10~15%。NANDFlash：目前PC、手機端等市場需求仍處于萎縮階段。在市場需求、通貨膨脹等多種不確定因素的影響下，預測NAND在2023上半年仍處于供應過剩局面，價格存在繼續(xù)下跌的可能。TrendForce預計2023Q2NANDFlash價格跌幅有望收斂至5~10%。綜上，從需求端來看，存儲芯片需求仍保持較低水平，而供給端來看，隨著各大廠商主動去庫存和減產，供需關系有望持續(xù)改善?；谀壳肮┬桕P系，我們認為行業(yè)景氣度位于底部區(qū)域，23H2需求有望觸底回升。5、投資分析兆易創(chuàng)新兆易創(chuàng)新于2005年創(chuàng)立于北京，公司現有產品主要分為存儲器產品、微控制器產品以及傳感器產品。公司產品下游應用廣泛，主要涵蓋手機、平板電腦等手持移動終端、消費類電子產品、物聯網終端、個人電腦及周邊，以及通信設備、醫(yī)療設備、辦公設備、汽車電子、工業(yè)控制設備等領域。2022年存儲業(yè)務占比59.36%，其中NORFlash產品占絕大比例，MCU占比已達34.80%。并購思立微后拓展的傳感器業(yè)務占比5.35%。受益于國產替代浪潮，業(yè)績持續(xù)高速增長。2016—2022年間，營業(yè)收入從14.89億元增長至81.30億元，CAGR為32.70%，同期間歸母凈利潤從1.76億元增長至20.53億元，CAGR為50.60%。2022年以來，半導體行業(yè)供需狀況從全面供不應求逐步轉為結構性緊缺，全球消費市場低迷，終端需求有所下滑，手機等部分消費市場產品出現供過于求，而汽車、工業(yè)市場需求依然堅挺。公司不斷豐富完善產品線，不斷開拓新領域和新應用，不僅保持在消費市場，尤其是中高端消費市場的優(yōu)勢，并持續(xù)布局工業(yè)、汽車等行業(yè)。2022年營業(yè)收入為81.30億元，同比下降4%，歸母凈利潤為20.53億元，同比下降12%。行業(yè)缺貨疊加國產替代，盈利能力穩(wěn)步提升。2016-2020年公司毛利率較為穩(wěn)定，2021年受益于MCU、NORFlash等產品缺芯漲價，公司毛利率快速提升，2022年公司毛利率達47.66%，創(chuàng)歷史新高，凈利率達25.25%。公司近年研發(fā)費用逐年提高，呈現平穩(wěn)增長的趨勢。2022年公司研發(fā)費用達10.29億元，約占營業(yè)收入12.66%。公司在建立技術優(yōu)勢并取得良好業(yè)績回報的同時，高度關注知識產權保護，截止2022年底，公司已獲得929項授權專利，公司通過專利布局，為技術創(chuàng)新構筑知識產權護城河。兆易創(chuàng)新短期業(yè)績承壓，但是長期受益于國產化替代加速，有較大的成長空間：1）MCU方面，國內MCU市場主要由海外龍頭大廠主導，本土廠商市占率較低，隨著終端需求智能化與新能源汽車放量，MCU國產替代有進一步提升空間，此外，公司進軍車規(guī)領域，有望打開成長天花板，國產替代空間巨大；2）NORFlash方面，兆易創(chuàng)新前瞻性布局大容量NORFlash，大容量占比逐步提升，推出512Mb/1Gb/2Gb大容量產品以及GD25/55系列產品，涵蓋市場主流容量，隨著工業(yè)控制、汽車電子、AI、物聯網以及5G等領域需求的上升，有望帶動營收持續(xù)增長；3）DRAM方面，與長鑫積極聯手合作，推出自研DRAM產品，切入消費類、工控及車軌等利基型市場，目前17nmDDR3研發(fā)順利，后續(xù)產品的研發(fā)進一步推進，有望快速放量，繼續(xù)擴張利基型市場。