PAGE5邯鄲學院本科畢業論文題目超寬帶InAs/InP量子點、量子線激光器的研究學生指導教師講師年級2007級專業物理學二級學院物理與電氣工程系（系、部）邯鄲學院物理與電氣工程系2011年5月

鄭重聲明本人的畢業論文是在指導教師楊新榮老師的指導下獨立撰寫完成的。如有剽竊、抄襲、造假等違反學術道德、學術規范和侵權的行為，本人愿意承擔由此產生的各種后果，直至法律責任，并愿意通過網絡接受公眾的監督。特此鄭重聲明。畢業論文作者（簽名）：年月日PAGEII摘要利用固源MBE設備生長出光譜較寬的InAs/InP量子點或量子線材料，對InAs/InAlGaAs/InP(001)體系利用PL（光致發光）譜對其光學特性進行了測試和研究，并對有失配間隔層的樣品中所出現的多峰結構進行了表征，對其在15K-50K范圍內PL強度隨溫度增加的奇異現象進行了初步的分析探討。關鍵詞InAs/InP量子點量子線激光器超寬帶

StudyofInAs/InPquantumdashlasterwithultrawide-gainbandwidthWangWeiDerictedbyLecturerYangXinrongAbstractSelf-assembledInAsquantumwires(dots)havebeengrownonaInPsubstratebysolid-sourcemolecularbeamepitaxy(SSMBE).Photoluminescencespectrawereinvestigatedinthesenanostructures.Themulti-peakstructureofthesamplewiththelattice-mismatchmatrixlayerwascharacterized.AnanomalousenhancementofPLintensitywasobservedfromInAsnanostructuresgrownonInPsubstrateusingInAlGaAsasthematrixlayerandtheorigimnofthisphenomenonisdiscussed.KeywordsInAs/InPquantumdots(wires)laserUltra-wideband目錄TOC\o\h\z\u摘要 IAbstract II1引言 12背景介紹 12.1理論原理 12.2研究現狀及學術價值 12.3應用前景 23實驗 23.1樣品結構及生長制備 23.2PL（光致發光）譜實驗結果及分析 44結論 8參考文獻： 8致謝 10PAGE10PAGE10超寬帶InAs/InP基量子點量子線激光器的研究1引言低維半導體材料是目前最活躍的研究領域之一，半導體材料的低維結構包括二維的量子阱(QW)和超晶格(SL)、一維的量子線(QWR)以及零維的量子點(QD)。若是低維半導體材料在一個或多個方向上的尺度與電子的德布羅意波長相當或更小，材料中載流子的運動在這些方向上受到限制，則產生量子尺寸效應。80年代人們就從理論上探討了低維材料的特性，發現低維材料具有一些優異特性[1-5]，之后的量子阱結構器件的開發與應用有力證實了當初的理論預計的。而量子線、量子點結構，由于其制作工藝比較困難，在結構、性能及器件應用方面仍處于研究階段。盡管如此，從理論上講一維材料及零維材料的性能比量子阱材料更具有優越性。90年代，人們開發了一種直接生長無損傷的低維半導體材料和器件的制備方法，人們發現可以利用不同材料的晶格不匹配而產生的應力，通過SK生長模式（Stranski-Krastanow生長模式）來獲得無缺陷，無位錯，尺寸均勻的量子點（線），即所謂自組裝生長量子點（線）的方法。一維材料及零維材料系統的研究成為目前國際上材料研究領域的一大熱點。因為在量子點結構中，產生了許多獨特的光電性質，如：光吸收、光增益、光反射譜變得更尖銳，激子和雜質的束縛能增大，電子-聲子耦合的改進，庫侖阻塞效應等等。這些特性使得量子點結構在光電子、微電子領域具有極大的應用潛力[3.6.7]，如更低閾值電流、更高效率及良好的熱穩定性的量子點激光器；更高速度的微電子器件（HEMT，FET）；單電子存儲器等。特別是，自組織量子線及量子點技術的發展和應用為廣泛開發一維和零維的光電器件提供了誘人的前景[8-10]。