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文檔簡介

1、 第五章 結型場效應晶體管5-1 硅N溝道JFET具有圖5-1a的結構以及以下參數：，和，計算：（a）自建電勢，（b）夾斷電壓 ，（c）電導G以及（d）在柵極和漏極為零偏壓時實際的溝道電導。 解： (a) （b） (c) () (d) ()5-2 試推導N溝道JEFT的電流與電壓、關系。它的截止面為2a2a，為所包圍，器件長度為L。2a2a 解： = 5-3.解： G2SD = 5-4 計算并畫出在25、150和-50G時習題5-1中JFET的轉移特性。采用第一章給出的電子遷移率數據。柵電壓的增量采用0.5V 。解：轉移特性 ，由此得下表：其中，n、u為查表所得Tu cm/v.sn cm 在T

2、= 25G時，有0-0.5-1-1.5-24.462.571.260.440.05 在T= 150G時，有0-0.5-1-1.5-22.431.470.790.390.08 在T= -50G時，有0-0.5-1-1.5-29.695.953.291.490.42由此可得近似的圖形為：5-5 （a）計算并繪出在25G時習題5-1中JFET的小訊號飽和跨導。 （b）若=50時，重復（a）. 解： 其中， 由此可得下表： （v）00.511.522.53（m）4.32 3.062.041.160.371.16 （m）3.552.651.851.090.361.09 由此畫得草圖如下：105-6 (a

3、) 估算習題5-1中JFET的截止頻率。 (b) 若L=2um，重復（a）。 (c) 若采用N型GaAs，重復（b） 解：a) 由 ，即 可得 b） c) GaAs: ， 5-7 計算在和時，習題5-1中JFET的漏極電阻。 解：當時， ，由于 ， 取 ，則 ， 取 ，則 ，( k)5.8下圖為結型場效應晶體管的低頻小信號等效電路圖，其中RS為源極電阻。證明：由于RS的存在，晶體管的跨導變成式中為忽略RS時的跨導。G+S_SRsDIDS解：有RS存在時，由回路可知 （2分） 即 所以 即 。 5-9一個N溝增強型GaAs MESFET在T=300K時，假設。N溝道摻雜濃度。計算溝道厚度a。解：由 有

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