北京君正北京君正成立于2005年7月，目前公司產品覆蓋存儲芯片、智能視頻芯片、模擬與互聯芯片、微處理器芯片等領域，主要是面向汽車、工控/醫(yī)療、高端消費類市場，尤其在汽車領域具備深厚的客戶基礎。2022年，公司存儲芯片產品線收入占比74.92%，智能視頻芯片、微處理器和模擬與互聯芯片產品線收入分別占比為11.88%、2.35%和8.85%。2021年業(yè)績實現高增長，2022年業(yè)績有所承壓。在2021年，隨著全球經濟復蘇，公司總體營收快速增長，2021年實現營收52.74億元，同比增長143.07%，歸母凈利潤9.26億元，同比增長1,165.27%。在2022年，公司實現營收54.12億元，同比增長2.61%；實現歸母凈利潤7.89億元，同比下降14.79%。在2021年出現一波高速增長和缺貨潮之后，2022年受芯片供給過剩導致單價下滑影響，公司業(yè)績出現下滑。盈利能力方面，公司多數產品毛利率雖出現下滑，但貢獻大部分營收的存儲芯片毛利率增幅明顯，帶動公司整體毛利率同比增加1.60pct。公司研發(fā)投入持續(xù)擴大，研發(fā)人員不斷增多。2021年，公司研發(fā)費用達5.61億元，占營收比重為10.6%，2022年公司研發(fā)投入持續(xù)加大，研發(fā)費用達6.55億元，占營收總額的12.1%。汽車智能化加速，車載存儲&模擬互聯需求持續(xù)增長。根據Omdia統計，公司2022年車規(guī)級SRAM、車規(guī)級DRAM、NorFlash產品收入在全球市場中分別位居第二位、第七位、第六位，處于國際市場前列。隨著汽車智能化的發(fā)展，汽車對存儲芯片、LED驅動芯片的需求和產品種類越來越多，同時，車規(guī)互聯芯片的需求也不斷增加，公司在存儲芯片和模擬、互聯芯片領域持續(xù)進行產品研發(fā)，公司在存儲芯片和模擬、互聯芯片領域持續(xù)進行產品研發(fā)，不斷推出新的產品型號，滿足市場對相關產品不斷發(fā)展的需求。“計算+存儲+模擬”平臺化發(fā)展，新產品研發(fā)推廣順利。1）存儲芯片領域，公司持續(xù)進行不同容量的芯片研發(fā)與投片工作，2GLPDDR2、4GLPDDR4已經完成量產，8GbLPDDR4已經完成送樣，目前進展順利；2）微處理器芯片領域，X1600系列芯片已經完成測試和量產工作，下一代升級產品X2600的研發(fā)正在進行中；3）模擬與互聯網領域，矩陣式和高亮型LED驅動芯片的研發(fā)和投片工作已經完成，車規(guī)LIN芯片開始向客戶送樣，GreenPHY正面向歐美市場導入；4）智能視頻領域，公司從單一芯片平臺拓展至多芯片平臺，并且，12nm工藝新品T41已完成研發(fā)與投片，同時啟動了面向輕量級AIIPC產品市場的研發(fā)，部分智能視頻芯片已在客戶小批量出貨。瀾起科技瀾起科技成立于2004年，并于2019年上市，如今已經發(fā)展成為國際領先的內存接口芯片供應商。目前公司擁有兩大產品線，互連類芯片產品線和津逮?服務器平臺產品線。其中，互連類芯片產品主要包括內存接口芯片、內存模組配套芯片、PCIeRetimer芯片、MXC芯片等，津逮?服務器平臺產品包括津逮?CPU和混合安全內存模組（HSDIMM?）。同時，公司正在研發(fā)基于“近內存計算架構”的AI芯片。2022年，互連類芯片產品線收入占比74%，津逮?服務器平臺產品線收入占比26%，其中津逮?服務器平臺產品線維持快速發(fā)展態(tài)勢，2022年實現營業(yè)收入6.90億元，同比增長11%。DDR5升級換代助力業(yè)績穩(wěn)步上行。2021年公司實現營收25.62億元，同比增長40.46%，歸母凈利潤8.29億元，同比下降24.91%。