1、DS1820 單線數(shù)字溫度計(jì)特性獨(dú)特的單線接口僅需一個(gè)端口引腳進(jìn)行通訊簡(jiǎn)單的多點(diǎn)分布應(yīng)用無(wú)需外部器件可通過(guò)數(shù)據(jù)線供電零待機(jī)功耗測(cè)溫范圍-55+125，以 0.5遞增。華氏器件-67溫度以 9 位數(shù)字量讀出溫度數(shù)字量轉(zhuǎn)換時(shí)間 200ms（典型值）F，以 0.90F 遞增用戶可定義的非易失性溫度設(shè)置搜索命令識(shí)別并標(biāo)志超過(guò)程序限定溫度（溫度條件）的器件應(yīng)用包括溫度控制、工業(yè)系統(tǒng)、消費(fèi)品、溫度計(jì)或任何熱感測(cè)系統(tǒng)說(shuō)明DS1820 數(shù)字溫度計(jì)以 9 位數(shù)字量的形式反映器件的溫度值。DS1820 通過(guò)一個(gè)單線接口發(fā)送或接收信息，因此在微處理器和 DS1820 之間僅需一條連接線（加上地線）。用于讀寫和溫度轉(zhuǎn)

2、換的電源可以從數(shù)據(jù)線本身獲得，無(wú)需外部電源。 因?yàn)槊總€(gè) DS1820 都有一個(gè)獨(dú)特的片序列號(hào)，所以多只 DS1820 可以同時(shí)連在一根單線總線上，這樣就可以把溫度傳感器放在許多不同的地方。這一特性在 HVAC 環(huán)境控制、探測(cè)建筑物、儀器或機(jī)器的溫度以及過(guò)程監(jiān)測(cè)和控制等方面非常有用。引腳說(shuō)明DS1820S（16 腳 SSOP）：所有上表中未提及的引腳都無(wú)連接。概覽圖 1 的方框圖示出了 DS1820 的主要 2）溫度傳感器，3）非易失性溫度。DS1820 有三個(gè)主要數(shù)字：1）64 位激光 ROM，觸發(fā)器 TH 和 TL。器件用如下方式從單線通訊線上汲取能量：在信號(hào)線處于 電容上的電能工作，直到源

3、供電。期間把能量在電容里，在信號(hào)線處于低電平期間消耗到來(lái)再給寄生電源（電容）充電。DS1820 也可用外部 5V 電DS1820 依靠一個(gè)單線端口通訊。在單線端口條件下，必須先建立 ROM 操作協(xié)議，才能進(jìn)行存儲(chǔ)器和控制操作。因此，控制器必須首先提供下面 5 個(gè) ROM 操作命令之一：1）讀 ROM，2）匹配 ROM，3）搜索 ROM，4）跳過(guò) ROM，5）搜索。這些命令對(duì)每個(gè)器件的激光 ROM 部分進(jìn)行操作，在單線總線上掛有多個(gè)器件時(shí)，可以區(qū)分出單個(gè)器件，同時(shí)可以向總線控制器指明有多少器件或是什么型號(hào)的器件。成功執(zhí)行完一條 ROM 操作序列后，即可進(jìn)行器和控制操作，控制器可以提供 6 條器和

4、控制操作指令中的任一條。一條控制操作命令指示 DS1820 完成一次溫度測(cè)量。測(cè)量結(jié)果放在 DS1820 的暫存器里，用一條讀暫存器內(nèi)容的一個(gè) EEPROM 字節(jié)器操作命令可以把暫存器中數(shù)據(jù)讀出。溫度觸發(fā)器 TH 和 TL 各由。如果沒(méi)有對(duì) DS1820 使用搜索命令，這些寄存器可以做為一般用途的用戶器使用。可以用一條器操作命令對(duì) TH 和 TL 進(jìn)行寫入，對(duì)這些寄存器的讀出需要通過(guò)暫存器。所有數(shù)據(jù)都是以最低有效位寄生電源的方式進(jìn)行讀寫。寄生電源的方框圖見(jiàn)圖 1。這個(gè)電路會(huì)在 I/O 或 VDD 引腳處于時(shí)“偷”能量。當(dāng)有特定的時(shí)間和電壓需求時(shí)（見(jiàn)節(jié)標(biāo)題“單線總線系統(tǒng)”），I/O 要提供足夠的

5、能量。寄生電源有兩個(gè)好處：1）進(jìn)行遠(yuǎn)距離測(cè)溫時(shí)，無(wú)需本地電源，2）可以在沒(méi)有常規(guī)電源的條件下讀 ROM。要想使 DS1820 能夠進(jìn)行精確的溫度轉(zhuǎn)換，I/O 線必須在轉(zhuǎn)換期間保證供電。由于 DS1820 的工作電流達(dá)到 1mA，所以僅靠 5K 上拉電阻提供電源是的，當(dāng)幾只 DS1820 掛在同一根 I/O線上并同時(shí)想進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換時(shí)，這個(gè)問(wèn)題變得更加。有兩種方法能夠使 DS1820 在動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換周期中獲得足夠的電流供應(yīng)。第法，當(dāng)進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換或拷貝到 E2器操作時(shí)，給 I/O 線提供一個(gè)強(qiáng)上拉。用 MOSFET 把 I/O 線直接拉到電源16 腳 SSOPPR35符號(hào)說(shuō)明91GND接地82DQ數(shù)據(jù)輸

6、入/輸出腳。對(duì)于單線操作：漏極開路（見(jiàn)“寄生電源”節(jié)）73VDD可選的 VDD 引腳。具體接法見(jiàn)“寄生電源”節(jié)上就可以實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖 2。在發(fā)出任何涉及拷貝到 E2器或啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換的協(xié)議之后，必須在最多 10s 之內(nèi)把 I/O 線轉(zhuǎn)換到強(qiáng)上拉。使用寄生電源方式時(shí)，VDD 引腳必須接地。另一種給 DS1820 供電的方法是從 VDD 引腳接入一個(gè)外部電源，見(jiàn)圖 3。這樣做的好處是 I/O線上不需要加強(qiáng)上拉，而且總線控制器不用在溫度轉(zhuǎn)換期間總保持。這樣在轉(zhuǎn)換期間可以允許在單線總線上進(jìn)行其他數(shù)據(jù)往來(lái)。另外，在單線總線上可以掛任意多片 DS1820，而且如果它們都使用外部電源的話，就可以先發(fā)一個(gè) Skip

