1、淺析三極管輸出特性曲線記得當年學模電，感覺整個模擬電路都在和這個圖做斗爭，其實很多時候我們并不是不理解，只是說服不了自己去相信這些事實，這篇文章我將分享一些我自己的理解方法，可能并不是很準確，但希望能幫助大家理解。2/c/mA八龜和區2-8Oua放大區砧40uA心二0歩止區K:e/v在講輸出特性曲線之前，我首先要寫很多廢話來講清楚三極管到底是怎么工作的。1、發射區向基區發射電子電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子（自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流le。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由于多數載流子濃度遠低于發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，

2、因此可以認為發射結主要是電子流。2、基區中電子的擴散與復合電子進入基區后，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流lc。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。3、集電區收集電子由于集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常

3、敏感。以上是書本上的解釋，我相信初學者很少有能看懂這些正確的廢話的，但是當你看完這篇文章再回頭讀讀這些話，你就會感嘆，教科書里面的話真的是很精辟，沒有一句廢話。廢話不多說，要搞明白三極管，首先要搞明白二極管（這里所講的是晶體二極管，電子二極管比這個好理解）。而要弄懂二極管，自然不可回避PN結在一塊完整的硅片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，我們稱兩種半導體的交界面附近的區域為PN結。其實通過這個定義，你依然不能解釋很多問題，這里涉及到載流子的問題，在P區載流子主要是空穴，而N區主要載流子是電子，如果將P型半導體和N型半導體貼在一起，自然會因為濃度差形成載流子擴散

4、（就像高中化學和生物里分子擴散一樣）。由于載流子的擴散，在兩種半導體交界處形成了空間電荷區（也稱為耗盡區，個人認為空間電荷區更形象，就是一堆不能移動的電荷），由于這些電荷的存在，形成了內電場，這個內電場會阻止進一步擴散，整個過程如下圖所示。如果我們在PN結外部加上一個與內電場反方向的電壓，只要電壓大于內電場，便可以克服內電場阻力，P型半導體和N型半導體內的多數載流子可以繼續正常流動；相反，如果加上和內電場相同的方向的電壓，則這種阻力會進一步增強，但是如果電場過大，內部晶格會發生變化（齊納擊穿），最終導致三極管被擊穿。以下是關于雪崩擊穿個人的猜想（實在不知道該怎么查證，如果有知道，希望不吝賜教）

5、：PN結反向擊穿有三種形式雪崩擊穿、齊納擊穿和熱擊穿。齊納擊穿和熱擊穿從面上很好理解，而雪崩擊穿的解釋中，有一句話是不合常理因為耗盡區的電場方向和外加電場方向一致，導致電場很大，電子在電場中被加速到一定的速度之后撞擊晶格形成電子空穴對，被撞擊出來的電子又被加速撞擊其他的晶格注意這里他說電子在電場中被加速到一定速度，電子是哪兒來的？（其實我一直不能理解這個問題，直到前幾天看到一篇文章，給了我一些啟發）。我們知道P型半導體里面的多數載流子是空穴，注意是多數載流子，也就是在P型半導體內還有少數載流子一一電子，同樣在N型半導體內也有少數載流子一一空穴，雖然多數載流子的運動的被限制了，但少數載流子的運動

6、卻得到了加強（注意這句話。所以我猜測這個電子便是少數載流子，當然這只是我的猜測，但是這卻和三極管的原理有著莫大的關系。弄懂了二極管，我們就可以開始解釋三極管的工作原理了，我相信很多人和我一樣對三極管都是一知半解的，其實這沒什么，作為工科的學生，弄清楚原理不是我們的目的，即使一知半解對我們來說也是綽綽有余了，但是我覺得理解這些深層次的原理本身是一件很有趣的事。正如我上面所提到的，二極管中的少數載流子的運動得到了加強，注意最關鍵的一步如果我們在反向偏置的PN的P區注入電子。這個時候電子可以輕而易舉地通過耗盡區，甚至可以說是被拉到了N區，這其實就是三極管的原理！講到這里可能有些人已經恍然大悟了，但大

