標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 29420-2012 摻釹釩酸鹽激光單晶元件》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),它規(guī)定了摻釹釩酸鹽(Nd:YVO4)激光單晶元件的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等方面的要求。這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)適用于各種規(guī)格的Nd:YVO4晶體作為激光材料使用時(shí)的質(zhì)量控制。
根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn),對(duì)于Nd:YVO4激光單晶元件的基本尺寸偏差有明確的規(guī)定,包括長度、寬度、厚度等參數(shù)的具體允許范圍。此外,還詳細(xì)描述了晶體表面質(zhì)量的要求,比如不允許存在裂紋、氣泡或其他影響使用的缺陷,并對(duì)表面粗糙度也設(shè)定了具體指標(biāo)。
在光學(xué)性能方面,《GB/T 29420-2012》明確了Nd:YVO4晶體的透過率測試條件及合格標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)也對(duì)晶體的折射率一致性提出了要求,確保其在整個(gè)工作波長范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。關(guān)于吸收系數(shù),則給出了測量方法及其上限值,以保證晶體具有良好的熱穩(wěn)定性。
對(duì)于機(jī)械強(qiáng)度,《GB/T 29420-2012》通過規(guī)定抗壓強(qiáng)度來間接反映晶體抵抗外部沖擊的能力。同時(shí),考慮到實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的環(huán)境因素,標(biāo)準(zhǔn)還特別強(qiáng)調(diào)了溫度循環(huán)試驗(yàn)的重要性,用以評(píng)估Nd:YVO4晶體在不同溫差變化下的耐久性表現(xiàn)。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2012-12-31 頒布
- 2013-08-01 實(shí)施



文檔簡介
ICS17180
A60.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T29420—2012
摻釹釩酸鹽激光單晶元件
Nd-dopedvanadatelasercrystaldevices
2012-12-31發(fā)布2013-08-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T29420—2012
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給定的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國建筑材料聯(lián)合會(huì)提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC461)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所國家光電子晶體材料工程技術(shù)研究中心福建
:、、
福晶科技股份有限公司中國計(jì)量學(xué)院材料與工程學(xué)院
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人蘭國政吳少凡林文雄王昌運(yùn)張劍虹李雄史宏聲秦來順
:、、、、、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)為首次制定
。
Ⅰ
GB/T29420—2012
摻釹釩酸鹽激光單晶元件
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了摻釹釩酸鹽激光單晶元件的術(shù)語和定義技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則及包裝標(biāo)
、、、、
識(shí)運(yùn)輸貯存等過程的要求
、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻釹釩酸鹽激光單晶元件其他種類的激光單晶元件也可參照使用
,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
激光棒波前畸變的測量方法
GB/T11297.1—2002
光學(xué)表面激光損傷閾值測試方法第部分對(duì)測試
GB/T16601—19961:11
硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用技術(shù)條件
GB/T22452—2008
硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件質(zhì)量測試方法
GB/T22453—2008
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T22452—2008。
31
.
摻釹釩酸釔Nd-dopedyttriumvanadate
一種摻釹的釩酸釔激光單晶以及其加工而成的元件
。
32
.
不垂直度nonperpendicularity
單晶元件通光面與側(cè)面之間的不垂直程度
。
33
.
光學(xué)不均勻性opticalheterogenity
介質(zhì)折射率的不均勻程度
。
34
.
透射波前畸變transmittedwavefrontdistortion
平行光束的波面透過被檢單晶元件后相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)參考波面的畸變
。
4技術(shù)要求
41物理性能
.
411散射
..
在波長為的氦氖激光照射下單晶元件單位體積3內(nèi)直徑大于的散射點(diǎn)不得
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