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半導體的晶體結構和結合性質

2半導體的晶體結構和結合性質按組成分：無機半導體：元素、化合物有機半導體按結構分:晶體：單晶體、多晶體非晶、無定形半導體材料包含元素半導體、化合物半導體及固溶體半導體。(1)元素半導體晶體Si、Ge、Se等元素CdS、CdTe、CdSe、ZnS化合物半導體Ⅲ-Ⅴ族Ⅱ-Ⅵ族金屬氧化物Ⅳ-Ⅵ族Ⅴ-Ⅵ族Ⅳ-Ⅳ族InP、GaN、GaAs、InSb、InAsSiCGeS、SnTe、GeSe、PbS、PbTeAsSe3、AsTe3、AsS3、SbS3CuO2、ZnO、SnO2(2)化合物半導體及固溶體半導體

61.1.1金剛石結構與共價鍵

★

以Si、Ge為代表的元素半導體電子組態-4個價電子,sp3雜化軌道晶格結構-金剛石結構(正四面體結構)結合性質–共價鍵(飽和性,方向性)★晶格常數a?Si:a=0.543nm,?Ge:a=0.566nm?GaAs:a=0.564nm8金剛石型結構的晶胞1.1.1金剛石型結構與共價鍵91.1.1金剛石結構與共價鍵正四面體結構金剛石型結構10（111）面的堆積1.1.1金剛石結構與共價鍵

堆積順序：ABCABC11晶胞在(100)面上的投影1.1.1金剛石結構與共價鍵

★以GaAs為代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物電子組態-平均價電子數=4(4個共價鍵)晶格結構-閃鋅礦結構

(4個最近鄰為異類原子)結合性質–混合鍵

(以sp3雜化軌道為基礎,四面體鍵,具有一定的離子鍵成分)1.1.2閃鋅礦型結構與混合鍵131.1.2閃鋅礦型結構與混合鍵

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