3.2均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)（1）少子在基區(qū)中的復(fù)合必須很少，即要求

WB

<<LB

。可利用

基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)

對(duì)其進(jìn)行定量分析；要使晶體管區(qū)別于兩個(gè)反向串聯(lián)的二極管而具有放大作用，晶體管在結(jié)構(gòu)上必須滿足下面兩個(gè)基本條件：（2）發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少子形成的電流必須遠(yuǎn)大于基區(qū)注入發(fā)射區(qū)的少子形成的電流，即要求

NE>>NB

。可利用

發(fā)射結(jié)注入效率

對(duì)其進(jìn)行定量分析。本節(jié)的討論以

PNP

定義：基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子電流

與

從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少子形成的電流之比，稱為

基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，記為。對(duì)于PNP

管，為

由于少子空穴在基區(qū)的復(fù)合，使

JpC

<JpE

，。3.2.1基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)由于

WB<<LB，根據(jù)2.2.6關(guān)于薄基區(qū)二極管的近似結(jié)果，可得以下用pB代表基區(qū)非平衡少子濃度

pn

。再利用近似公式(x很小時(shí)），得根據(jù)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的定義，得式中，即代表了少子在基區(qū)中的復(fù)合引起的電流虧損所占的比例。要減少虧損，應(yīng)使

WB↓，LB↑。靜態(tài)下的空穴電荷控制方程為下面再利用電荷控制法來求。另一方面，由薄基區(qū)二極管的

近似公式

，從上式可解出，代入

Jpr

中，得：BEC0WBJpEJpC

3.2.2基區(qū)渡越時(shí)間

定義：少子在基區(qū)內(nèi)從發(fā)射結(jié)渡越到集電結(jié)所需要的平均時(shí)間，稱為少子的

基區(qū)渡越時(shí)間，記為

b

。在

b期間，基區(qū)內(nèi)的少子全部更新一遍，因此，

注意

b

與

B

的區(qū)別的物理意義：時(shí)間，代表少子在單位時(shí)間內(nèi)的復(fù)合幾率，因而就代表少子在基區(qū)停留期間被復(fù)合的幾率，而則代表未復(fù)合掉的比例，也即到達(dá)集電結(jié)的少子電流與注入基區(qū)的少子電流之比。b

代表少子在基區(qū)停留的平均當(dāng)

WB

<<LB及

WE

<<LE時(shí)，根據(jù)薄基區(qū)二極管的結(jié)果，為提高，應(yīng)使

NE>>NB

，即（NB

/NE）<<1，則上式可近似寫為將代入

中，得再利用愛因斯坦關(guān)系，得注意：DB、DE

代表

少子

擴(kuò)散系數(shù)，B、E

代表

多子

遷移率。利用

方塊電阻

的概念，

可有更簡(jiǎn)單的表達(dá)式。方塊電阻代表一個(gè)正方形薄層材料的電阻，記為

R口。對(duì)于均勻材料，對(duì)于厚度方向（x方向）上不均勻的材料，

3.2.4電流放大系數(shù)式中，，稱為

虧損因子。由