早在上世紀八十年代Arakawa等[1]人就預言量子點（線）激光器比傳統的量子阱激光器具有更低的閾值電流密度，更高的特征溫度T，更高的微分增益，更窄的光譜帶寬和超快的高頻響應等諸多特性[1,2]。這些特性已在GaAs基量子點器件中得到很好的體現。然而，GaAs基上InAs結構材料一般發光波長在1μm左右，很難超過1.3μm，這使其在長波長應用方面受到限制。InP基材料作為半導體領域另一重要體系，以其為襯底的InAs量子線（點）結構可拓寬波長到1.55μm以上，長波長器件可用于光纖通訊、分子光譜學及大氣遙感等領域。因此，InP基材料及器件研究成為近年研究的一大熱點。目前，對與超寬帶激光器的研究仍處于初步階段，對于新的更為有效的超寬帶InP基LnAs基量子點量子線激光器的研究技術的探索和創新仍在繼續.本文主要通過設計合理的生長條件和材料結構，通過固源MBE設備生長出光譜較寬的InAs/InP量子點或量子線材料，對InAs/InAlGaAs/InP(001)體系作一些初步的研究，為后續進一步制作設計和生長激光器結構打下基礎。2背景介紹2.1理論原理半導體光電器件的工作波長是和制作器件所用的半導體材料的種類相關的。半導體材料中存在著導帶和價帶，導帶上面可以讓電子自由運動，而價帶下面可以讓空穴自由運動，導帶和價帶之間隔著一條禁帶，當電子吸收了光的能量從價帶跳躍到導帶中去時，就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從導帶跳回價帶，又可以把電的能量變成光，這時材料禁帶的寬度就決定了光電器件的工作波長。材料科學的發展使我們能采用能帶工程對半導體材料的能帶進行各種精巧的裁剪，使之能滿足我們的各種需要并為我們做更多的事情，也能使半導體光電器件的工作波長突破材料禁帶寬度的限制擴展到更寬的范圍。2.2研究現狀及學術價值新型固態電子、光電子器件的發展依賴于半導體低維量子結構材料的發展。我們在追求更新、更小、性能更優越的量子器件的研究中發現，為了更好的按照我們的需求對材料及相應的器件進行合理的人工裁剪，如果僅僅在一個維度上對載流子實現限制往往是不夠的。如在側向共振隧穿器件、單電子輸運以及量子干涉器件等，都要求對載流子在側向實現限制。要求在二個或三個維度上對載流子實現量子限制，從而構成一維量子線或量子點。迄今已有美國得克薩斯大學、日本NEC實驗室以及俄羅斯約飛研究所等幾個小組成功地制備了室溫激射波長在1.3μm的自組織量子點激光器[3-7]。R.Schwertberger等人[8-10]，在InP(100)襯底上，以InAlGaAs作為波導層，InAlAs作為緩沖層，InAsQdashs作為有源區，實現了室溫激射，波長范圍為1.54-1.78μm。JinSooKim等[11]，在InP(100)面,以InAlGaAs作波導層，InAlAs作緩沖層，InAs量子點激光器室溫激射波長為1.562μm。然而，這些量子點、量子線激光器通常為窄帶設備，只能以特有波長發出單色光。相比之下，超寬帶激光器具有顯著的優勢，可以同時在更寬的光譜范圍內選取波長。一方面，InAs/InP系統的失配度較低、InAs各向異性的應力弛豫[12]、InAs與緩沖層之間的可能的合金化[13]及外延過程中緩沖層強烈的相分離[14]等原因，使得InP襯底上納米結構的形成機制非常復雜。另一方面，量子點尺寸和分布的非均勻性導致的增益譜展寬一直是InAs/InP單色激光器一個很大的問題。而這種尺寸非均勻性導致的增益譜展寬以及基態易飽和、激發態易反轉等特點正是實現寬帶激射所必須的。因此，以量子點材料作為增益介質的激光器可顯示出帶寬大、工作電流低等優異的特性。2.3應用前景量子點結構作為一個涉及物理、化學和材料等多學科交叉的研究領域，一方面量子點結構對其中的載流子（如電子、空穴、激子）有強三維量子限制作用能夠表現出明顯的量子尺寸（約束）、量子隧穿、庫侖阻塞、量子干涉、多體關聯和非線性光學效應，另一方面它在微電子、光電子器件、超大規模集成電路和超高密度存儲以及量子計算等方面的具有潛在優勢，特別是以量子點材料作為增益介質的激光器得到各界的廣泛關注。有關超寬帶激光器性質的論文刊登2002年2月21日出版的《自然》雜志上。文章主要作者、貝爾實驗室物理學家ClaireGmachl斷言：“超寬帶半導體激光器可用來制造高度敏感的萬用探測器，以探測大氣中的細微污染痕跡，還可用于制造諸如呼吸分析儀等新的醫療診斷工具。”超寬帶激光器可在6～8微米紅外波長范圍產生1.3瓦的峰值能量。