ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T37051—2018

太陽能級多晶硅錠硅片晶體

、

缺陷密度測定方法

Testmethodfordeterminationofcrystaldefectdensityin

PVsiliconingotandwafer

2018-12-28發布2019-04-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T37051—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

方法概要

3…………………1

試劑和材料

4………………1

儀器和設備

5………………2

試樣制備

6…………………2

測試步驟

7…………………2

數據處理

8…………………4

精密度

9……………………5

干擾因素

10…………………5

報告

11………………………6

GB/T37051—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位英利集團有限公司中國電子技術標準化研究院江西賽維太陽能高科技

:、、LDK

有限公司泰州中來光電科技有限公司晉能清潔能源科技有限公司鎮江仁德新能源科技有限公司天

、、、、

津英利新能源有限公司

。

本標準主要起草人李鋒李英葉段青春張偉吳翠姑馮亞彬裴會川程小娟唐駿

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T37051—2018

太陽能級多晶硅錠硅片晶體

、

缺陷密度測定方法

1范圍

本標準規定了太陽能級多晶硅錠硅片的晶體缺陷密度測定方法包含方法概要試劑和材料儀器

、,、、

和設備試樣制備測試步驟數據處理精密度干擾因素和報告

、、、、、。

本標準適用于太陽能級多晶硅錠硅片晶體缺陷密度的測定

、。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測量方法與結果的準確度正確度和精密度第部分確定標準測量方

GB/T6379.2—2004()2:

法重復性與再現性的基本方法

潔凈室及相關受控環境第部分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20101:

太陽能級鑄造多晶硅塊

GB/T29054

太陽電池用多晶硅片

GB/T29055

3方法概要

用硝酸氫氟酸混合液對硅片表面進行化學拋光再使用重鉻酸鉀氫氟酸混合液腐蝕硅片硅晶體

、,、,

缺陷被優先腐蝕使用顯微鏡觀察試樣腐蝕表面可觀察到硅片的晶體缺陷特征并對缺陷計數

,,。

通過對不同位置的硅錠取樣硅片樣片測量得到不同部位硅片樣片的晶體缺陷密度其最終結果可

,,

以表征硅錠的晶體缺陷密度

。

4試劑和材料

41重鉻酸鉀分析純

.:。

42氫氟酸質量分數電子級

.:40%,。

43硝酸質量分數電子級

.:65%,。

44化學腐蝕拋光液V氫氟酸V硝酸

.:∶=1∶4。

45去離子水電導率小于或等于

.:1μS/cm。

46無水乙醇密度分析純

.:0.79g/mL,。

47重鉻酸鉀溶液質量濃度稱取重鉻酸鉀置于燒杯中用去離子水完全溶解后移入

.:44g/L。44g,,

容量瓶中用去離子水稀釋至刻度混勻

1000mL,