7、 ROM 命令，再接一個(gè) Convert T 命令，讓它們同時(shí)進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換。注意當(dāng)加上外部電源時(shí)，GND 引腳不能懸空。溫度高于 100時(shí)，不使用寄生電源，因?yàn)?DS1820 在這種溫度下的漏電流比較大，通訊可能無(wú)法進(jìn)行。在類似這種溫度的情況下，強(qiáng)烈使用 DS1820 的 VDD 引腳。對(duì)于總線控制器不知道總線上的 DS1820 是用寄生電源還是用外部電源的情況，DS1820 預(yù)備了一種信號(hào)指示電源的使用意圖。總線控制器發(fā)出一個(gè) Skip ROM 協(xié)議，然后發(fā)出讀電源命令，這條命令發(fā)出后，控制器發(fā)出讀時(shí)間隙，如果是寄生電源，DS1820 在單線總線上發(fā)回“0”，如果是從 VDD 供電，則發(fā)回“

8、1”，這樣總線控制器就能夠決定總線上是否有 DS1820 需要強(qiáng)上拉。如果控制器接收到一個(gè)“0”，它就知道必須在溫度轉(zhuǎn)換期間給 I/O 線提供強(qiáng)上拉。這個(gè)命令協(xié)議詳見(jiàn)“測(cè)溫操作器操作命令”節(jié)。DS1820 通過(guò)一種片上溫度測(cè)量技術(shù)來(lái)測(cè)量溫度。圖 4 示出了溫度測(cè)量電路的方框圖。溫度/數(shù)據(jù)關(guān)系（表 1）DS1820 是這樣測(cè)溫的：用一個(gè)高溫度系數(shù)的振蕩器確定一個(gè)門周期，計(jì)數(shù)器在這個(gè)門周期內(nèi)對(duì)一個(gè)低溫度系數(shù)的振蕩器的脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)來(lái)得到溫度值。計(jì)數(shù)器被預(yù)置到對(duì)應(yīng)于-55的一個(gè)值。如果計(jì)數(shù)器在門周期結(jié)束前到達(dá) 0，則溫度寄存器（同樣被預(yù)置到-55）的值增加，表明所測(cè)溫度大于-55。同時(shí)，計(jì)數(shù)器被復(fù)位到

9、一個(gè)值，這個(gè)值由斜坡式累加器電路確定，斜坡式累加器電路用來(lái)補(bǔ)償感溫振蕩器的拋物線特性。然后計(jì)數(shù)器又開始計(jì)數(shù)直到 0，如果門周期仍未結(jié)束，將重復(fù)這一過(guò)程。斜坡式累加器用來(lái)補(bǔ)償感溫振蕩器的非線性，以期在測(cè)溫時(shí)獲得比較高的分辨力。這是通過(guò)改變計(jì)數(shù)器對(duì)溫度每增加一度所需計(jì)數(shù)的的值來(lái)實(shí)現(xiàn)的。因此，要想獲得所需的分辨力，必須同時(shí)知道在給定溫度下計(jì)數(shù)器的值和每一度的計(jì)數(shù)值。DS1820對(duì)此計(jì)算的結(jié)果可提供 0.5的分辨力。溫度以 16bit 帶符號(hào)位擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼形式讀出，表 1 給出了溫度值和輸出數(shù)據(jù)的關(guān)系。數(shù)據(jù)通過(guò)單線接口以串行方式傳輸。 DS1820 測(cè)溫范圍-55+125，以 0.5遞增。如用于華

10、氏溫度，必須要用一個(gè)轉(zhuǎn)換因子查找表。注意 DS1820 內(nèi)溫度表示值為 1/2LSB，如下所示 9bit 格式：溫度數(shù)據(jù)輸出（二進(jìn)制）數(shù)據(jù)輸出（十六進(jìn)制）00FA+1/200000000 000000010001000000000 000000000000-1/211111111 11111111F-2511111111 11001110FFCE-5511111111 10010010FF92最高有效（符號(hào)）位被充滿器中兩字節(jié)溫度寄存器的高 MSB 位，由這種“符號(hào)位擴(kuò)展”產(chǎn)生出了示于表 1 的 16bit 溫度讀數(shù)。可用下述方法獲得更高的分辨力。首先，溫度值，將 0.5位（LSB）從的值中截

11、去，這個(gè)值叫做 TEMP_READ。然后（COUNT_REMAIN）。最后，計(jì)數(shù)器中剩余的值，這個(gè)值是門周期結(jié)束后保留下來(lái)的值用到在這個(gè)溫度下每度的計(jì)數(shù)值（COUNT_PER_C）。用戶可以用下面的公式計(jì)算實(shí)際溫度值：搜索操作DS1820 完成一次溫度轉(zhuǎn)換后，就拿溫度值和在 TH 和 TL 中的值進(jìn)行比較。因?yàn)檫@些寄存器是 8 位的，所以 0.5位被忽略不計(jì)。TH 或 TL 的最高有效位直接對(duì)應(yīng) 16 位溫度寄存器的符號(hào)位。如果測(cè)得的溫度高于 TH 或低于 TL，器件就會(huì)置位一個(gè)標(biāo)識(shí)。每進(jìn)行一次搜索命令有反應(yīng)。這測(cè)溫就對(duì)這個(gè)標(biāo)識(shí)進(jìn)行一次更新。當(dāng)標(biāo)識(shí)置位時(shí)，DS1820 會(huì)對(duì)樣就允許許多 DS1

12、820 并聯(lián)在一起同時(shí)測(cè)溫，如果某個(gè)地方的溫度超過(guò)了限定值，的器件就會(huì)被立即識(shí)別出來(lái)并64 位（激）光刻 ROM，而不用讀未的器件。每只 DS1820 都有一個(gè)唯一的長(zhǎng)達(dá) 64 位的編碼。最前面 8 位是單線系列編碼（DS1820 的編碼是 19h）。下面 48 位是一個(gè)唯一的序列號(hào)。最后 8 位是以上 56 位的 CRC 碼。（見(jiàn)圖 5）64位 ROM 和 ROM 操作控制區(qū)允許 DS1820 做為單線制器件并按照詳述于“單線總線系節(jié)的單線協(xié)議工作。只有建立了 ROM 操作協(xié)議，才能對(duì) DS1820 進(jìn)行控制操作。這個(gè)協(xié)議用 ROM 操作協(xié)議流程圖來(lái)描述（圖 6）。單線總線控制器必須得天獨(dú)厚

13、提供 5 個(gè) ROM 操作命令其中之一：1）Read ROM，2）Match ROM，3）Search Rom，4）Skip ROM，5）Alarm Search。成功進(jìn)行一次 ROM 操作后，就可以對(duì) DS1820 進(jìn)行特定的操作，總線控制器可以發(fā)出六個(gè)控制操作命令中的任一個(gè)。器和CRC 發(fā)生器DS1820 中有 8 位 CRC在 64 位 ROM 的最高有效字節(jié)中。總線控制器可以用 64 位 ROM 中的前 56 位計(jì)算出一個(gè) CRC 值，再用這個(gè)和在 DS1820 中的值進(jìn)行比較，以確定 ROM 數(shù)據(jù)是否被總線控制器接收無(wú)誤。CRC 計(jì)算等式如下：CRC=X8+X5+X4+1DS1820