Gmachl指出：“從理論上講，波長范圍可以更寬或更窄。選擇6～8微米范圍波長發射激光，目的是更令人信服地演示我們的想法。未來，我們可以根據諸如光纖應用等具體應用的特定需求量身定制激光器。3實驗我們將對InAs/InAlGaAs/InP(001)體系作一些初步的研究，采用與InP襯底晶格匹配的InAlGaAs作為緩沖層，間隔層分為失配和匹配兩種情況，對其上生長的多層InAs納光學特性進行研究，并探討InAs生長時生長停頓的影響。3.1樣品結構及生長制備我們所研究的三個樣品（G201，G202，G204）的生長均在固源分子束外延（MBE）系統中進行。襯底全部采用N+-InP襯底，生長過程中鉬托高速旋轉以增加樣品生長的均勻性。三樣品的生長結構如圖3-1、3-2及3-3所示。具體生長過程如下：首先脫去襯底氧化層，對于樣品G201：先生長173nm的晶格匹配的InAlGaAs緩沖層，然后是5周期InAs（4ML）/In0.52Al0.177Ga0.304As（20nm）超晶格，最后是173nm的InAlGaAs蓋帽層及其上的4ML的InAs層。樣品G202：先生長173nm的晶格匹配的In0.52Al0.177Ga0.301As緩沖層，然后是5個周期In0.498Al0.192Ga0.301As（負失配18.8nm）超晶格，最后是173nm的晶格匹配的InAlGaAs蓋帽層及其上的InAs（5ML）/InAlGaAs（負失配18.8nm）/InAs（5ML）系統，這層的目的是為了表面點生長條件盡量與體內的相同。G204中InAlGaAs緩沖層的厚度為104nm；5個周期的InAs/InGaAlAs超晶格中，InAs和InAlGaAs的厚度分別為4.5ML和20nm；InAlGaAs蓋層的厚度139nm，最后是4.5ML的InAs層為了AFM測試.樣品G204與其它2個樣品最大的區別是InAs生長時引入生長停頓，即生長一秒的InAs停一秒。所有樣品生長過程中，襯底溫度對于InAlGaAs為500℃，對于InAs為510℃。InAs層的生長速率分別為0.18ML/s,生長過程中正常As壓保持在1.64×10-6torr。在樣品202中我們使用了應變補償技術。在傳統的InAs/InAl(Ga)As/InP多層結構中，生長與InP襯底晶格匹配的間隔層無法完全補償淀積InAs產生的壓應變，而這會影響下一層中InAs納米結構的生長質量，導致多層結構中上層納米結構的尺寸增大。因此，可以通過引入晶格常數比InP略小的InAlGaAs間隔層，使其產生的張應變補償殘余的拉應變。通過調整間隔層的組分，就可以獲得高質量的量子點、量子線結構。同時，這種應變補償技術在增加淀積周期的數目時不僅可提高多層量子點結構的尺寸均勻性，還可有效的避免位錯的產生，因此也可以進一步增加淀積層數以提高量子點、量子線體密度。InAsQWs(4ML)CaplayerInGaAlAs(173nm)SpacerlayerInGaAlAs(20nm)/InAs(4ML)QWs×5BufferlayerInAlGaAs(173nm)N+-InPsubstrate圖3-SEQ表格3-\*ARABIC1樣品G201結構示意InAsQWs(5ML)SpacerlayerInGaAlAs(負失配18.8nm)InAsQWs(5ML)CaplayerInGaAlAs(173nm)SpacerlayerInGaAlAs(負失配18.8nm)/InAs(4.43ML)QWs×5BufferlayerInAlGaAs(173nm)N+-InPsubstrate圖3-SEQ表格3-\*ARABIC2樣品G202結構示意InAsQWs(0.18ML×25)CaplayerInGaAlAs(139nm)SpacerlayerInGaAlAs(20nm)/InAs(0.18ML×25)QWs×5BufferlayerInAlGaAs(104nm)N+-InPsubstrate圖3-SEQ表格3-\*ARABIC3樣品G204結構示意3.2PL（光致發光）譜實驗結果及分析樣品的光學性質采用光致發光（PL）譜（15K和室溫）進行表征，激發光源為Ar+離子激光器的514.5nm線，分光板為CaF2分光板，探測器根據樣品的發光峰能量大小分別采用了InGaAs（發光峰位高于8000cm-1）和液氮冷卻的InSb（發光峰位低于8000cm-1）探測器。