標準解讀

《GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法》這一國家標準詳細規定了用于測量碳化硅單晶片厚度及其總厚度變化的方法。標準適用于各種尺寸的碳化硅單晶片，旨在提供一致性和可重復性的測試結果。

該標準首先明確了術語定義，比如“厚度”指從一片碳化硅單晶片的一側表面到另一側表面之間最短的距離；而“總厚度變化”則表示在同一片樣品上不同位置測量得到的最大與最小厚度值之間的差異。通過這些定義，確保了行業內對于相關概念理解的一致性。

接下來，《GB/T 30867-2014》描述了幾種可用于測定碳化硅單晶片厚度及總厚度變化的具體技術手段，包括但不限于接觸式測厚儀、非接觸式光學干涉法等。每種方法都有其適用范圍、操作步驟以及對設備的要求。例如，在使用接觸式測厚儀時，需要保證探針與樣品表面垂直接觸，并且在多個點位進行重復測量以提高數據準確性；而非接觸式的光學干涉法則利用光波長變化來間接計算物體厚度，這種方法特別適合于超薄或易碎材料的無損檢測。

此外，本標準還強調了實驗條件的重要性，如溫度控制、環境濕度等因素都可能影響最終的測量結果。因此，在實際操作過程中應嚴格按照規范要求調整實驗室內的各項參數，確保測試環境符合標準規定。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-02-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T30867—2014

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測試方法

Testmethodformeasuringthicknessandtotalthicknessvariationof

monocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-07-24發布2015-02-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測試方法

GB/T30867—2014

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20149

*

書號

:155066·1-49958

版權專有侵權必究

GB/T30867—2014

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會及材料分技術委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標準起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所中國電子技術標準化研究院

:、。

本標準主要起草人丁麗周智慧郝建民藺嫻何秀坤劉筠馮亞彬裴會川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30867—2014

碳化硅單晶片厚度和總厚度

變化測試方法

1范圍

本標準規定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化的測試方法包括接觸式和非接觸式兩種

(TTV),

方式

。

本標準適用于直徑不小于厚度為的碳化硅單晶片

30mm、0.13mm~1mm。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

潔凈室及相關受控環境第部分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20101:

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

41接觸式測量

.

接觸式測量采用五點法在碳化硅單晶片中心點和距碳化硅單晶片邊緣D的圓周上個對稱

。/104

點位置測量碳化硅單晶片厚度如圖所示單晶片中心點厚度為標稱厚度個厚度測量值中的最大

,1。,5

值和最小值的差值為碳化硅單晶片的總厚度變化

。

說明圖中D為碳化硅單晶片直徑

:。

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