14、 同樣用上面的公式產(chǎn)生一個(gè) 8 位 CRC 值，把這個(gè)值提供給總線控制器用來(lái)校驗(yàn)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)。在任何使用 CRC 進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸校驗(yàn)的情況下，總線控制器必須用上面的公式計(jì)算出一個(gè) CRC 值，和在 DS1820 的 64 位 ROM 中的值或 DS1820計(jì)算出的 8 位 CRC 值（當(dāng)讀暫存器時(shí)，做為第 9 個(gè)字節(jié)讀出來(lái)）進(jìn)行比較。CRC 值的比較以及是否進(jìn)行下一步操作完全由總線控制器決定。當(dāng)在DS1820 中的或由其計(jì)算的CRC 值和總線控制器計(jì)算的值不相符時(shí)，DS1820并沒(méi)有一個(gè)能命令序列進(jìn)行的電路。單線 CRC 可以用一個(gè)由移位寄存器和 XOR 門的多項(xiàng)式發(fā)生器來(lái)產(chǎn)生，見(jiàn)圖 7。移位寄存

15、器的各位都被初始化為 0。然后從系列的最低有效位開始，一次一位移入寄存器，8 位系列編碼都進(jìn)入以后，序列號(hào)再進(jìn)入，48 位序列號(hào)都進(jìn)入后，移位寄存器中就了 CRC 值。移入 8 位 CRC 會(huì)使移位寄存器復(fù) 0。器DS1820 的器結(jié)構(gòu)示于圖 8。器由一個(gè)暫存 RAM 和一個(gè)高低溫觸發(fā)值 TH 和TL 的非易失性電可擦除（E2）RAM 組成。當(dāng)在單線總線上通訊時(shí)，暫存器幫助確保數(shù)據(jù)的完整性。數(shù)據(jù)先被寫入暫存器，這里的數(shù)據(jù)可被讀回。數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)校驗(yàn)后，用一個(gè)拷貝暫存器命令會(huì)把數(shù)據(jù)傳到非易性（E2）RAM 中。這一過(guò)程確保更改器時(shí)數(shù)據(jù)的完整性。暫存器的結(jié)構(gòu)為 8 個(gè)字節(jié)的器。頭兩個(gè)字節(jié)包含測(cè)得的溫度信

16、息。第三和第四字節(jié)是 TH和 TL 的拷貝，是易失性的，每次上電復(fù)位時(shí)被刷新。下面兩個(gè)字節(jié)沒(méi)有使用，但是在讀回?cái)?shù)據(jù)時(shí)，它們?nèi)勘憩F(xiàn)為邏輯 1。第七和第八字節(jié)是計(jì)數(shù)寄存器，它們可以被用來(lái)獲得更高的溫度分辨力（見(jiàn)“測(cè)溫操作”一節(jié)）。還有一個(gè)第九字節(jié)，可以用讀暫存器命令讀出。這個(gè)字節(jié)是以上八個(gè)字節(jié)的 CRC 碼。CRC 的執(zhí)行方式如第二個(gè)標(biāo)題“CRC 發(fā)生器”所述。單線總線系統(tǒng)單線總線系統(tǒng)包括一個(gè)總線控制器和一個(gè)或多個(gè)從機(jī)。DS1820 是從機(jī)。關(guān)于這種總線分三個(gè)題目：硬件結(jié)構(gòu)、執(zhí)行序列和單線信號(hào)（信號(hào)類型和時(shí)序）。單線總線只有一條定義的信號(hào)線；重要的是每一個(gè)掛在總線上的器件都能在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間驅(qū)動(dòng)它。

17、為此每一個(gè)總線上的器件都必須是漏極開路或三態(tài)輸出。DS1820 的單總線端口（I/O 引腳）是漏極開路式的，等效電路見(jiàn)圖 9。一個(gè)多點(diǎn)總線由一個(gè)單線總線和多個(gè)掛于其上的從機(jī)。單線總線需要一個(gè)約 5K的上拉電阻。單線總線的空閑狀態(tài)是。無(wú)論任何理由需要暫停某一執(zhí)行過(guò)程時(shí)，如果還想恢復(fù)執(zhí)行的話，總線必必須停留在空閑狀態(tài)。在恢復(fù)期間，如果單線總線處于非活動(dòng)（）狀態(tài)，位與位間的恢復(fù)時(shí)間可以無(wú)限長(zhǎng)。如果總線停留在低電平超過(guò) 480s，總線上的所有器件都將被復(fù)位。執(zhí)行序列通過(guò)單線總線端口DS1820 的協(xié)議如下：初始化ROM 操作命令器操作命令執(zhí)行/數(shù)據(jù)初始化通過(guò)單線總線的所有執(zhí)行（處理）都從一個(gè)初始化序列

18、開始。初始化序列包括一個(gè)由總線控制器發(fā)出的復(fù)位脈沖和跟有其后由從機(jī)發(fā)出的存在脈沖。存在脈沖讓總線控制器知道 DS1820 在總線上且已準(zhǔn)備好操作。詳見(jiàn)“單線信號(hào)”節(jié)。 ROM 操作命令一旦總線控制器探測(cè)到一個(gè)存在脈沖，它就可以發(fā)出 5 個(gè) ROM 命令中的任一個(gè)。所有 ROM 操作命令都 8 位長(zhǎng)度。下面是這些命令（參見(jiàn)圖 6 流程圖）：ROM 操作流程圖（圖 6）Read ROM 33h這個(gè)命令允許總線控制器讀到 DS1820 的 8 位系列編碼、唯一的序列號(hào)和 8 位 CRC 碼。只有在總線上存在單只 DS1820 的時(shí)候才能使用這個(gè)命令。如果總上有不止一個(gè)從機(jī)，當(dāng)所有從機(jī)試圖同時(shí)傳送信號(hào)

19、時(shí)就會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)Match ROM 55h（漏極開路連在一起開成相與的效果）。匹配 ROM 命令，后跟 64 位 ROM 序列，讓總線控制器在多點(diǎn)總線上定位一只特定的 DS1820。只有和 64 位 ROM 序列完全匹配的 DS1820 才能響應(yīng)隨后的器操作命令。所有和 64 位 ROM序列不匹配的從機(jī)都將等待復(fù)位脈沖。這條命令在總線上有單個(gè)或多個(gè)器件時(shí)都可以使用。Skip ROM CCh這條命令允許總線控制器不用提供 64 位 ROM 編碼就使用器操作命令，在單點(diǎn)總線情況下右以節(jié)省時(shí)間。如果總線上不止一個(gè)從機(jī)，在 Skip ROM 命令之后跟著讀命令，由于多個(gè)從機(jī)同時(shí)傳送信號(hào)，總線上就會(huì)發(fā)生數(shù)