主要系DDR4內存接口芯片進入產品生命周期后期，產品價格不斷下降，同時DDR5相關產品在2021Q4才正式量產出貨從而造成互連類芯片產品線的毛利率下滑明顯。2022年隨著DDR5內存接口芯片及內存模組配套芯片滲透率穩(wěn)步提升，公司實現營收36.72億元，同比增長43.33%，實現歸母凈利潤12.99億元，同比增長56.71%。DDR5內存接口芯片推出有望提振盈利能力。2017~2019年公司凈利率和毛利率穩(wěn)步提升，主要系內存接口芯片DDR4Gen2.0及2.0plus產品銷售占比不斷提升。2021-2022年公司毛利率持續(xù)承壓，主要由于DDR4進入產品生命周期后期，產品價格有所下降，且津逮?服務器毛利率較低，收入占比提升也拉低了綜合毛利率。預計未來伴隨DDR5快速放量，公司盈利能力有望改善。專注技術研發(fā)和產品創(chuàng)新，研發(fā)投入不斷加大。2017-2021年，公司研發(fā)費用率均保持在15%左右。2022年公司研發(fā)投入持續(xù)加大，研發(fā)費用達5.63億元。DDR5滲透率快速提升，驅動內存接口芯片量價齊升。服務器方面，隨著全球數據總量的爆發(fā)式增長以及數據向云端遷移的趨勢，新的數據中心建設力度不減，服務器作為基礎的算力支撐，整體服務器市場有望保持穩(wěn)步增長，此外，近期AMD、Intel服務器新品發(fā)布將加速DDR4向DDR5的迭代速度。內存接口芯片方面，單顆CPU配套內存模組數量增加+內存接口芯片及配套芯片用量和ASP提升將帶來顯著的市場增量。此外公司研發(fā)新產品PCIeRetimer、MXC、AI芯片，圍繞服務器領域開展平臺化轉型，有望開啟第二輪增長曲線。聚辰股份聚辰半導體成立于2009年，公司目前擁有EEPROM、音圈馬達驅動芯片和智能卡芯片三條主要產品線。根據web-feet統計，2019年聚辰EEPROM產品的市場份額為國內首位、全球排名第三位。2022年公司EEPROM芯片、智能卡芯片、音圈馬達驅動芯片占營業(yè)收入比例分別為87.12%、7.04%、5.83%。SPD產品及汽車級EEPROM產品放量推動業(yè)績增長。2022年公司營收9.8億元，同比增長80.21%；歸母凈利潤3.54億元，同比增長226.81%。主要系隨著DDR5內存技術的商業(yè)化應用，DDR5內存模組所需的SPD產品需求量迅速增長，同時聚辰半導體是國內領先的汽車級EEPROM產品供應商之一，其汽車級EEPROM產品實現大量供貨。高附加值產品占比提升，盈利能力提升顯著。受益于公司SPD產品、高可靠性EEPROM產品等高附加值產品銷售占比的提升，2022年公司毛利率同比提升28.25pct。加強產品升級完善，研發(fā)開支增長較大。公司2022年加強了對產品的升級完善以及新產品、新技術的研發(fā)，同時較大幅度增長研發(fā)人員薪酬，2022年研發(fā)支出達到1.34億元。從2020年到2022年公司研發(fā)投入穩(wěn)步增長。DDR5加速滲透，SPD實現大批量出貨。根隨著英特爾第12代AlderLake平臺上市，新一代DDR5內存模組已于2021年第四季度正式導入市場。相比DDR4內存，新一代DDR5內存具有速度更快、功耗更低、帶寬更高等優(yōu)勢，有望在未來實現對DDR4內存的更新和替代。針對最新的DDR5內存技術，公司與瀾起科技合作開發(fā)配套新一代DDR5內存條的SPD產品，為DDR5內存模組不可或缺的組件，在DDR5內存技術商用的驅動下，應用于DDR5內存模組的SPD產品需求量迅速增長。