圖3-4及圖3-5為三個樣品室溫PL及15KPL譜,其激發功率為100mW。三樣品室溫發光峰主峰對應于波長分別為1.655μm、1.671μm和1.667μm，其半高寬為72meV、97meV和55meV分別對應于樣品201、202和204。204中窄的半高寬及室溫高的PL強度表明其納米結構均勻性較好，有望作為單色激光器有源區。201和202樣品的半高寬較大，且在其室溫和15K發光譜中均有多峰出現，樣品的光譜范圍較寬，表明這兩個樣品中納米結構的尺寸分散較大，不同尺寸的量子點發光峰位不同。進一步調整生長條件，有望繼續增加光譜分布范圍，有力于作為超寬帶激光器的有源區。從15KPL譜圖中（圖3-5）我們還可以發現樣品201和202的PL譜中含有多峰結構，為了確定各峰的來源，我們對201樣品做了100mW變溫PL試驗，如圖3-6所示；對202樣品作了15K變功率和200mW激發功率時變溫PL譜測試，如圖3-7及圖3-8所示。圖3-圖3-4202201204室溫發光PL譜PL15K發光波長PL15K發光波長（μm）圖3-5201、202及20415KPL譜圖3-圖3-6201樣品變溫PL波長（μm）普強度光（任意單位）圖3-圖3-7樣品20215K變功率PL譜對于201樣品，變溫范圍為15K-260K；202樣品變功率實驗中，激發功率范圍為6.25mW-200mW；變溫范圍為15K-230K。201樣品的變溫PL譜顯示，在50K以上隨溫度增加，高能邊PL譜強度下降速率明顯高于低能邊PL譜強度的下降速率，因此可歸結這種多峰結構為不同尺寸量子線的發光。在低溫下我們發現樣品202PL譜中存在三個主峰，對應峰位分別為1.365μm、1.434μm及1.671μm。隨激發功率的增加三個峰的得強度呈線性增加且峰位無藍移，沒有發現帶填充效應，因此我們認為本文中三個峰來自不同尺寸InAs納米結構的發光。這一點在變溫PL譜測試中也得到了證明，隨溫度增加，在55K以上，1.365μm和1.434μm這兩個高能峰的光譜強度相對于低能峰的強度迅速下降,如圖3-8所示，這是納米結構尺寸不均勻分布的特征。圖3-圖3-8樣品202200mW變溫PL譜對于201和202樣品的變溫PL譜中，由于其納米結構尺寸分布不均勻所導致各峰強度隨溫度不同的變化，可解釋為不同尺寸納米結構間載流子再分布效應。由于納米結構尺寸的不均勻分布，隨溫度升高，高能量的峰比低能量的峰強度衰減得更快。這個現象可以用熱激發的電子從小量子點（線）到大量子點（線）的轉移來解釋。隨著溫度的增加，小量子點（線）中的激子首先被熱激發到浸潤層或者勢壘層，然后轉移到大量子點（線）中去，小量子點（線）中的載流子與浸潤層和勢壘中的載流子達成了準熱平衡，所以小量子點（線）的發光表現出了典型的SK量子點（線）發光的反常溫度行為。但是，對于大量子點來說，由于熱激活能較大，載流子不容易在大量子點之間轉移，不容易實現與浸潤層和勢壘中的載流子的準熱平衡。特別是大量子點可以接納小量子點轉移過來的載流子，所以其發光強度隨溫度升高而衰減的速度就更慢一些。圖3圖3-9201PL譜中各峰強度隨溫度的變化圖3-9和圖3-10分別為201和202樣品各峰PL強度隨溫度變化曲線。從圖中，我們可以發現，兩樣品的PL譜強度都在某一溫度范圍內發生了反常地增強。對于201，PL譜強度反常增加的溫度范圍為35K到55K，到55K時達到最大，對應PL譜中的高能峰和低能峰，強度分別增加了1.94倍和1.49倍。樣品202PL譜強度反常增加的溫度范圍為40-65K，到50K時達到最大，此時對應高能到低能三個峰強度分別增加了2.22倍、2.57倍和1.74倍。。Kwack等人[15]在無定形Si中也發現了PL隨溫度增加奇異增強現象，他們解釋為隨溫度增加聲子援助輻射復合增加引起了PL譜反常增加。姜維紅等[16,17]在In（Ga）As/GaAs中也發現了類似的PL譜強度隨溫度增加而增強的反常現象，他們認為這是由存在于InGaAs勢壘層中的輕空穴陷阱有關。結合我們的樣品結構，我們認為造成本文中PL強度隨溫度增加而增強的這種反常現象可能的原因有以下幾個方面：其一，在我們的樣品中有可能存在一種陷阱，低溫時這種陷阱可捕獲電子或空穴，隨著樣品溫度的升高再逐漸把它們釋放出來，這些被釋放的電子或空穴被量子點俘獲，參與輻射復合，于是導致發光強度的增加。這種陷阱有可能是缺陷、非本征能級或者一種本征能級。