ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標準

GB/T24578—2015

代替

GB/T24578—2009

硅片表面金屬沾污的全反射

X光熒光光譜測試方法

Testmethodformeasuringsurfacemetalcontaminationonsiliconwafers

bytotalreflectionX-Rayfluorescencespectroscopy

2015-12-10發布2017-01-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T24578—2015

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測試方法

GB/T24578—2009《X》。

本標準與相比主要變化如下

GB/T24578—2009,:

擴大了標準適用范圍除適用于硅拋光片外延片外同樣適用于測定砷化鎵碳化硅等

———,、,、、SOI

材料鏡面拋光晶片表面的金屬沾污見第章

(1);

干擾因素中增加了晶片表面對測試結果的影響見第章

———(6)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研新材料股份有限公司萬向硅峰電子股份有限公司浙江省硅材料質量檢驗

:、、

中心

。

本標準主要起草人孫燕李俊峰樓春蘭潘紫龍朱興萍

:、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T24578—2009。

Ⅰ

GB/T24578—2015

硅片表面金屬沾污的全反射

X光熒光光譜測試方法

1范圍

11本標準規定了使用全反射光熒光光譜定量測定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法本標

.X,。

準適用于硅單晶拋光片外延片以下稱硅片尤其適用于硅片清洗后自然氧化層或經化學方法生長

、(),,

的氧化層中沾污元素面密度的測定測定范圍為92152本標準同樣適用于

,10atoms/cm~10atoms/cm。

其他半導體材料如砷化鎵碳化硅等鏡面拋光晶片表面金屬沾污的測定

,、、SOI。

12對良好的鏡面拋光表面可探測深度約分析深度隨表面粗糙度的改善而增大

.,5nm,。

13本方法可檢測元素周期表中原子序數的元素尤其適用于測定以下元素鉀鈣

.16(S)~92(U),:、、

鈦釩鉻錳鐵鈷鎳銅鋅砷鉬鈀銀錫鉭鎢鉑金汞和鉛

、、、、、、、、、、、、、、、、、、。

14本方法的檢測限取決于原子序數激勵能激勵射線的光通量設備的本底積分時間以及空白

.、、X、

值對恒定的設備參數無干擾檢測限是元素原子序數的函數其變化超過兩個數量級重復性和檢測

。,,。

限的關系見附錄

A。

15本方法是非破壞性的是對其他測試方法的補充與不同表面金屬測試方法的比較及校準樣品的

.,,

標定參見附錄

B。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

潔凈廠房設計規范

GB50073—2013

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

掠射角glancingangle

全反射光熒光光譜測試方法中射線的入射角度

XX。

32

.

角掃描anglescan

作為掠射角函數對發射的熒光信號的測量

,。

33

.

臨界角criticalangle

能產生全反射的最大角度當掠射角低于這一角度時被測表面發生對入射