7、多數人肯定依然一頭霧水，不要急，再多讀兩分鐘就能明白了。仔細觀察下面這張圖片，這張圖片是三極管的原理圖，但仔細想想其實就是我們上面所提到的那種情況一一基區和集電區構成的PN結反偏，基區和發射區（摻雜了很多電子）構成的PN結正偏，電子被不斷注入基區（即反向偏置的PN結的P區）。到這里有人可能會問出一個很“致命”的問題三極管到底怎么放大的？要說清這個問題其實很不容易，如果我們夠單純的話，從圖中很容易看出lc+lb=le（事實也的確如此），這個問題的關鍵在于為什么集電極電流和基區電流成固定比例關系（即這個P到底是啥）。我可以告訴大家一個簡單的理解方法（雖然不準確）一一大家知道基區其實是P型半導體，盡

8、管他很薄，但不可否認他的里面還是有很多的空穴，當電子路過基區想去集電區串門時基區的空穴就會在半路上攔截一部分的電子，但是畢竟寡不敵眾，大多數的電子還是流向了集電區，其實這種攔截能力正是B的體現，攔截下來的電子就是基極電流，沒攔住的則是集電極電流。這種攔截能力是三極管固有的能力，因此P值也基本上不會改變。終于把三極管的原理講完了，接下來就是這篇文章的重點（雖說是重點，但其實沒什么可講的，該講的都已經說完了，剩下的靠自己悟了）三極管的輸出特性曲線。講之前，讓我們再次膜拜一下這個圖吧：32飽和區*/S2-SOpA放大區血二血二輕止區為了更好的解釋著個問題，我做了一個簡單的仿真（Multisim）,電

9、路很簡單，可能有些地方并不滿足實際需要，僅用于說明問題，電路如下（這里的R3用于調節偏置）：一、截止區這是最不需要廢話的一個區，不管你是怎么理解三極管的，這個區你總能理解對了，這里我說一下自己的理解（沿用上面關于三極管的解釋）當基極電壓過小，以至于不能導通基極和發射極所構成的PN結，這個時候，不管你Uce有多大，都不會產生集電極電流此時三極管處于截止區。仿真：此時R3=100Q；很顯然三極管是截止的，此時仿真結果如下（不解釋了，大家一看就懂）：J25.230也衛盒砍九謖小1J*39.UDxMJjaHLEVLlS-p1|htlIatOis山剛yHOXi*HB即AlaM：WZ*.：Jffl：|SJ

10、E|ZME：|ESKmM18J=oYttffiVflSz廠丫WHWB：廠匝審fl阱柯hiizim*wjjitti-*ms：J-LEE：.i.忒平:PF-正&U弋二、飽和區很多人都覺得飽和區不好理解，其實也很簡單，先解釋下原理一一當Ube過大，lc也很大，這樣就導致集電極反向偏置電壓很小，于是PN結不再具備能將電子從基區拉到集電極的能力了，此時PN有可能出現正偏現象，即整個PN結就像是一跟導線一樣，這種情況下，如果提高Vc的大小，lc也會隨著提高。仿真：此時R3=47KQ；很顯然三極管是飽和的，此時仿真結果如下：大家之所以覺得不好理解，可能是因為飽和兩個字的誤解，大家要清楚名字是人起的性質確實天生的。就好像人一樣，名字有時候能反映一個人的一些特點（潛移默化的會影響），但看一個人的本性看名字是遠遠不夠的。萬用t?SL*T2牛卓時冃L7：4iL714xd4玨J業忒StSSSnAdB-BU.417uVT2-T1.ajxav.?：L：.|Q-V-.：-l.0|t|,.：.Jx、Y,iT題陽55fsin