作為業(yè)內少數擁有完整SPD產品組合和技術儲備的企業(yè)，公司積極響應下游客戶需求并形成了穩(wěn)定的產品供貨能力和優(yōu)異的品牌認可度，SPD產品實現大批量供貨，成為公司業(yè)績增長的重要驅動力。汽車電動化、智能化、網聯化成必然趨勢，汽車EEPROM有望高速增長。公司作為國內領先的汽車級EEPROM產品供應商，目前已擁有A1及以下等級的全系列汽車級EEPROM產品。隨著汽車電動化、智能化、網聯化趨勢的不斷發(fā)展，汽車電子產品的滲透率快速提升，在全球汽車“缺芯”的背景下，公司憑借較高的產品質量、高效的市場響應能力、較為完整的應用產品線和穩(wěn)定的供貨能力，及時把握汽車級EEPROM芯片供應短缺帶來的市場發(fā)展機遇，汽車級EEPROM產品的銷量實現高速增長，產品廣泛應用于汽車的智能座艙、三電系統、視覺感知、底盤傳動與微電機等四大系統的數十個子模塊，終端客戶包括眾多國內外主流汽車廠商。此外，公司積極完善在A0等級汽車級EEPROM的技術積累和產品布局，并開發(fā)滿足不同等級的ISO26262功能安全標準的汽車級EEPROM產品。普冉半導體普冉半導體成立于2016年，深耕低功耗非易失性存儲器芯片設計領域，目前公司主要產品包括NORFlash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片、微控制器芯片以及模擬產品。2022年，存儲芯片營收占比達94.27%，微控制器及其他營收占比5.73%。公司立足存儲，布局多產品線協同發(fā)展。（1）NORFlash方面，SONOS兼具成本和制程優(yōu)勢，在藍牙耳機、TDDI、AMOLED等下游領域需求廣泛，且公司行業(yè)地位領先，2020年全球市占率約2.9%位列第六，預計2022年公司市占率將進一步提升至5.4%。（2）EEPROM方面，公司產品性價比優(yōu)勢明顯，廣泛應用于手機攝像頭模組、智能儀表等領域，行業(yè)地位不斷提升。此外，公司積極研發(fā)汽車級和工業(yè)級產品，未來汽車電子有望接力現存業(yè)務進一步打開下游市場空間，后續(xù)市場份額有望持續(xù)提升。公司短期業(yè)績承壓，靜待需求回升。2022年公司營業(yè)收入和歸母凈利潤分別為9.25億元、0.83億元，同比分別下降16.15%、71.44%，主要原因是行業(yè)景氣度較2021年大幅下降，同時消費電子產品出貨量縮減傳導至上游對公司收入造成沖擊。公司銷售毛利率小幅波動，22年凈利率大幅下跌。（1）2017-2022年公司綜合毛利率在23.79%至36.23%之間波動，2022年毛利率小幅下降至29.85%，主要受公司降價去庫存戰(zhàn)略的影響，其中存儲類芯片銷售毛利率29.65%，同比下降6.58pct，微控制器和其他毛利率33.19%，同比下降13.36pct。（2）2017-2021年公司銷售凈利率從4.78%穩(wěn)步增長至26.40%，2022年出現較大幅度下降，至8.99%，主要受以下幾方面的影響：研發(fā)費用大幅增長，計提6793.27萬元的存貨跌價，21年公司被認定為國家重點集成電路設計企業(yè)，免征所得稅，22年按10%的優(yōu)惠稅率交稅。公司持續(xù)重視產品研發(fā)和產品種類拓展，不斷加強培養(yǎng)人才梯隊。2022年公司在原有存儲芯片領域，繼續(xù)拓展品類，深化制程迭代，并加強向工規(guī)、車規(guī)領域發(fā)展的投入；新增“存儲+”戰(zhàn)略路徑，積極拓展MCU及存儲結合模擬等全新產品線。2022年公司研發(fā)費用達1.49億元，同比增長62.42%，占營業(yè)收入的比重為16.07%，研發(fā)人員數量顯著增加，人員薪酬和其他研發(fā)投入同比有較大幅增加。