標準解讀

《GB/T 14119-1993 半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規范（可供認證用）》這一標準詳細規定了半導體集成電路中雙極熔絲式可編程只讀存儲器（PROM）的空白芯片的技術要求、測試方法以及質量評定準則，旨在為該類器件的設計、生產和認證提供統一的標準依據。然而，您提供的對比信息不完整，沒有明確指出與哪個具體的標準或版本進行比較。因此，直接列舉相對于某個特定標準的變更點無法實現。

若要一般性地討論此類標準可能涉及的變更方向，不針對特定對比標準，可以從以下幾個常見方面推測：

  1. 技術進步：隨著半導體技術的發展，新標準可能會引入更先進的制造工藝要求，提高集成度、速度或降低功耗。
  2. 測試方法更新：為了適應技術進步和市場需求，測試方法可能會更加精確、高效，包括采用新的測試設備和流程。
  3. 可靠性與質量標準提升：隨著時間推移，對器件的可靠性和長期穩定性要求通常會提高，新標準會設定更嚴格的測試條件和合格標準。
  4. 安全與環境要求：考慮到環境保護和用戶安全，新標準可能會增加對材料、生產過程中的有害物質限制及廢棄處理的相關規定。
  5. 兼容性與標準化：為了促進國際交流與產品互換性，新標準可能會調整以符合國際通行標準或行業規范。


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  • 1993-03-18 頒布
  • 1993-08-01 實施
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GB/T 14119-1993半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規范(可供認證用)_第1頁
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GB/T 14119-1993半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規范(可供認證用)-免費下載試讀頁

文檔簡介

DDG621.382：681.327.28L56中華人民共和國國家標準GB/T14119-93半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規范Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供認證用）1993-03-18發布1993-08-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器CB/T14119-93日詳細規空白Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供認證用）本規范規定了編制半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器(以下簡稱器件)詳細規范的基本原則。本規范是半導體集成電路一系列空白詳細規范中的一個,它應與GB4589.1《半導體器件分立器件和集成電路總規范》和GB12750《半導體集成電路分規范(不包括混合電路)》一起使用。要求的資料空白詳細規范首頁1～[9J各欄應填寫與下列各項相對應的內容。詳細規范的識別C11發布詳細規范的國家標準化機構名稱12詳細規范的IECQ編號。【3】總規范和分規范編號及版本號。【4詳細規范的國家編號，發布日期及國家標準體系需要的資料器件的識別C5主要的功能和型號。L6】典型結構(材料、主要工藝)和封裝如果器件有多種派生產品，應當給出相互之間的差別。例如,以對照表的形式列出各自性能的特點詳細規范應給出包括下述內容的簡要說明·工藝(TTL、ECL等);·結構(字×位)；·輸出電路的類型(例如三態…·)：·主要功能。【7]外形圖、引出端識別、標志和(或)外形有關的參考文件。181質量評定類別(按GB4589.1第2.6條)。L9參考數據【本規范中，方括號所列內容僅供指導編寫詳細規范使用，不必在詳細規范中列出。[本規范中,電特性或額定值表格中的"X"表示在詳細規范中必

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