標準解讀

GB/T 14140.1-1993 是一項中國國家標準，規定了硅片直徑的測量方法，具體采用光學投影法進行測定。這項標準適用于半導體工業中硅片或其他類似材料圓片的直徑測量，確保測量結果的準確性和一致性。

標準內容概覽：

  1. 范圍：明確了該標準適用的對象為單晶硅片或其他功能相似材料的圓片直徑測量，通過光學投影原理實現尺寸檢測。

  2. 術語和定義：對標準中涉及的專業術語進行了解釋，確保讀者對關鍵概念有統一的理解。

  3. 符號與單位：規定了測量中使用的符號及其對應的國際單位制單位，例如直徑用“D”表示，單位為毫米（mm）。

  4. 測量原理：詳細闡述了光學投影法的原理，即利用光學系統將硅片邊緣投影到觀察屏上，通過測量投影圖像的直徑來間接獲得硅片的實際直徑。這種方法依賴于精確的光學放大和定位系統，以確保測量精度。

  5. 測量設備：描述了實施該測量方法所需設備的基本要求，包括光學投影儀的構造、分辨率、照明條件及校準方法等，確保所有設備滿足測量精度標準。

  6. 測量步驟：

    • 準備工作：確保硅片表面清潔，無損傷，選擇合適的測量位置。
    • 調整設備：調整光學投影儀的焦距和光源，使得硅片邊緣清晰投射。
    • 測量與記錄：在觀察屏上測量投影圖像的直徑，并記錄數據。
    • 數據處理：根據設備的校準系數對測量值進行必要的修正，得到最終直徑。

  7. 測量不確定度評估：指導如何評估測量過程中的不確定度來源，包括儀器誤差、環境因素和操作者影響，以提高測量結果的可靠性。

  8. 質量控制：提出了實施質量控制的措施，如定期校驗設備、比對試驗等，以維持測量系統的穩定性和準確性。

  9. 安全注意事項：簡要提及了在操作過程中應注意的安全事項，確保操作人員的安全。

實施意義：

該標準為硅片生產、加工及應用領域提供了一套標準化的直徑測量流程，通過統一的測量方法和要求，不僅提升了測量結果的互換性和可比性，還促進了半導體行業內的技術交流與合作，對保證產品質量和促進產業升級具有重要意義。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 14140-2009
  • 1993-02-06 頒布
  • 1993-10-01 實施
?正版授權
GB/T 14140.1-1993硅片直徑測量方法光學投影法_第1頁
GB/T 14140.1-1993硅片直徑測量方法光學投影法_第2頁
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GB/T 14140.1-1993硅片直徑測量方法光學投影法-免費下載試讀頁

文檔簡介

UDC669.782H21中華人民共和國國家標準GB/T14140.1-93硅片直徑測量方法光學投影法Siliconslicesandwafers-Measuringofdiameterpticalprojectingmethod1993-02-06發布1993-10-01實施國家技術監督局，發布

中華人民共和國國家標準硅片直徑測量方法光學投影法GB/T14140.1-93Siliconslicesandwafers—Meusuringofdiameter一-Opticalprojeetingmethod主題內容與適用范圍本標準規定了用光學投影儀測量硅片直徑的方法。本標準適用于測址圓形硅片的直徑。測量范圍為”40～為100mm.本標準不適用于測量硅片的不圓度，本標準用作仲裁測量方法。2引用標準GB2828逐批檢查計數抽樣程序及抽樣表(適用于連續批的檢查)GB12962建單晶3方法提要利用光學投影儀，將硅片投影到顯示屏上，使用螺旋測微計和標準長度塊進行測址。以硅片投影的兩端邊緣分別與顯示屏上的垂直坐標軸左右兩邊相切,其位置差即為硅片直徑。4測量儀器4.1光學投影儀放大倍數為10～50×，載物臺可在X和Y方向移動,移動范圍皆為0～25mm.移動精度為1Km。4.2樣品架,包括支架和樣品夾兩部分。樣品夾能在支架上滑動。滑動范圍為50～100mm。4.3標準長度塊，長度范圍為5～100mm，絕對誤差小于1gm,一套共20塊。5試驗樣品5.1從一批硅片中按GB2828計數抽樣方案或商定的方案抽取試樣，6測量步驥6.1測量在23±5C下進行。樣品架及標準長度塊應潔凈.6.2移動載物臺到中間位置。6.33按硅片的導電類型確定要測量的三條直徑的位置，見圖1。硅片參考面位置應符合GB

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