ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T29057—2012

用區熔拉晶法和光譜分析法評價

多晶硅棒的規程

Practiceforevaluationofpolocrystallinesiliconrodsbyfloat-zone

crystalgrowthandspectroscopy

(SEMIMF1723-1104,MOD)

2012-12-31發布2013-10-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T29057—2012

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準修改采用國際標準用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規

SEMIMF1723-1104《

程為方便比較資料性附錄中列出了本標準章條和對應的國際標準章條的對照一覽表

》。,A。

本標準在采用時進行了修改這些技術差異用垂直單線標識在它們所涉及

SEMIMF1723-1104。

的條款的頁邊空白處主要技術差異如下

。:

在規范性引用文件中凡我國已有國家標準的均用相應的國家標準代替

———“”,,SEMIMF1723-

中的引用文件

1104“”。

增加規范性引用文件硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法

———GB/T1553《》。

將中中規定的級改為中規定的級

———6.2“…ISO14644-1ISO5…”“…GB500735…”。

將中中規定的級改為中規定的級

———7.2.1“…ISO14644-1ISO6…”“…GB500736…”。

將中中規定的級改為中規定的級

———7.3.1“…ISO14644-1ISO6…”“…GB500736…”。

將中-6改為-4

———7.3.1“…1×10torr…”“…1.3×10Pa…”。

將中硝酸符合級改為硝酸符合優

———8.1“(HNO3)———SEMIC352”“(HNO3)———GB/T626

級純

”。

將中氫氟酸符合級改為氫氟酸符合優

———8.2“(HF)———SEMIC282”“(HF)———GB/T620

級純

”。

將中去離子水純度等于或優于中的級改為去離子水純度

———8.4“———ASTMD5127E-2”“———

等于或優于中的級

GB/T11446.1EW-2”。

將中高純氬氣符合改為高純氬氣符合優等品

———8.5“———SEMIC3.42”“———GB/T4842”。

增加按照檢測晶棒體內少數載流子壽命

———12.5.2.4“GB/T1553。”

將中根據分析碳含量改為根據分析碳含量

———12.6.1“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。

將中按測試方法改為按測試方法

———12.6.3.3“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。

將中見改為見

———13.3.5.1“…SEMIMF723…”“…GB/T13389…”。

將中在中改為在中

———14.1“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位四川新光硅業科技有限責任公司樂山樂電天威硅業科技有限責任公司天威四

:、、

川硅業有限責任公司

。

本標準主要起草人梁洪劉暢陳自強張新藍志張華端瞿芬芬

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29057—2012

用區熔拉晶法和光譜分析法評價

多晶硅棒的規程

1目的

11本標準采用區熔拉晶法和光譜分析法來測量多晶硅棒中的施主受主雜質濃度測得的施主受

.、。、

主雜質濃度可以用來計算按一定的目標電阻率生長單晶硅棒所需要的摻雜量也可以用來推算非摻雜

,

硅棒的電阻率

。

12多晶硅中施主受主雜質的濃度及碳濃度可以用來判定多晶硅材料是否滿足要求

.、。

13多晶硅中的雜質濃度可以用來監測多晶硅生產原料的純度生產工藝以及產品的合格性

.、。

14本標準描述了分析多晶硅中施主受主及碳元素所采用的取樣和區熔拉晶制樣工藝

.、。

2范圍

21本標準包括多晶硅棒取樣將樣品區熔拉制成單晶以及通過光譜分析法對拉制好的單晶硅棒進行

.、

分析以確定多晶硅中痕量雜質的程序這些痕量雜質包括施主雜質通常是磷或砷或二者兼有受主

。(,)、

雜質通常是硼或鋁或二者兼有及碳雜質

(,)。

22本標準中適用的雜質濃度測定范圍施主和受主雜質為十億分之一原子比

.:(0.002~100)ppba(),

碳雜質為百萬分之一原子比樣品中的這些雜質是通過低溫紅外光譜法或光致發

(0.02~15)ppma()。

光光譜法分析的

。

23本標準僅適用于評價在硅芯上沉積生長的多晶硅棒

.。

3局限性

31有裂縫高應力或深度枝狀生長的多晶硅棒在取樣過程中容易碎裂不宜用來制備樣芯

.、,。

32鉆取的樣芯應通過清洗去除油脂或加工帶來的沾污表面有裂縫或空隙的多晶硅樣芯不易清洗

.。,

其裂縫或空隙中的雜質很難被完全腐蝕清除同時腐蝕殘渣也可能留在樣芯裂縫中造成污染

;,。

33腐蝕用的器皿酸及去離子水中的雜質都會對分析的準確性重復性產生影響因此應嚴格控制酸

.、、,

和去離子水的純度空氣墻壁地板和家具也可能造成污染因此應在潔凈室中進行腐蝕和區熔其

。、、,。

他如酸的混合比例酸腐蝕溫度酸腐蝕剝離的速率腐蝕沖洗次數以及暴露時間等都可能產生雜質干

、、、

擾應加以控制所有與腐蝕后的樣芯接觸的材料和容器都可能沾污應在使用前清洗手套和其他用來

,;,;

包裹腐蝕后樣芯的材料應檢測和監控

。

34區熔爐的爐壁預熱器線圈和密封圈等都是常見的污染源應保持潔凈

.、、,。

35區熔過程的任何波動都會影響易揮發雜質在氣相液相和固相中的分布從而改變測試結果樣

.、,。

芯直徑熔區尺寸拉速密封圈純度與爐膛條件的變化都可能改變有效分凝系數或蒸發速率使晶體中

、、、