標準解讀

《GB/T 17866-1999 掩模缺陷檢查系統靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準則》這一標準主要規定了半導體制造過程中，用于檢測掩模（光罩）缺陷的系統靈敏度分析所需特制缺陷掩模的設計、制作及評估測量的具體方法。然而，您提供的對比項似乎不完整，沒有明確指出要與哪個具體的標準或版本進行比較。因此，直接對比變更內容較為困難。

但基于一般標準更新的常規路徑，如果將《GB/T 17866-1999》與該領域后續發布的新版標準或國際上同類標準相比，可能的變更點通常會涉及以下幾個方面：

  1. 技術進步的吸納：新標準可能會納入新的檢測技術和設備進展，提高缺陷檢測的精度和效率，如更先進的光學或電子束檢測技術的規范。

  2. 測試方法的優化：隨著對缺陷理解的深入，測試方法可能會得到改進，包括更精確的缺陷尺寸測量、形狀識別算法的升級，以及對不同類型缺陷（如粒子、劃傷、針孔等）的特定評估方法。

  3. 靈敏度要求的調整：鑒于半導體工藝節點的不斷縮小，對掩模缺陷的容忍度要求更加嚴格，新標準可能會設定更高的靈敏度要求，確保能夠有效檢測出更微小的缺陷。

  4. 質量控制指標的細化：為了更好地適應高質量生產需求，新標準可能會引入更多詳細的質量控制指標和評估參數，確保掩模缺陷檢查系統的穩定性和可靠性。

  5. 標準化語言和格式的統一：遵循國際標準化組織的最新指南，新標準在表述、符號使用、計量單位等方面可能進行了規范化調整，便于國際交流與合作。

  6. 環境和安全考量的增強：考慮到環境保護和操作人員安全，新標準可能會增加對檢測過程中使用的材料、廢棄物處理以及操作安全性的指導。

由于沒有具體的對比對象，以上僅為基于標準更新常見趨勢的一般性推測。若需具體分析與某特定標準之間的差異，提供完整的標準名稱或版本號是必要的。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 1999-09-13 頒布
  • 2000-06-01 實施
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文檔簡介

ICS31.200L56中華人民共和國國家標準GB/T17866—1999idtSEMiP23.1993掩模缺陷檢查系統靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準則Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems1999-09-13發布2000-06-01實施國家質量技術監督局發布

GB/T17866-1999目次前言……………·上范圍2引用標準……3特制缺陷的類別4特制缺陷的尺寸定義基本單元與基本子單元6侍制缺陷的識別符號7缺陷單元在芯片圖形上的排列規則特制缺陷掩模中芯片布局9測試掩模用于靈敏度評估10測試掩模的名稱、比例和標題

GB/T17866--1999本標準等同采用1994年SEMI標準版本“微型構圖”部分中的SEMIP23:1993《掩模缺陷檢查系統靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準則》（Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems)。SEMI標準是國際上公認的一套半導體設備和材料國際標準.SEMIP23：1993(搶模缺陷檢查系統靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準則》是其中的一項，它將與如下已經轉化的八項國家標準：GB/T15870-1995《硬面光掩模用鉻薄膜》(eqvSEMIP2:1986)：GB/T15871-1995《硬面光掩模基板》(neqSEMIP1:1992)；GB/T16527-1996《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子束抗蝕劑規范》eqvSEMIP3:1990）GB/T16523—1996《圓形石英玻璃光掩模基板規范》(eqvSEMIP4:1992):GB/T16524—1996《光掩模對準標記規范》(eqvSEMIP6:1988);GB/T16878-1997《用于集成電路制造技術的檢測圖形單元規范》idtSEMIP19:1992):GB/T16879-1997《掩模曝光系統精密度和準確度的表示準則》(idtSEMIP21:1992)；GB/T16880—1997《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則》(idtSEMIP22:1993），以及與本標準同時轉化的GB/T17864—1999關鍵尺寸（CD)計量方法》idtSEMIP24:1994)和GB/T17865—1999《焦深與最佳聚焦的測量規范》idrSEMIP25:1994)兩項SEMI標準形成一個國家標準微型構圖系列。本標準是根據SEMI標準P23：1993《掩模缺陷檢查系統靈敏度分析所用的特制缺陷掩模和評估測量方法準則》制定的。在技術內容上等同地采用了該國際標準。本標準從2000年6月1日起實施。本標準由中國科學院提出。本標準由SEMI中國標準化技術委員會歸口本標準起草單位：中國科學院微電子中心。本標準主要起草人：陳寶欽、陳森錦、廖溫初、劉明

中華人民共和國國家標準掩模缺陷檢查系統靈敏度分析所用的特制缺陷撞模和GB/T1999評估測量方法準則Guidelineforprogrammeddefectmasksandbenchmarkproceduresforsensitivityanalysisofmaskdefectinspectionsystems1范圍本標準的目的是制定一套可用于評估掩模缺陷檢查系統靈敏度的測試掩模。這套測試掩模包括：含特制圖形缺陷的測試芯片，以及不含特制圖形缺陷的參考測試芯片。由于測試芯片是由各種單元集合而成·所以在本標準中，測試芯片是用單元圖形、單元圖形中的特制缺陷、以及單元的布局來定義的。此外.測試掩模是通過規定測試芯片的排列來定義的。本標準還講述這套掩模的用法。過去的設備在靈敏度測試中.許多設備生產廠家和用戶使用不同的掩模，而且每個廠家和用戶各自決定不同的測試方法。在某些情況下·逸今還沒有統一的測量方法或靈敏度分析方法。所以·在對各廠家的設備進行靈敏度比較時,在廠家與用戶商定規范時,在用戶與用戶商定規范時.都免不了要發生混湯。所以在評估掩模缺陷檢查系統的靈敏度時，最好采用本標準規定的測試掩模2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性GB/T16880—1997光掩模缺陷分類和尺寸定義的準則SJ/T10584-1994微微電子學光掩蔽技術術語特制缺陷的類別本標準所述的特制缺陷是利用兩種背景圖形來定義的。這兩種背景圖形是a）接觸孔圖形（contactpattern）；b）線條套圈圖形(wiringpattern)圖形的設計規則規定為3Pm(在掩模上)。本章對這兩種背景圖形中的特制缺陷進行分類、定義并編號在接觸孔圖形中的特制缺陷稱為“接觸孔缺陷"：在線

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