可控硅的結構及工作原理、主要技術參數及可控硅的種類_第1頁
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文檔簡介

1、可控硅可控硅的結構及工作原理可控硅是一種新型的半導體器件，它具有體積小、重量輕、效率高、操作維護方便等許多顯著優點，應用日益廣泛。主要用于整流、逆變、調壓、開關四個方面。可控硅結構可控硅是在晶體管基礎上發展起來的一種大功率半導體器件，它具有三個PN結的四層結構，如圖71最外的P層和N層引出兩個電極，分別稱為陽極A和陰極K，由中間的P層引出控制極G。 A P N P NAGGK K 圖71 可控硅結構和符號2、可控硅的工作原理根據可控硅結構將其分成兩個晶體管，一個是PNP型管T1，另一個是NPN型管T2，如圖72。圖72 可控硅工作原理可控硅導通必須同時具備的外部條件：1）可控硅的陽極電路加正向

2、電壓EA；2）控制極電路加適當的正向電壓EB（實際工作中，控制極加正觸發脈沖信號）。設晶體管T1和T2的電流放大系數為1和2 。當陽極連接電源EA的正極，控制極也接在電源EG的正極，參見圖117（C）。晶體管T2發射結處于正向偏置，EG產生的控制電流IG ，IG也就是T2的基極電流IB2 ，此時，T2的集電極電流IC2 = 2 IG。而IC2又是晶體管T1的基極電流，此時， T1的集電極電流IC1=1IC2 =1 2 IG。此電流又流進T2的基極，經過再一次放大。這樣循環下去，形成強烈的正反饋，使兩個晶體管很快達到飽和導通。導通后，其壓降很小，約1V左右。可控硅一旦導通，這時即使撤掉電源EG，

3、可控硅仍能繼續保持導通狀態。若要關斷可控硅，一是使流過陽極電流減小到使之不能維持正反饋過程，另一個是斷開陽極電源，再者是在陽極與陰極之間加一個反向電壓，這三種方法都可以關斷可控硅。二、可控硅的主要技術參數1、正向重復峰值電壓UFRM在控制極開路，可控硅陽極加正向電壓，但是可控硅在不導通的條件下，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓，稱為正向重復峰值電壓。按規定此電壓為正向轉折電壓的80%。2、反向重復峰值電壓URRM在控制極開路，可以重復加在可控硅元件上的反向峰值電壓，按規定此電壓為反向轉折電壓的80%。3、正向平均電流IF環境溫度不大于+40、標準散熱條件及全導通狀態下，可控硅可以連續通過工頻（50HZ或60HZ）正弦半波電流(在一個周期內)的平均值，稱為正向平均電流IF，簡稱正向電流。4維持電流IH在控制極斷開和規定的環境溫度條件下，維持可控硅繼續導通的最小電流稱為維持電流IH。當可控硅的正向電流小于這個電流時,可控硅將自動關斷.5控制極觸發電流IG陽極與陰極之間加直流6伏電壓時，使可控硅完全導通所必需的最小控制極直流電流。三、可控硅的種類根據結構與用途可分為不同類型可控硅。1、快速可控硅這種可控硅可以在較高的頻率下，用于大功率直流開關、電脈沖加工電源。2、雙向可控硅可以用正的或負的控制極脈沖，控制兩個方向電流的導通，主要用于交流控制電路中。3、

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