14DS18B20溫度差別較大，所以本章向大家介紹如何通過STM32來外部數字溫線技術，通過它來實現STM32和外部溫度傳感器（DS18B20）的通信，并把從溫度傳感器得到的溫度數據通過printf打印輸出在串口助手上。本章分為以下學DS18B20DS18B20DS18B20DALLAS5．5V的電壓范圍，采用多種封裝形式，從而使系統設計靈活、方便，設定分辨率及用戶 在EEPROM中，掉電后依然保存。其內部結構如圖所示：每個DS18B20的64位序列號均不相同。64位ROM的排列是：前8位是產品碼，接著48位是DS18B20的序列號，最后8位是前面56位的循環冗余(CRC=X8+X5DS18B206號類型：復位脈沖、應答脈沖、寫0、寫101。所有這些信號，除了應答脈沖復位脈沖和應答脈沖若為低電平，再延時480us。寫時序0160us21us1然后釋放總線，延時2us。讀時序獨立的讀時序之間至少需要1us的恢復時間。每個讀時序都由主機發起，至少拉低總線1us15us2us12us，然后讀50us在了解了單總線時序之后，我們來看看DS18B20的典型溫度過程，DS18B20的典型溫度過程為：復位→發SKIPROM命令（0XCC）→發開始轉換命令（0X44）→延時→復位→發送SKIPROM命令（0XCC）→發讀器命令（0XBE）→連續讀出兩個字DS18B20DS18B20PG11DS18B20IO*函數 : : :/void{GPIO_InitTypeDef}#definedq(GPIO_Pin_11//PG11#defineGPIO_ds18b20GPIOG#defineds18b20_dq_HGPIO_SetBits(GPIO_ds18b20,dq)#defineds18b20_dq_LGPIO_ResetBits(GPIO_ds18b20,dq)DS18B20主機首先發出一個480－960微秒的低電平脈沖，然后釋放總線變為高電平，并在隨480若無低電平出現一直都是高電平說明總線上無器件應答。DS18B20480－960微秒的低15－6060－240微函數 : :DS18B20初始化時 : :/void{}DS18B20操主機發出命令都是向DS18B20寫0和寫1組成令字節，接收數據160120101，則將601微秒給總線恢復。而DS18B20則在檢測到總線被拉底后等待15微秒然后從15us到45us1，若采樣期內總線為低電平則為0函數 : :DS18B20讀數據時 : :/u8{u8{ delay_us(4);//延時4微妙delay_us(10);//延時10微妙 {}}}DS18B20操對于讀數據操作時序也分為讀0時序和讀1時序兩個過程。讀周期是從主機把單總線拉低1微秒之后就得釋放單總線為高電平，以讓DS18B20把數據傳輸到單總線上。作為從機DS18B20在檢測到總線被拉低1微秒后，便開始送出數據，若是要送出0就把1則釋放總線為高電平。主機在一開始拉低總線1微秒后釋放總線，然后在包括前面的拉低總線電平1微秒在內的15微秒時間內完0。采樣期內總線為高電平則確認為1。完成一個讀時序過程，至少需要60微秒才能完成。函數 : :DS18B20寫數據時 : :{u8i=0;{ {}{}}}.6DS18B20寄存器簡DS18B20內部結構主要由四部分組成64光刻ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B2064ROM的排列是：開始8位（28H）是產品48DS18B20DS18B20的序DS18B208位則是前56（CRC=X8+X5+X4+1）DS18B20的ROMDS18B20進行尋址，從而實現一根總線上掛接多個DS18B20的目的。非揮發的溫度觸發器TH和DS18B20的器由一個高速暫存RAM和一個非易失性、電可擦除RAMR0R1111210.06251.7DS18B201.8溫度操1.溫度操DS18B20經轉換所得的溫度值以二字節補碼形式存放在高速暫存器的第0和第就可以了。一次D18B20溫度的操作步驟如下：跳過ROM操作（ROM里面可以DS18B20的地址、型號，還有配置分辨率等，我們只使用一個DS18B20，所以不用地址型號，配置直接使用默認的12位分辨率就好了。）ROMDS18B20的溫度值是以補碼的形式的，所以讀出來的溫度值是實際溫度112度值=-(值減1再取反)*0.0625函數 : : :double {u8a,b; //發送忽