ICS31.020L97中華人民共和國國家標準GB/T16880--1997光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則Guidelinesforphotomaskdefectclassificationandsizedefinition1997-06-20發(fā)布1998-03-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

GB/T16880-1997目次前言1范圍引用標準……掩模缺陷的類別4光掩模缺陷大小的定義

GB/T16880—1997前本標準等同采用1994年SEMI標準版本“微型構圖"部分中的SEMIP22-93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的則》(Guidelinesforphotomaskdefectelassificationandsizedefinition）。SEMI標準是國際上公認的一套半導體設備和材料國際標準。SEMIP22—93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則》是其中的一項,它將與已經轉化的SEMIP1一92硬面光拖模基板》SEMIP2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》、SEMIP3-90《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子抗蝕劑》SEMIP4-92《圓形石英玻璃光掩模基板》、SEMIP6-88《光掩模定位標記規(guī)范》及SEMIP19-92《用于集成電路制造技術的檢測圖形單元規(guī)范》和SEMIP21-92《掩模瞬光系統(tǒng)精密度和準確度表示準則》兩項SEMI標準形成-個微型構圖標準系列,并為今后還要繼續(xù)轉化SEMIP23—93《掩模缺陷檢測系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷測試掩模及靈敏度評估方法準則》標準提供規(guī)范依據(jù)本標準是根據(jù)SEMI標準P22-93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則》制定的，在技術內容上等同地采用了該國際標準。本標準的格式和結構按國標GB/T1.1—1993第一單元第一部分的規(guī)定編制。本標準從1998年3月1日實施。本標準由中國科學院提出。本標準由電子工業(yè)部標準化研究所歸口本標準起草單位：中國科學院微電子中心本標準主要起草人：陳寶欽、陳森錦、廖溫初。

中華人民共和國國家標準光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則GB/T16880-1997Guidelinesforphotomaskdefectclassificationandsizedefinition花圍本準則的范圍是制定有關光拖模缺陷分類用的標準術語，并規(guī)定缺陷大小的表達方法.確定光拖模缺陷時應遵循這個準則。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性.SJ/T10584—94微電子學光掩蔽技術術語掩模缺陷的類別3.1掩模圖形缺陷maskpatterndefect3.1.1形狀缺陷shapedefect3.1.1.1不透明缺陷opaguedefecta）小點dot(近義詞:小島islandopaguespot)b）橋連bridge:）凸起protrusion(在不透明圖形上);d）外擴”extension(不透明圖形邊線);e）過大oversize(不透明圖形)；（）缺口intrusion(在透明圖形上)g）內縮truncation(透明圖形邊線)；h）過小undersize(透明圖形)。3.1.1.2透明缺陷cleardetecta）針孔hole（pinhole)；b）空白space:）缺口intrusion(在不透明圖形上)d）內縮truncation(不透明圖形邊線）；e)過小、undersize(不透明圖形)f）凸起：protrusion(在透明圖形上)：g）外擴°extension(透明圖形邊線）；h）過大oversize(透明圖形)。3.1.2錯位誤差misplac