20、據(jù)（漏極開路下拉效果相當(dāng)于相與）。Search ROM F0h當(dāng)一個(gè)系統(tǒng)初次啟動(dòng)時(shí)，總線控制器可能并不知道單線總線上有多少器件或它們的 64 位 ROM編碼。搜索 ROM 命令允許總線控制器用排除法識(shí)別總線上的所有從機(jī)的 64 位編碼。 Alarm Search ECh這條命令的流程圖和 Search ROM 相同。然而，只有在最近一次測(cè)溫后遇到符合條件的情況，DS1820 才會(huì)響應(yīng)這條命令。條件定義為溫度高于 TH 或低于 TL。只要 DS1820 不掉電，狀態(tài)將一直保持，直到再一次測(cè)得的溫度值達(dá)不到I/O 信號(hào)條件。DS1820 需要嚴(yán)格的協(xié)議以確保數(shù)據(jù)的完整性。協(xié)議包括幾種單線信號(hào)類型：

21、復(fù)位脈沖、存在脈沖、寫 0、寫 1、讀 0 和讀 1。所有這些信號(hào)，除存在脈沖外，都是由總線控制器發(fā)出的。和 DS1820 間的任何通訊都需要以初始化序列開始，初始化序列見(jiàn)圖 11。一個(gè)復(fù)位脈沖跟著一個(gè)存在脈沖表明 DS1820 已經(jīng)準(zhǔn)備好發(fā)送和接收數(shù)據(jù)（適當(dāng)?shù)?ROM 命令和器操作命令）。DS1820 命令設(shè)置（表 2）備注：命令說(shuō)明協(xié)議單線總線發(fā)出協(xié)議后備注溫度轉(zhuǎn)換命令Convert T開始溫度轉(zhuǎn)換44h1器命令Read Scratchpad暫存器和 CRC 字節(jié)BEhWrite Schratchpad把字節(jié)寫入暫存器的地址 2 和 3（TH 和 TL 溫度報(bào)警觸發(fā)）4EhCopy Scr

22、atchpad把暫存器內(nèi)容拷貝到非易失性器中（僅指地址2 和 3）48h2Recall E2把非易失性器中的值暫存器（溫度觸發(fā)）B8hReowerSupply標(biāo)識(shí) DS1820 的供電模式B4h1、溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間可長(zhǎng)達(dá) 500ms。接到溫度轉(zhuǎn)換的協(xié)議后，如果器件不是從 VDD 供電的話，I/O線就必須至少保持 500ms時(shí)間內(nèi)就不能有其他活動(dòng)。這樣，發(fā)出一個(gè) Convert T 命令之后，單線總線上在這段2、接到 Copy Scratchpad 協(xié)議后，如果器件不是從 VDD 供電的話，I/O 線必須至少保持 10ms。這樣，在發(fā)出一個(gè) Copy Scratchpad 命令后，這段時(shí)間內(nèi)單線總線

23、上就不能有其他活動(dòng)。總線控制器發(fā)出（TX）一個(gè)復(fù)位脈沖（一個(gè)最少保持 480s 的低電平信號(hào)），然后總線，進(jìn)入接收狀態(tài)（RX）。單線總線由 5K 上拉電阻拉到。探測(cè)到 I/O 引腳上的上升沿后，DS1820 等待 1560s，然后發(fā)出存在脈沖（一個(gè) 60240s 的低電平信號(hào)）。器操作命令下述命令協(xié)議概括于表 2，并用流程圖示于圖 10。器操作流程圖（圖 10）續(xù)圖 10續(xù)圖 10Write Scratchpad 4E這個(gè)命令向 DS1820 的暫存器中寫入數(shù)據(jù)，開始位置在地址 2。接下來(lái)寫入的兩個(gè)字節(jié)將被存到暫存器中的地址位置 2 和 3。可以在任何時(shí)刻發(fā)出復(fù)位命令來(lái)中止寫入。Read Sc

24、ratchpad BEh這個(gè)命令暫存器的內(nèi)容。將從字節(jié) 0 開始，一直進(jìn)行下去，直到第 9（字節(jié) 8，CRC）字節(jié)讀完。如果不想讀完所有字節(jié)，控制器可以在任何時(shí)間發(fā)出復(fù)位命令來(lái)中止Copy Scratchpad 48h。這條命令把暫存器的內(nèi)容拷貝到 DS1820 的 E2器里，即把溫度觸發(fā)字節(jié)存入非易失性器里。如果總線控制器在這條命令之后跟著發(fā)出讀時(shí)間隙，而 DS1820 又正在忙于把暫存器拷貝到 E2器，DS1820 就會(huì)輸出一個(gè)“0”，如果拷貝結(jié)束的話，DS1820 則輸出“1”。如果使用寄生電源，總線控制器必須在這條命令發(fā)出后立即起動(dòng)強(qiáng)上拉并最少保持 10ms。 Convert T 44

25、h這條命令啟動(dòng)一次溫度轉(zhuǎn)換而無(wú)需其他數(shù)據(jù)。溫度轉(zhuǎn)換命令被執(zhí)行，而后 DS1820 保持等待狀態(tài)。如果總線控制器在這條命令之后跟著發(fā)出讀時(shí)間隙，而 DS1820 又忙于做時(shí)間轉(zhuǎn)換的話， DS1820 將在總線上輸出“0”，若溫度轉(zhuǎn)換完成，則輸出“1”。如果使用寄生電源，總線控制器必須在發(fā)出這條命令后立即起動(dòng)強(qiáng)上拉，并保持 500ms。Recall E2 B8h這條命令把觸發(fā)器里的值拷回暫存器。這種拷回操作在 DS1820 上電時(shí)自動(dòng)執(zhí)行，這樣器件一上電暫存器里馬上就存在有效的數(shù)據(jù)了。若在這條命令發(fā)出之后發(fā)出讀時(shí)間隙，器件會(huì)輸出溫度轉(zhuǎn)換忙的標(biāo)識(shí)：“0”=忙，“1”=完成。Reower Supply

26、 B4h若把這條命令發(fā)給 DS1820 后發(fā)出讀時(shí)間隙，器件會(huì)返回它的電源模式：“0”=寄生電源，“1”=外部電源。讀/寫時(shí)間隙DS1820 的數(shù)據(jù)讀寫是通過(guò)時(shí)間隙處理位和命令字來(lái)確認(rèn)信息交換。寫時(shí)間隙當(dāng)主機(jī)把數(shù)據(jù)線從邏輯拉到邏輯低電平的時(shí)候，寫時(shí)間隙開始。有兩種寫時(shí)間隙：寫1 時(shí)間隙和寫 0 時(shí)間隙。所有寫時(shí)間隙必須最少持續(xù) 60s，包括兩個(gè)寫周期間至少 1s 的恢復(fù)時(shí)間。I/O 線電平變低后，DS1820 在一個(gè) 15s 到 60s 的窗口內(nèi)對(duì) I/O 線采樣。如果線上是高電平，就是寫 1，如果線上是低電平，就是寫 0（見(jiàn)圖 12）主機(jī)要生成一個(gè)寫時(shí)間隙，必須把數(shù)據(jù)線拉到低電平然后，在寫時(shí)

