標準解讀
GB/T 17008-1997 是一項由中國國家標準化管理委員會頒布的標準,全稱為《絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號》。這項標準主要針對絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)領域,旨在統一和規范該領域內使用的專業術語及其對應的文字符號,以促進技術交流、設計、生產和應用等方面的一致性和準確性。
標準內容概覽
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術語定義:標準首先明確了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的基本概念,以及與之相關的技術術語。這些術語涵蓋了IGBT的結構、工作原理、性能參數、制造工藝等多個方面,為行業內的溝通提供了共同的語言基礎。
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文字符號規定:為了便于電路圖的設計與閱讀,標準詳細規定了各類IGBT及其相關元件在電氣工程圖紙上的文字符號表示方法。這些符號簡潔明了,能夠快速傳達元器件的功能和連接方式,對于設計人員、制造者及維護人員來說極為重要。
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分類與命名規則:根據IGBT的不同特性、封裝形式或應用領域,標準還對它們進行了分類,并給出了相應的命名規則。這有助于用戶快速識別和選擇合適的IGBT型號,滿足特定應用需求。
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測試與評估方法:雖然標準主要關注詞匯和文字符號,但也可能簡要提及IGBT性能測試和評估的基本原則或參考方法,以確保產品符合既定的質量和性能標準。
實施意義
- 提升標準化水平:統一的術語和文字符號減少了因理解差異導致的誤解和錯誤,提升了整個行業的標準化水平。
- 促進技術交流:便于國內外技術文獻、專利、產品說明書等資料的相互理解和引用,加速技術創新和應用推廣。
- 支持教育與培訓:為電子工程等相關專業的教育與培訓提供了一套清晰、規范的術語體系,有利于人才的培養。
- 便利設計與制造:標準化的文字符號簡化了電路設計流程,提高了生產效率和產品質量,降低了因溝通不暢導致的成本損失。
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- 廢止
- 已被廢除、停止使用,并不再更新
- 1997-10-05 頒布
- 1998-08-01 實施



文檔簡介
5s.31.080.30K46中華人民共和國國家標準GB/T17008--1997絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號TerminologyandlettersymbolsForinsulated-gatebipolartransistor1997-10-05發布1998-08-01實施國家技術監督局發布
GB/T17008-1997本標準主要依據下列國際標準或標準草案而制訂:IEC/TC47(CO)1339絕緣柵雙極型品體管的概念IEC/TC47(Sec)1251地緣柵雙極型品體管的新概念和文字符號IEC/TC47(See)1282絕緣柵雙極型品體管的額定值、特性和測試方法IEC747-8第Ⅱ章場效應品體管的術語和文字符號凡上述標準中被本標準采納的術語和文字符號在技術內容上等效。本標準編寫規則按等效采用了國際導則的GB/T1.1一1993《標準化工作導則第1單元:標準的起草與表述規則第1部分:標準編寫的基本規定》。這樣,通過使我國標準內容和編寫規則盡可能與國際-:一致或等同,以盡快適應國際貿易、技術和經濟交流以及采用國際標準飛躍發展的需要。本標準由機械工業部提出。本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口本標準由機械部西安電力電子技術研究所負責起草本標準主要起草人:秦賢滿
中華人民共和國國家標準絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號GB/T17008--1997Terminologyandlettersymbolsforinsulated-gatebipolartransistor1范圍本標準規定了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的類型、結構、額定值和特性的術語及通用文字符號.本標準適用于制訂標準、編訂技術文件、編寫和翻譯專業手冊、教材及書刊。一般術語2.1源區sourceregion多數載流子流入溝道的起始區域2.2漏區drainrcgion接收從溝道流出的多數載流子的區域。2.3漏注人區draininjectorregion位于場效應結構的漏區和漏極間并與漏區極性相反的半導體界面區。1當主電流流動時,漏注人區注入漏區的附加少數載流子使漏區電導增強22在實際器件制作中,IGBT的襯底起溫注人區的作用。2.4柵區gatercgion與柵電極連接的,柵極控制電壓產生的電場能起作用的區域2.5溝道channel在源區和漏區之間的半導體薄層·流經該海層的電流受柵極電位控制。2.6亞溝道區subchannelregion源區和滿區之間的區域。?。阂话?,亞溝道區由兩個不同摻雜部分組成.即形成溝道的輕接雜部分和流過雙極品體管結構的集電極電流的重穆雜部分。2.7漏極drain附于漏注人區上的電板、2.8集電極端collectorterminal連接漏極的端。2.9源極source附于源區和部分亞溝道區上的電極,該部分亞溝道區流過雙極品體管結構的集電極電流2.10發射極端emitter
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