犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜２４５７８—２００９

硅片表面金屬沾污的

全反射犡光熒光光譜測試方法

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２００９１０３０發布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜２４５７８—２００９

前言

本標準的附錄Ａ為規范性附錄，附錄Ｂ為資料性附錄。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：有研半導體材料股份有限公司、萬向硅峰電子有限公司。

本標準主要起草人：孫燕、李俊峰、樓春蘭、盧立延、張靜、翟富義。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５７８—２００９

硅片表面金屬沾污的

全反射犡光熒光光譜測試方法

１范圍

１．１本標準規定了硅片表面金屬沾污的全反射Ｘ光熒光光譜測試方法，本方法使用單色Ｘ光源全反

射Ｘ光熒光光譜的方法定量測定硅單晶拋光襯底表面層的元素面密度。

１．２本標準適用于Ｎ型和Ｐ型硅單晶拋光片、外延片等鏡面拋光的硅片，尤其適用于清洗后硅片自然

氧化層，或經化學方法生長的氧化層中沾污元素的面密度測定。

１．３對良好的鏡面拋光片表面，可探測深度約５ｎｍ，分析深度隨表面粗糙度的改善而增加。

１．４本方法可檢測原子周期表中１６（Ｓ）９２（Ｕ）的元素，尤其對確定如下元素有效：鉀、鈣、鈦、釩、鉻、

錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、鉬、鈀、銀、錫、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛。

１．５本方法適用于測量面密度在（１０９～１０１５）ａｔｏｍｓ／ｃｍ２的范圍的元素。檢測極限依賴于原子數、激勵

能、激勵Ｘ射線的光通量，設備的本底積分時間以及空白值。對恒定的設備參數，無干擾探測極限是元

素原子序數的函數，其變化超過兩個數量級，見附錄Ａ．１中重復性和檢測極限的相關性討論。

１．６本方法是非破壞性的。

本方法是對其他測試方法的補充（見附錄Ｂ）。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數抽樣檢驗程序第１部分：按接收質量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

ＳＥＭＩＭＦ１５２６用全反射Ｘ射線熒光光譜法測量硅片表面的金屬沾污

３術語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的以及下列術語、定義和縮略語適用于本標準。

３．１

角掃描犪狀犵犾犲狊犮犪狀

作為掠射角函數，對發射的熒光信號的測量。

３．２

臨界角犮狉犻狋犻犮犪犾犪狀犵犾犲

當掠射角低于某一角度時，被測表面發生對入射Ｘ射線的全反射，這一角度稱為臨界角，即能產生

全反射的最大角度。

３．３

掠射角犵犾犪狀犮犻狀犵犪狀犵犾