27、間隙開始后的 15s內(nèi)允許數(shù)據(jù)線拉到。主機(jī)要生成一個(gè)寫 0 時(shí)間隙，必須把數(shù)據(jù)線拉到低電平并保持 60s。讀時(shí)間隙當(dāng)從 DS1820數(shù)據(jù)時(shí)，主機(jī)生成讀時(shí)間隙。當(dāng)主機(jī)把數(shù)據(jù)線從高高到低電平時(shí)，寫時(shí)間隙開始。數(shù)據(jù)線必須保持至少 1s；從 DS1820 輸出的數(shù)據(jù)在讀時(shí)間隙的下降沿出現(xiàn)后 15s 內(nèi)有效。因此，主機(jī)在讀時(shí)間隙開始后必須停止把 I/O 腳驅(qū)動(dòng)為低電平 15s，以I/O 腳狀態(tài)（見(jiàn)圖 12）。在讀時(shí)間隙的結(jié)尾，I/O 引腳將被外部上拉電阻拉到讀時(shí)間隙必須最少 60s，包括兩個(gè)讀周期間至少 1s 的恢復(fù)時(shí)間。所有圖 13 表示 TINIT，TRC 和 TS LE 之和必須小于 15s。圖

28、14 示出，系統(tǒng)時(shí)間可以用下面方法達(dá)到最大：TINIT 和 TRC 保持時(shí)間盡可能小；把控制器采樣時(shí)間放到 15s 周期的最后。器操作舉例（表 3）例：總線控制器啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換，然后溫度（寄生電源）控 制器 狀態(tài)數(shù)據(jù)（ LSB）內(nèi)容器操作舉例（表 4）例：總線控制器寫器（寄生電源且只有一只 DS1820）控 制器 狀態(tài)數(shù)據(jù)（ LSB）內(nèi)容TX復(fù)位復(fù)位脈沖RX存在存在脈沖TXCChSkip ROM 命令TX4EhWrite Scratchpad 命令TX寫兩個(gè)字節(jié)到暫存器（TH 和 TL）TX復(fù)位復(fù)位脈沖RX存在存在脈沖TXCChSkip ROM 命令TXBEhRead Scratchpad 命令

29、RX讀整個(gè)暫存器加上 CRC；控制器重新計(jì)算從暫存讀到的 8 個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的 CRC，把計(jì)算的 CRC 和的 CRC 進(jìn)行比較，如果相同，控制器向下進(jìn)行，如果不同，就重復(fù)讀操作。TX復(fù)位復(fù)位脈沖RX存在存在脈沖TXCChSkip ROM 命令TX復(fù)位復(fù)位脈沖（480-960s）RX存在存在脈沖TX55h發(fā)“Match ROM”命令TX發(fā) DS1820 地址TX44h發(fā)“Convert T”命令TXI/O 線保持至少 500ms，以完成溫度轉(zhuǎn)換TX復(fù)位復(fù)位脈沖RX存在存在脈沖TX55h發(fā)“Match ROM”命令TX發(fā) DS1820 地址TXBEh發(fā)“Read Scratchpad”命令RX讀整個(gè)

30、暫存器加上 CRC；控制器重新計(jì)算從暫存讀到的 8 個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的 CRC，把計(jì)算的 CRC 和的 CRC 進(jìn)行比較，如果相同，控制器向下進(jìn)行，如果不同，就重復(fù)讀操作。TX復(fù)位復(fù)位脈沖RX存在存在脈沖，結(jié)束。器操作舉例（表 5）例：溫度轉(zhuǎn)換和插補(bǔ)（外部電源供電且只有一只 DS1820）極限使用條件：各引腳對(duì)地電壓：-0.5 到+7.0V工作溫度： -55 到+125溫度： -55 到+125焊接溫度： 26010 秒直流工作條件參數(shù)符號(hào)條件最小典型最大備注電源電壓VDDI/O 操作1/2溫度轉(zhuǎn)換精度2.84.35.05.55.5V1，2數(shù)據(jù)引腳I/O-0.5+5.5V2邏輯 1VIH2.0VCC

31、+0.3V2，3控 制器 狀態(tài)數(shù)據(jù)（LSB）內(nèi)容TX復(fù)位復(fù)位脈沖TR存在存在脈沖TXCChSkip ROM 命令TX44hConvert T 命令RX讀 8 次忙標(biāo)志。控制器一字節(jié)（或位）接一個(gè)字節(jié)讀下去，直到數(shù)據(jù)為 FFh（所有位都為 1）TX復(fù)位復(fù)位脈沖RX存在存在脈沖TXCChSkip ROM 命令TXBEhRead Scratchpad 命令RX讀整個(gè)暫存器加上 CRC；控制器重新計(jì)算從暫存讀到的 8 個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的 CRC，把計(jì)算的 CRC 和 的 CRC 進(jìn)行比較，如果相同，數(shù)據(jù)就是有效的。控制器 溫度值并分別存儲(chǔ)計(jì)數(shù)寄存器的內(nèi)容和每度計(jì)數(shù)值寄存器的內(nèi)容，做為COUNT_REMAIN

32、 和 COUNT_PER_C。TX復(fù)位復(fù)位脈沖RX存在存在脈沖CPU 按手冊(cè)中的方法計(jì)算溫度值以得到更高的分辨力。TX48hCopy Scratchpad 命令；發(fā)出這條命令后，控制器必須等待 6ms 到拷貝操作完成。TX復(fù)位復(fù)位脈沖RX存在存在脈沖，完成。直流電特性交流電特性：（-55到+125；VDD=3.6V 到 5.5V）備注：1、VDD 低至 3.4V 時(shí)，溫度轉(zhuǎn)換精度2。2、所有電壓參考點(diǎn)都是接地點(diǎn)。3、邏輯 1 電壓在源電流為 1mA 時(shí)得到。4、邏輯 0 電壓在吸收電流為 4mA 時(shí)得到。5、IDD 在 VCC 為 5.0V 時(shí)得到。6、動(dòng)態(tài)電流涉及溫度轉(zhuǎn)換和寫 E27、輸入負(fù)

