標準解讀

《GB/T 29057-2023 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程》相較于《GB/T 29057-2012 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程》,在內容上進行了若干更新與調整。這些變化主要包括但不限于以下幾點:

首先,在術語定義部分,新版本對某些專業術語進行了更為精確的界定,并可能引入了新的定義以適應當前技術發展需求。

其次,對于實驗方法的具體描述方面,《GB/T 29057-2023》可能優化了區熔拉晶過程的操作步驟及參數設置要求,旨在提高測試結果的一致性和準確性。同時,也可能針對光譜分析技術的應用給出了更詳細的操作指南或改進措施。

再者,關于樣品制備與處理的要求,《GB/T 29057-2023》或許增加了更多細節說明,比如規定了不同尺寸、形狀的樣品應該如何正確準備以及如何保證其代表性等。

此外,考慮到近年來檢測設備性能的提升及數據分析方法的進步,《GB/T 29057-2023》還可能修訂了質量控制標準,包括但不限于允許誤差范圍、重復性限值等方面的內容,以確保評價體系更加科學合理。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2023-08-06 頒布
  • 2024-03-01 實施
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文檔簡介

ICS77040

CCSH.80

中華人民共和國國家標準

GB/T29057—2023

代替GB/T29057—2012

用區熔拉晶法和光譜分析法評價

多晶硅棒的規程

Practiceforevaluationofpolocrystallinesiliconrodsbyfloat-zone

crystalgrowthandspectroscopy

2023-08-06發布2024-03-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T29057—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件代替用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程與

GB/T29057—2012《》,

相比除結構調整和編輯性改動外主要技術變化如下

GB/T29057—2012,,:

刪除了目的見年版的第章

a)(20121);

更改了范圍見第章年版的第章

b)(1,20122);

將第章局限性改為第章干擾因素并完善了干擾因素內容見第章年版的

c)3“”5“”,(5,2012

第章

3);

更改了方法提要見第章年版的第章

d)(4,20126);

增加了籽晶的要求見

e)(6.6);

增加了取樣方案的選擇見

f)(9.8);

更改了試驗數據處理見第章年版的第章

g)(12,201213);

更改了精密度見第章年版的第章

h)(13,201214);

刪除了關鍵詞見年版的第章

i)(201215);

增加了試驗報告見第章

j)(14)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位青海黃河上游水電開發有限責任公司新能源分公司有色金屬技術經濟研究院有

:、

限責任公司亞洲硅業青海股份有限公司洛陽中硅高科技有限公司四川永祥新能源有限公司新疆

、()、、、

大全新能源股份有限公司江蘇中能硅業科技發展有限公司新疆新特新能材料檢測中心有限公司陜

、、、

西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司江蘇鑫華半導體科技股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司

、、、

青海麗豪半導體材料有限公司樂山市產品質量監督檢驗所新疆協鑫新能源材料科技有限公司

、、。

本文件主要起草人秦榕薛心祿李素青王志強萬燁賀東江岳崢張孝山趙生良郭光偉

:、、、、、、、、、、

陳雪剛于生海鄧遠紅王彬邱艷梅徐巖劉國霞萬首正田洪先劉文明趙小飛梁洪趙娟龍

、、、、、、、、、、、、。

本文件于年首次發布本次為第一次修訂

2012,。

GB/T29057—2023

用區熔拉晶法和光譜分析法評價

多晶硅棒的規程

1范圍

本文件規定了多晶硅棒取樣將樣品區熔拉制成單晶以及通過低溫紅外光譜法或光致發光光譜法

對拉制好的單晶硅棒進行分析以確定多晶硅中施主受主代位碳和間隙氧雜質含量等的規程

、、。

本文件適用于評價硅芯上沉積生長的棒狀多晶硅

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

化學試劑氫氟酸

GB/T620

化學試劑硝酸

GB/T626

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法

GB/T1551

硅和鍺體內少數載流子壽命的測定光電導衰減法

GB/T1553

硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

GB/T4842

電子級水

GB/T11446.1

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程

GB/T13389

半導體材料術語

GB/T14264

硅單晶中族雜質的光致發光測試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

硅單晶中族雜質含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

潔凈室及相關受控環境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

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