標準解讀

《GB/T 1554-1995 硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法》相比于《GB 1554-1979》與《GB 4057-1983》，主要在以下幾個方面進行了調整和更新：

  1. 標準性質的轉變：從《GB 1554-1979》的強制性國家標準轉變為《GB/T 1554-1995》的推薦性國家標準，這一變化體現了標準適用的靈活性增強，更多地作為推薦指導而非強制執行的要求。

  2. 技術內容的更新：《GB/T 1554-1995》引入了更先進的硅晶體完整性檢測技術和方法，具體包括化學擇優腐蝕的詳細步驟、試劑配比、腐蝕條件控制等方面的新規定，以適應技術進步和行業發展的需要。這些更新有助于提高檢測的準確性和效率。

  3. 檢驗程序的優化：新標準對檢驗流程進行了優化，明確了樣品制備、腐蝕過程監控、以及后續觀察分析的具體要求，旨在統一檢驗操作，減少人為誤差，提升檢驗結果的一致性和可比性。

  4. 質量控制要求的強化：《GB/T 1554-1995》增加了對實驗室環境、設備校準、人員培訓等方面的規范要求，強調了檢驗過程中的質量控制措施，確保檢驗結果的可靠性和準確性。

  5. 術語和定義的明確：為避免理解上的歧義，新標準對涉及的專業術語給出了明確的定義，增強了標準的可讀性和實施的準確性。

  6. 參考標準的更新：鑒于科學和技術的發展，新標準引用了最新的參考文獻和相關標準，確保了檢驗方法的先進性和國際兼容性。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 1554-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
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UDC.669.782：621.193.4H26中華人民共和國國家標準GB/T1554-1995硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法Testmethodforcrystallographicperfectionofsiliconbypreferentialetchtechniques1995-04-18發布1995-12-01實施國家技術監督局發布

（京)新登字023號中華人民共和國國家標準桂品體完整性化學擇優腐做檢驗方法GB/T1554-1995中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471995年10月第一版2005年1月電子版制作書號：155066·1-11891版權專有侵權必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準GB/T1554-1995硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法代林GB1554-79TestmethodforcrystallographicperfectionGB4057-83ofsiliconbypreferentiaietchtechniques1主題內容與適用范圍本標準規定了用擇優腐蝕技術檢驗硅晶體完整性的方法。本標準通用于品向為(111)或(100)、電阻率為10-～10"n·cm、位錯密度在0～10°cm-之間的硅單晶鍵或硅片中原生缺陷的檢驗。用標準GB/T4058硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法YS/T2097桂硅材料原生缺陷圖譜方法原理試祥經擇優腐蝕液腐蝕，在有缺陷的位置被腐蝕成淺坑或丘，在宏觀上可能組成一定的圖形,在微觀上呈現為分立的腐蝕淺坑或丘。用肉眼和金相顯微鏡進行觀察。試劑和材料4.1三氧化鉻，化學純4.2氫氟酸(42%)。4.3！硝酸(p1.48/mL)。4.4乙酸(冰乙酸p1.058/mL)4.5高純水,電阻率大于10MQ·cm(25℃)。4.6化學腐蝕地光液，采用表1中諸配方之一。表1化學腐蝕拋光液配方硝酸（4.3)氫氟

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