33、載接地。器。寫 E2器最大用 10ms，消耗將近 100A 電流。8、待機(jī)電流最大定義到 70。125時(shí)典型待機(jī)電流為 5A。9、見(jiàn)典型曲線圖中超出 0到 70的部分。溫度誤差反映了傳感器在校準(zhǔn)時(shí)測(cè)試的精度。10、典型精度曲線在 4.3VVDD 5.5V 時(shí)有效。參數(shù)符號(hào)最小典型200最大備注溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間tCONV500ms時(shí)間隙tSLOT60120s恢復(fù)時(shí)間tREC1s寫 0 低電平時(shí)間rLOW060120s寫 1 低電平時(shí)間tLOW1115s讀數(shù)據(jù)有效時(shí)間tRDV15s復(fù)位時(shí)間tRSTH480s復(fù)位低電平時(shí)間tRSTL4804800s存在檢測(cè)時(shí)間tPDHIGHL1560s存在檢測(cè)低電平時(shí)間

34、tPDLOW60240s電容CIN/OUT25參數(shù)符號(hào)條件最小典型最大備注溫度誤差tERR-0到+70-55到 0和+70到+1251/2見(jiàn)曲線圖1，9，10輸入邏輯VIH2.25.5V2，3輸入邏輯低電平VIL-0.3+0.8V2，4吸收電流ILVI/O=0.4V-4.0mA2待機(jī)電流IQ200350nA8動(dòng)態(tài)電流IDD11.5mA5，6輸入負(fù)載電流IL5A7邏輯 0VIL-0.3+0.8V2，4DS18B20ROMDS FLOW CHARTFigure 11Initialization SequenceDS18B20 TX PRESENCE PULSE33h READ ROMD55h MA

35、TCH ROMDF0h SEARCH ROMDECh ALARM SEARCHDCCh SK P ROMDNNNNNYYYYYNNDEVI WI) LARMNBIT 0 MATCH?BIT 0 MATCH?FLAG SET?YYYDS18B20 TX CRC BYTEMASTER TX BIT 1NNBIT 1 MATCH?BIT 1 MATCH?YYNNBIT 63 MATCH?BIT 63 MATCH?YY12 of 20MASTER TX FUNCTIOND (FIGURE 12)MASTER TX BIT 63DS18B20 TX BIT 63DS18B20 TX BIT 63MAST

36、ER TX BIT 63DS18B20 TX BIT 1DS18B20 TX BIT 1MASTER TX BIT 1DS18B20 TX SERIAL NUMBER 6 BYTESDS18B20 TX FAMILY CODE 1 BYTEDS18B20 TX BIT 0DS18B20 TX BIT 0MASTER TX BIT 0DS18B20 TX BIT 0DS18B20 TX BIT 0MASTER TX BIT 0MASTER TX BIT 0MASTER TX ROMDMASTER TX RESET PULSEDS18B20DS18B20 FUNCTIONDS FLOW CHART

37、Figure 1244h CONVERTTEMPERATURE?48h COPYSCRATCHPAD?NNYYNYNYPARASITEER?PARASITEER?NCOPY N PROGRESS?DEVICE CONVERTING TEMPERATUREN?MASTER DISABLES STRONG PULLUPYMASTER DISABLES STRONG PULLUPYMASTER RX “0s”MASTER RX “0s”B4h READER SUPPLY?BEh READSCRATCHPAD?4Eh WRITESCRATCHPADNB8h RECALL E2?NNN?YYYYNYPA

38、RASITEMASTER BEGINS DATA RECALL FROM E2 PROMERED?YMASTER RX “1s”MASTER RX “0s”MASTER TX RESET?MASTER TX CONFIG. BYTE TO SCRATCHPADDEVICE BUSY RECALLINGDATANN?NYHAVE 8 BYTESBEEN READ?MASTER RX “0s”MASTER RX “1s”YMASTER RX SCRATCHPAD CRC BYTERETURN TO INITIALIZATION SEQUENCE (FIGURE 11) FORNEXT TRANIO

39、N13 of 20MASTER TX TL BYTE TO SCRATCHPADMASTER TX TH BYTE TO SCRATCHPADMASTER RX DATA BYTE FROM SCRATCHPADMASTER RX “1s”MASTER RX “1s”DS18B20 CONVERTS TEMPERATUREDOP ED FROM SCRATCHPAD TO EEPROMMASTER ENABLES STRONG PULLUP ON DQMASTER ENABLES STRONG PULL-UP ON DQDS18B20 BEGINS CONVERMASTER TX FUNCTI

40、ONDSkyle 整理 有不對(duì)之處請(qǐng)來(lái)信指正數(shù)字溫度傳感器 DS1820(DS18B20)的應(yīng)用一 單線數(shù)字溫度計(jì) DSl820 介紹DSl820 數(shù)字溫度計(jì)提供 9 位(二進(jìn)制)溫度讀數(shù) 指示器件的溫度 信息經(jīng)過(guò)單線接口送入 DSl820 或從 DSl820 送出 因此從主機(jī) CPU 到 DSl820 僅需一條線(和地線) DSl820 的電源可以由數(shù)據(jù)線本身提供而不需要外部電源 因?yàn)槊恳粋€(gè) DSl820 在出廠時(shí)已經(jīng)給定了唯一的序號(hào) 因此任意多個(gè) DSl820 可以存放在同一條單線總線上 這允許在許多不同的地方放置溫度敏感器件DSl820 的測(cè)量范圍從-55到+125增量值為 0.5可在

41、l s(典型值)內(nèi)把溫度變換成數(shù)字每一個(gè) DSl820 包括一個(gè)唯一的 64 位長(zhǎng)的序號(hào) 該序號(hào)值存放在 DSl820的 ROM(只讀存貯器)中 開始8 位是產(chǎn)品類型編碼(DSl820 編碼均為 10H)接著的 48位是每個(gè)器件唯一的序號(hào)最后 8 位是前面 56 位的CRC(循環(huán)冗余DSl820 中還有用于貯存測(cè)得的溫度值的兩個(gè) 8 位存貯器 RAM為 0 號(hào)和 1號(hào) 1 號(hào)存貯器存放溫度值的符號(hào) 如果溫度為負(fù)()則 1 號(hào)存貯器 8 位全為 1 否則全為 0 0 號(hào)存貯器用于存放溫度值的補(bǔ)碼LSB(最低位)的 1表示 0.5將存貯器中的二進(jìn)制數(shù)求補(bǔ)再轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù)并除以 2 就得到被測(cè)溫度值

42、(-550125) DSl820 的引腳如圖 2 26l 所示 每只D51820 都可以設(shè)置成兩種供電方式 即數(shù)據(jù)總線供電方式和外部供電方式 采取數(shù)據(jù)總線供電方式可以節(jié)省一根導(dǎo)線但完成溫度測(cè)量的時(shí)間較長(zhǎng)采取外部供電方式則多用一根導(dǎo)線但測(cè)量速度較快溫度計(jì)算1Ds1820 用 9 位存貯溫值度最 S=1正溫度 S=0如 00AAH 為+85,0032H 為 25為符號(hào)位下圖為 18b20 的溫度方式 負(fù)溫度FF92H 為552 Ds18b20 用 12 位存貯溫值度S=1正溫度 S=0如為符號(hào)位 下圖為 18b20 的溫度最方式 負(fù)溫度0550H 為H 為 25.0625,FC90H 為-55二