然而這種陷阱到底是什么還需要更多的實驗去證實。其二，載流子通過浸潤層在不同耦合態之間的隧穿，如不同尺寸量子點之間載流子的隧穿。其三，考慮勢壘層中激子的分裂，然后隧穿到量子線中復合發光。圖3-圖3-10202PL譜中各峰強度隨溫度的變化圖3-9以及圖3-10給出了201和202兩樣品各個峰的發光峰位隨溫度變化關系。對于InAs體材料的帶隙有Varshini公式[18]：其中α，β為經驗參數，為材料在T=0K時的帶隙。對于InAs在Γ谷的參數，取，α，β的值分別為0.42，2.5×10-4，75，得到InAs體材料的帶隙隨溫度的變化關系，如圖2.9實線所示。從圖中可以看出201樣品中量子線的帶隙隨溫度的變化存在幾個不同的區域。在15K-35K時峰位紅移且紅移速度和體材料帶隙隨溫度變化的速率基本相同；在35K-55K溫度范圍內峰位發生了藍移；隨后隨溫度進一步增加，峰位發生了快速的紅移，紅移速度明顯大于體材料隨溫度紅移速率，即通常所說的S型分布。對照圖3-9我們還能發現，PL譜峰位和強度隨溫度變化的范圍相同。即在15K-35K時，峰位紅移同時強度降低；35K-55K時，峰位藍移強度增加，55K以上，峰位再次紅移強度減小。一般來說，隨溫度升高，可觀察到量子線（點）峰位的紅移，紅移速率大于InAs體材料帶隙隨溫度的變化速率。量子線（點）中峰位隨溫度快速紅移的現象可歸因于以下原因：隨溫度升高，占據高能態的載流子熱激發后將轉移到相鄰的低能態，導致載流子在量子線(點)中重新分布，造成量子線（點）的峰位紅移。紅移速率還與量子線（點）尺寸分布有關，對于尺寸漲落較大的量子點，其峰位紅移的速率要大于尺寸分布較小的量子點。而在本文201樣品中，隨溫度增加PL峰位發生了不同尋常的S-型變化，分析認為這種S-型峰位的變化可能是由于不同溫度下載流子的不同復合機制所引起的。在15K-35K，峰位變化和體材料能帶隨溫度的變化基本相同，因此峰位變化遵循Varshini規則。隨溫度增加，在35K-55K溫度范圍，非輻射復合過程開始出現，載流子壽命減小，使得載流子沒有足夠的時間弛豫到低能邊復合，從而導致峰位藍移。溫度進一步增加到55K以上，非輻射復合過程占主導地位，載流子壽命進一步減小，但比35K-55K溫度范圍內載流子壽命的減小量小，因此峰位藍移量也較小。小的藍移無法補償因溫度升高導致的能帶收縮及量子線尺寸不均勻分布導致的快速紅移，因此PL峰位再次出現了紅移。這種解釋還需要其它實驗去驗證，比如通過時間分辨的PL譜測量不同溫度區載流子壽命。由于時間和實驗條件的限制本論文對此不作太多的論述。4結論本章使用MBE（分子束外延）系統，采用與InP襯底晶格匹配的InAlGaAs作為緩沖層，間隔層分為失配和匹配兩種情況，在半絕緣InP（001）襯底上自組織生長了多層InAs納米結構，利用PL（光致發光）譜對其光學特性進行了測試和研究，并對有失配間隔層的樣品中所出現的多峰結構進行了表征，對其在15K-50K范圍內PL強度隨溫度增加的奇異現象及波長對溫度不敏感的現象進行了初步的分析探討。參考文獻：[1]ArakawaY,SakakiH,Multidimensionalquantumwelllaserandtemperaturedependenceofitsthresholdcurrent,ApplPhysLett,1982,(40):939[2]AsadaM,MiyamotoY,andSuematsuY,gainandthethresholdofthree-dimensionalquantum-boxlasers,IEEEJ.QuantumElectron,1986,(32):1915[3]HuffakerL,ParkG,Z.Zouetal.1.3μmroom-temperatureGaAs-basedquantum-dotlaser.Appl.Phys.Lett,1998,73(18):2564[4]ParkG,OlegB.Shchekinetal.Room-temperaturecontinuous-waveoperationofasingle-layered1.3μmquantumdotlaser,Appl.Phys.Lett,1999,75(21):3267[5]KohkiM,YoshiakaNetal.,1.3-μmCWlasingofInGaAs-GaAsquantumdotsatroomtemperaturewityathresholdcurrentof8Ma,IEEEPhoton.Technol.Lett,1999,11(10):1205[6]MukaiK;NakataY.OtsuboKetal.1.3-μmCWlasingcharacteristicsofself-assembledInGaAs-GaAsquantumdots,IEEEJ.QuantumElectron,2000,36(4):472[7]MariusG,FrankHetal.,ProgressinQuantumDotLasers:1100nm,1300nm,andHighPowerApplications,Jpn.J.Appl.Phys,2000,39(4B):2341[8]R.H.Wang,A.Stintz,P.M.Varangisetal.,IEEPhotonicsTechnolLett,2001,(13):767[9]R.Schwertberger,D.Gold,J.P.Reithmaier,andA.Forchel,IEEPhotonicsTechnol.Lett,2002,(14):735[10]R.Schwertberger,D.Gold,J.P.Reithmaier,andA.Forchel,J.CrystalGrowth.2003.(251):248[11]JinSooKim,JinHongLee,SungUiHong,etal.Apply.Phys.Lett,2004,(85):1033[12]J.M.García,L.González,M.U.González,J.P.Silveira,Y.González,andF.Briones,,J.Cryst.Growth,2001,(227):975.[13]J.Brault,M.Gendry,G.Grenetetal.,Appl.Phys.Lett.,1998,(73):2932[14]J.M.Moison,C.Guille,F.Houzhay,F.Barthe,andM.VanRompay,Phys.Rev.B,1989,(40):6149.[15]H.S.Kwack,Y.P.Sun,andY.H.Cho，Anomaloustemperaturedependenceofopticalemissioninvisible-light-emittingamorphoussiliconquantumdots，Appl.Phys.Lett.2003,

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致謝感謝我的指導老師楊新榮的關心，指導和教誨。本論文是在楊新榮老師的悉心指導下完成的。楊老師淵博的專業知識，嚴謹的治學態度，精益求精的工作作風，誨人不倦的高尚師德，嚴以律己、寬以待人的崇高風范，樸實無華、平易近人的人格魅力對我影響深遠。不僅使我樹立了遠大的學術目標、掌握了基本的研究方法，還使我明白了許多待人接物與為人處世的道理。本論文從選題到完成，每一步都是在楊老師全面、具體的指導下完成的，傾注了楊老師大量的心血。在此，謹向楊老師此外，本論文的順利完成，離不開物理系各位老師、同學和學長、學姐的關心和幫助。在此深深感謝他們的指導和幫助，愿師生之情與同窗之誼永遠長存。目錄TOC\o"1-2"\h\z第一章項目基本情況 3一、項目情況說明 3二、可行性研究的依據 5第二章項目建設的必要性與可行性 8一、項目建設背景 8二、項目建設的必要性 9三、項目建設的可行性 14第三章市場供求分析及預測 17一、項目區生豬養殖和養殖糞污的利用現狀 17二、禽畜糞污產量、沼氣及沼肥產量調查與分析 18三、項目產品市場前景分析 20第四章項目承擔單位的基本情況 21一、養殖場概況 21二、資產狀況 21三、經營狀況 21第五章項目地點選擇分析 23一、選址原則 23二、項目選點 23三、項目區建設條件 24第六章 工藝技術方案分析 27一、污水處理模式的選擇 27二、處理工藝的選擇 29三、項目工藝流程 31四、主要技術參數 35五、主要設備選型 39第七章項目建設目標 40一、項目建設目標 40二、項目建設規模 40第八章項目建設內容 42一、建安工程 42二、儀器設備 46第九章投資估算和資金籌措 48一、投資估算的范圍 48二、投資估算的依據 48三、投資估算 49四、