立足現有存儲芯片技術，未來戰(zhàn)略布局“存儲+”賽道。（1）在原有存儲產品線領域，SONOS工藝結構40nm工藝節(jié)點以下的NORFlash全系列產品已成為量產交付主力；50nmETOX已經實現六顆產品的大批量量產出貨，逐步推出256Mbit到1Gbit容量產品；EEPROM產品主要采用130nm工藝，部分中大容量產品采用95nm及以下工藝制程下并已實現量產，車載EEPROM產品已完成AEC-Q100標準的全面考核，主要應用于車身攝像頭、車載中控、娛樂系統等領域。（2）在“存儲+”產品線領域，MCU和VCMDriver等新產品的量產及銷售進一步豐富公司現有產品結構，驅動公司向更高附加值領域和更多元化的市場拓展。基于ARM內核的32位M0+MCU產品量產出貨，M4產品設計階段完成并預計于今年出貨；應用在手機攝像頭領域的支持高通新一代平臺的1.2V應用VCMDriver產品完成研發(fā)并進入客戶送樣和認證階段；推出音圈馬達驅動與EEPROM二合一產品，大大縮小芯片面積。東芯股份東芯股份成立于2014年11月，并于2021年上市，是國內少數擁有自主知識產權聚焦中小容量存儲芯片領域的研發(fā)設計廠商。公司核心產品包括NANDFlash、NORFlash、MCP和DRAM四個類別，廣泛應用于工業(yè)控制、通訊網絡、消費電子、移動設備和物聯網IoT領域。公司于2015年成功實現國內第一顆1GbSLCSPINANDFlash芯片流片，目前已經實現SLCNAND產品從1Gb到32Gb的量產或流片。2022年NAND產品營收占比61.75%，NOR、MCP、DRAM占比分別為6.30%、19.66%、7.12%，NAND占比呈逐年上升趨勢。技術積累厚積薄發(fā)，扭虧為盈快速增長。2017-2022年公司營業(yè)收入從3.58億元增長至11.46億元，5年CAGR為26.20%；歸母凈利潤在2020年扭虧為盈，并在2021年快速增長，主要系產品放量規(guī)模效應顯現和NAND系列產品價格穩(wěn)定。2022年公司營收仍實現1.03%的微小增幅，但歸母凈利潤收縮至1.85億元，同比下降29.17%，主要系研發(fā)費用較上年增長0.36億元和存貨跌價的計提。毛利率、凈利率穩(wěn)步提升，2022年出現小幅下降。公司銷售毛利率從2017年的21.73%提升至2022年的40.58%，凈利率從-23.63%提升至18.97%。2020年公司凈利率扭虧為盈、2021年增速大幅提升主要歸因于銷售規(guī)模擴大導致規(guī)模效應顯現，疊加微縮制程、提高良率的影響，使現有產品結構持續(xù)優(yōu)化，同時高附加值和高毛利率產品的銷售占比提升，從而利率大幅提升。2022年各產品的毛利率均出現下滑，主要與行業(yè)景氣度下行有關。公司產品研發(fā)加速，助力新一輪景氣周期下業(yè)績放量。（1）SLCNANDFlash方面，部分28nm及24nm制程產品實現量產標準，1xnm產品已完成首輪晶圓流片、首次晶圓制造和功能性驗證。（2）NorFlash方面，SPINORFlash存儲容量覆蓋64Mb至1Gb；512Mb、1Gb大容量產品都已有樣品可提供給客戶，且公司在中芯國際的NORFlash產品制程從65nm推進至55nm，目前該制程產線已完成首次晶圓流片。（3）DRAM方面，公司可實現25nm工藝節(jié)點的量產，自研的LPDDR4x及PSRAM產品均已完成工程樣片并已通過客戶驗證。（4）車規(guī)方面，公司基于中芯國際38nm工藝平臺的SLCNANDFlash以及基于力積電48nm工藝平臺的NORFlash均有產品通過AEC-Q100測試，將適用于要求更為嚴苛的車