43、DSl820 工作過(guò)程及時(shí)序 DSl820 工作過(guò)程中的協(xié)議如下初始化 RoM 操作命令1初始化器操作命令處理數(shù)據(jù)單總線上的所有處理均從初始化開始2ROM 操作品令總線主機(jī)檢測(cè)到 DSl820 的存在指令Read ROM(讀 ROM) Match ROM(匹配 ROM) Skip ROM(跳過(guò) ROM Search ROM(搜索 ROM) Alarm search(告警搜索)便可以發(fā)出 ROM 操作命令之一代碼33H55HCCHF0HECH這些命令如3器操作命令指令Write Scratchpad(寫暫存 Read Scratchpad(讀暫存代碼4EHBEH48H44HB8HB4H器)器)器

44、)Copy Scratchpad(暫存Convert Temperature(溫度變換) Recall EPROM(重新調(diào)出)Re4時(shí) 序ower supply(讀電源)主機(jī)使用時(shí)間隙(time slots)來(lái)讀寫 DSl820 的數(shù)據(jù)位和寫命令字的位(1)初始化時(shí)序見(jiàn)圖 2.25-2 主機(jī)總線 to 時(shí)刻發(fā)送一復(fù)位脈沖(最短為 480us 的低電平信號(hào))接著在 tl 時(shí)刻總線并進(jìn)入接收狀態(tài) DSl820 在檢測(cè)到總線的上升沿之后 等待 15-60us 接著 DS1820 在 t2 時(shí)刻發(fā)出存在脈沖(低電平 持續(xù) 60-240 us)如圖中虛線所示以下子程序在 MCS51 仿真機(jī)上通過(guò)其晶振為

45、 12M.初始化子程序RESETPUSH B PUSH A MOV A,#4 CLR P1.0 MOV B,#250 DJNZ B,$ SETB Pl.0 MOV B,#6 CLR CJB Pl.0,WHDJNZ B,WAITL;保存 B 寄存器保存 A 寄存器;設(shè)置循環(huán)次數(shù);發(fā)出復(fù)位脈沖;計(jì)數(shù) 250 次;保持低電平 500us;總線;設(shè)置時(shí)間常數(shù);清存在信號(hào)標(biāo)志W(wǎng)AITL:;若總線;總線跳出循環(huán)待DJNZ ACC,WAITL; SJMP SHORT MOV B,#111ORL C,P1.0總線等待一段時(shí)間WH:WH1:DJNZ B,WH1;存在時(shí)間等待 POP APRETSHORT:(2)

46、寫時(shí)間隙當(dāng)主機(jī)總線 t o 時(shí)刻從至低電平時(shí) 就產(chǎn)生寫時(shí)間隙見(jiàn)圖 2253圖 2254 從 to 時(shí)刻開始 15us 之內(nèi)應(yīng)將所需寫的位送到總線上DSl820 在 t 后 15-60us 間對(duì)總線采樣 若低電平 寫入的位是 0 見(jiàn)圖 2 25連續(xù)寫 2 位間的間隙應(yīng)大于 1us3若寫入的位是 1見(jiàn)圖 2254寫位子程序(待寫位的內(nèi)容在 C 中)WRBIT:PUSH B MOV B,#28 CLR P1.0 NOPNOP NOP NOP N0PMOVPl.0,C;保存 B;設(shè)置時(shí)間常數(shù);寫開始;1us;1us;1us;1us;1us;C 內(nèi)容到總線WDLT:DJNZ B,WDLT;等待 56Us

47、PSETB Pl.0RET;總線;返回寫字節(jié)子程序(待寫內(nèi)容在 A 中):WRBYTB:PUSH B MOV BWLOP: RRC A:保存 B;設(shè)置寫位個(gè)數(shù);把寫的位放到 C;調(diào)寫 1 位子程序;8 位全寫完?#8HACALL WRBIT DJNZ BWLOP PRET(3)讀時(shí)間隙見(jiàn)圖 2255主機(jī)總線 to 時(shí)刻從至低電平時(shí)總線只須保持低電平 l 7ts之后在 t1 時(shí)刻將總線拉高 產(chǎn)生讀時(shí)間隙 讀時(shí)間隙在 t1 時(shí)刻后 t 2 時(shí)刻前有效 t z 距 to 為 15捍 s也就是說(shuō) t z 時(shí)刻前主機(jī)必須完成讀位讀位子程序(讀得的位到 C 中)并在 t o 后的 60 尸 s 一 120

48、 fzs 內(nèi)總線RDBIT:PUSH B PUSH A MOV B,#23 CLR P1.0 NOPNOP NOP NOPSETB Pl.0 MOV A,P1 MOV C,EOH NOPNOP NOP NOPDJNZ B,RDDLT SETB P1.0POP A;保存 B;保存 A;設(shè)置時(shí)間常數(shù);讀開始 圖 2;1us;1us;1us;1us255 的 t0 時(shí)刻;總線;P1 口讀到 A;P1.0 內(nèi)容 C;1us;1us;1us;1us;等待 46usRDDLT:P RET讀字節(jié)子程序(讀到內(nèi)容放到 A 中)RDBYTE:PUSH B MOV B,#8HACALL RDBIT RRC ADJ

49、NZ B,RLOP PRET;保存 B;設(shè)置讀位數(shù);調(diào)讀 1 位子程序;把讀到位在 C 中并依次送給 A;8 位讀完?;恢復(fù) BRLOP三 多路測(cè)量每一片 DSl820 在其 ROM 中都存有其唯一的 48 位序列號(hào) 在出廠前已寫入片內(nèi) ROM中 主機(jī)在進(jìn)入操作程序前必須逐一接入 1820 用讀 ROM(33H)命令將該 l 820 的序列號(hào)讀出并登錄1820 的某一個(gè)進(jìn)行操當(dāng)主機(jī)需要對(duì)眾多作時(shí) 首先要發(fā)出匹配 ROM 命令(55H) 緊接著主機(jī)提供 64 位序列(包括該 1820 的 48 位序列號(hào)) 之后的操作就是針對(duì)該 1820 的 而所謂跳過(guò) ROM 命令即為 之后的操作是對(duì)所有 18

50、20 的 框圖中先有跳過(guò) ROM 即是啟動(dòng)所有 1820 進(jìn)行溫度變換 之后 通過(guò)匹配 ROM 再逐一地讀回每個(gè) 1820 的溫度數(shù)據(jù)在 1820 組成的測(cè)溫系統(tǒng)中 主機(jī)在發(fā)出跳過(guò)ROM 命令之后 再發(fā)出的溫度轉(zhuǎn)換啟動(dòng)碼 44H 就可以實(shí)現(xiàn)所有 1820 的轉(zhuǎn)換 再經(jīng)過(guò) 1s 后 就可以用很少的時(shí)間去逐一這種方式使其 T 值往往小于傳統(tǒng)方式 由于采取公用的放大電路和 AD 轉(zhuǎn)換器 只能逐一轉(zhuǎn)換越明顯顯然通道數(shù)越多 這種省時(shí)效應(yīng)就四 實(shí)際應(yīng)用1ds1820 序列號(hào)獲得;|-|;|讀出 ds1820 序列號(hào)應(yīng)用程序,P1.6 接 ds1820|;|-| 0000HAJMP MAIN0020HMAI

51、N:MOV SP,#60HCLR EALCALL MOV A,#33H;使用 ds1820 一定要;初始化 ds1820任何中斷產(chǎn)生LCALL WRITE LCALL READ MOV 40H,A LCALL READ MOV 41H,A LCALL READ MOV 42H,A LCALL READ MOV 43H,A LCALL READ MOV 44H,A LCALL READ MOV 45H,A LCALL READ MOV 46H,A LCALL READ MOV 47H,A SETB EASJMP $;送入讀 ds1820 的 ROM 命令;開始讀出當(dāng)前 ds1820 序列號(hào):;初

52、始化 ds1820 子程序CLR EA L0:CLR P1.6MOV R2,#200 L1:CLR P1.6DJNZ R2,L1 SETB P1.6 MOV R2,#30L4:DJNZ R2,L4 CLR C ORL C,P1.6 JC L0MOV R6,#80 L5:ORL C,P1.6JC L3DJNZ R6,L5 SJMP L0L3:MOV R2,#240 L2:DJNZ R2,L2RET;ds1820 總線為低復(fù)位電平;總線復(fù)位電平保持 400usds1820 總線ds1820 總線保持 60us;清存在信號(hào);存在嗎?不存在則重新來(lái)WRITE:;向 ds1820 寫操作命令子程序CLR

53、 EAMOV R3,#8;寫入 ds1820 的 bit 數(shù),一個(gè)字節(jié) 8 個(gè) bitWR1:SETB P1.6 MOV R4,#8 RRC A CLR P1.6WR2:DJNZ R4,WR2 MOV P1.6,C MOV R4,#20WR3:DJNZ R4,WR3 DJNZ R3,WR1 SETB P1.6RET;把一個(gè)字節(jié) data(A)分成 8 個(gè) bit 環(huán)移給 C;開始寫入 ds1820 總線要處于復(fù)位(低)狀態(tài);ds1820 總線復(fù)位保持 16us;寫入一個(gè) bit;等待 40us;寫入下一個(gè) bit;重新ds1820 總線READ:CLR EA MOV R6,#8RE1:CLR

54、P1.6MOV R4,#4 NOPSETB P1.6 RE2:DJNZ R4,RE2MOV C,P1.6 RRC A MOV R5,#30RE3:DJNZ R5,RE3 DJNZ R6,RE1 SETB P1.6RET;連續(xù)讀 8 個(gè) bit;讀前總線保持為低;開始讀 總線;持續(xù) 8us;從 ds1820 總線讀得一個(gè) bit;把讀得的位值環(huán)移給 A;持續(xù) 60us;讀下一個(gè) bit;重新ds1820 總線END2溫度轉(zhuǎn)換和;|-|;|獲取單個(gè) ds1820 轉(zhuǎn)化的溫度值的應(yīng)用程序,P1.6 接 ds1820|;|-| 0000HAJMP MAIN0020HMAIN:MOV SP,#60H L

55、CALL GET_TEMP SJMP $GET_TEMP:CLR PSW.4SETB PSW.3 CLR EA LCALLMOV A,#0CCH LCALL WRITE MOV A, #44H LCALL WRITE LCALLMOV A,#0CCH LCALL WRITE MOV A,#0BEH LCALL WRITE LCALL READ MOV R7,A LCALL READ MOV R6,A SETB EARET;設(shè)置工作寄存器當(dāng)前所在的區(qū)域;使用 ds1820 一定要任何中斷產(chǎn)生;調(diào)用初使化子程序;送入跳過(guò) ROM 命令;送入溫度轉(zhuǎn)換命令;溫度轉(zhuǎn)換完全,再次初使化 ds1820;送入

56、跳過(guò) ROM 命令;送入讀溫度暫存器命令;讀出溫度值低字節(jié)存入 R7;讀出謾度值高字節(jié)存入 R6:;初始化 ds1820 子程序CLR EA L0:CLR P1.6MOV R2,#200 L1:CLR P1.6DJNZ R2,L1 SETB P1.6 MOV R2,#30L4:DJNZ R2,L4 CLR C ORL C,P1.6 JC L0MOV R6,#80 L5:ORL C,P1.6JC L3DJNZ R6,L5 SJMP L0L3:MOV R2,#240 L2:DJNZ R2,L2RET;ds1820 總線為低復(fù)位電平;總線復(fù)位電平保持 400usds1820 總線ds1820 總線保

57、持 60us;清存在信號(hào);存在嗎?不存在則重新來(lái)WRITE:;向 ds1820 寫操作命令子程序CLR EA MOV R3,#8WR1:SETB P1.6;寫入 ds1820 的 bit 數(shù),一個(gè)字節(jié) 8 個(gè) bitMOV R4,#8 RRC A CLR P1.6WR2:DJNZ R4,WR2 MOV P1.6,C MOV R4,#20WR3:DJNZ R4,WR3 DJNZ R3,WR1 SETB P1.6RET;把一個(gè)字節(jié) data(A)分成 8 個(gè) bit 環(huán)移給 C;開始寫入 ds1820 總線要處于復(fù)位(低)狀態(tài);ds1820 總線復(fù)位保持 16us;寫入一個(gè) bit;等待 40us

58、;寫入下一個(gè) bit;重新ds1820 總線READ:CLR EA MOV R6,#8RE1:CLR P1.6MOV R4,#4 NOPSETB P1.6 RE2:DJNZ R4,RE2MOV C,P1.6 RRC A MOV R5,#30RE3:DJNZ R5,RE3 DJNZ R6,RE1 SETB P1.6RET;連續(xù)讀 8 個(gè) bit;讀前總線保持為低;開始讀 總線;持續(xù) 8us;從 ds1820 總線讀得一個(gè) bit;把讀得的位值環(huán)移給 A;持續(xù) 60us;讀下一個(gè) bit;重新ds1820 總線ENDSkyle 整理 有不對(duì)之處請(qǐng)來(lái)信指正DESIGN SHOWCASE1-Wire1-WireDS18B20DS18S20DS182211-WireDS2480VHDL 1-WireDallas SemiconductorASIC3V5.5V4.7k64ROM 1-WireDS18x20DS18221-WireDS18B20 DS18S20DS1822/DallasDS18x20/DS18221-Wire3VTO5.5V1-WIRE TEMP SENSOR 11-WIRE TEMP SEN